基于纳米尺度线的数据存储制造技术

本发明专利技术一般性涉及纳米技术和可以用于电路的亚微米电子器件，并且在某些情况下，涉及能够编码数据的纳米尺度线和其它纳米结构。本发明专利技术的一个方面提供一种具有电可极化的区域的纳米尺度线或其它纳米结构，例如，纳米尺度线可以包括核和电可极化壳。在某些情况下，电可极化区域在没有外电场情况下能够保持其极化状态。电可极化区域的全部或仅一部分可以被极化，以例如编码一个或多个数据位。在一组实施方案中，电可极化区域包括功能氧化物或铁电氧化物材料，例如，ＢａＴｉＯ↓［３］、钛锆酸铅等。在某些实施方案中，纳米尺度线（或其它纳米结构）还可以包括其它材料，例如，使纳米尺度线的电可极化区域与其它区域隔离的隔离区域。例如，在纳米尺度线内，一个或多个中间壳可以使所述核与电可极化壳隔离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般性涉及纳米技术和可以用于电路的亚微米电子器件，更具 体涉及能够编码数据的纳米尺度线和其它纳米结构。
技术介绍
纳米尺度的化学和物理挑战以及在电子、光学和相关器件中使用以下 结构的前景已经激发了对纳米技术的兴趣，尤其是亚微米电子技术，例如 半导体量子点和纳米线。而且纳米制品(nanoscopic article)可能非常适 合于载荷子和激子(例如，电子、电子空穴对、电子对等)的输运，因此 可以用作纳米尺度电子学、光学和其它应用中的结构单元(building blocks)，许多纳米技术和纳米电子学并没有得到很好的itA。因此，本 领域需要涉及纳米尺度器件的新型和改进的制品以及技术。
技术实现思路
本专利技术一般性涉及纳米尺度线和其它纳米结构，包括能够编码数据的那些。在某些情况下，本专利技术的主题涉;M目关产品、具体问题的替代解决方案和/或一个或多个系统和/或制品的多种不同用途。一方面，本专利技术提供一种电子数据存储器件。根据一组实施方案，该 器件包括第一电极、第二电极、限定第一电极和第二电极之间电通路的半 导体材料，以及最接近该半导体材料、可在至少第一极化状态和第4化状态之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子数据存储器件，包括：　　　　第一电极；　　　　第二电极；　　　　限定所述第一电极和所述第二电极之间的电通路的半导体材料；　　　　最接近所述半导体材料、可在至少第一极化状态和第二极化状态之间转换的材料，　　　　其中，所述半导体材料可在分别响应铁电氧化物材料的所述第一或第二极化状态的第一导电态和第二导电态之间转换，在所述第一和第二电极之间分别提供选自第一电导率和为所述第一电导率至少１０００倍的第二电导率中的电导率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-12-6 60/633,7331. 一种电子数据存储器件，包括 第一电极；第二电极；限定所述第一电极和所述第二电极之间的电通路的半导体材料； 最接近所述半导体材料、可在至少第 一极化状态和第二极化状态之间转 换的材料，其中，所述半导体材料可在分别响应铁电氧化物材料的所述笫 一或第二 极化状态的第一导电态和第二导电态之间转换，在所述第一和第二电扭《之 间分别换:供选自第一电导率和为所述第一电导率至少1000倍的第二电导 率中的电导率。2. 根据权利要求l的电子数据存储器件，其中所述最接近所述半导体材料 的材料包括铁电氧化物材料。3. 根据权利要求l的电子数据存储器件，其中所述半导体材料包括第IV 族半导体。4. 根据权利要求l 半导体。5. #^权利要求16. 根据权利要求l 族-第V族半导体。7. 根据权利要求l 掺杂剂。8. 根据权利要求l 掺杂剂。9. 根据权利要求l Ba'10. 根据权利要求1 钛酸钡。11. 根据权利要求1 Zr。的电子数据存储器件，其中所述半导体材料包括元素的电子数据存储器件，其中所述半导体材料包括Si。 的电子数据存储器件，其中所述半导体材料包括第III的电子数据存储器件，其中所述半导体材料包括p型的电子数据存储器件，其中所述半导体材料包括n型的电子数据存储器件，其中所述铁电氧化物材料包括的电子数据存储器件，其中所述铁电氧化物材料包括的电子数据存储器件，其中所述铁电氧化物材料包括12. 根据权利要求l的电子数据存储器件，其中所述铁电氧化物材料包括 钬锆酸铅。13. 根据权利要求l的电子数据存储器件，其中所述铁电氧化物材料包括 Sr。14. 根据权利要求l的电子数据存储器件，其中所述铁电氧化物材料包括 钽酸锶铋。15. 根据权利要求l的电子数据存储器件，其中所述半导体材料包括最小 宽度小于约1微米的至少一个部分。16. 根据权利要求15的电子数据存储器件，其中所述半导体材料包括最小 宽度小于约500纳米的至少一个部分。17. 根据权利要求16的电子数据存储器件，其中所述半导体材料包括最小 宽度小于约200纳米的至少一个部分。18. 根据权利要求17的电子数据存储器件，其中所述半导体材料包括最小 宽度小于约100纳米的至少一个部分。19. 根据权利要求18的电子数据存储器件，其中所述半导体材料包括最小 宽度小于约50纳米的至少一个部分。20. 根据权利要求19的电子数据存储器件，其中所述半导体材料包括最小 宽度小于约30纳米的至少一个部分。21. 根据权利要求20的电子数据存储器件，其中所述半导体材料包括最小 宽度小于约10纳米的至少一个部分。22. 根据权利要求l的电子数据存储器件，其中所述铁电氧化物材料包括 最小宽度小于约1微米的至少一个部分。23. 根据权利要求22的电子数据存储器件，其中所述铁电氧化物材料包括 最小宽度小于约500纳米的至少一个部分。24. 根据权利要求23的电子数据存储器件，其中所述铁电氧化物材料包括 最小宽度小于约200纳米的至少一个部分。25. 根据权利要求24的电子数据存储器件,其中所述铁电氧化物材料包括 最小宽度小于约100纳米的至少一个部分.26. 根据权利要求25的电子数据存储器件，其中所述铁电氧化物材料包括 最小宽度小于约50纳米的至少一个部分。27. 根据权利要求26的电子数据存储器件，其中所述铁电氧化物材料包括 最小宽度小于约30纳米的至少一个部分。28. 根据权利要求27的电子数据存储器件，其中所述铁电氧化物材料包括 最小宽度小于约10纳米的至少一个部分。29. 根据权利要求l的电子数据存储器件，其中所述铁电氧化物材料至少 包围所述半导体材料的至少 一部分。30. 根据权利要求29的电子数据...

【专利技术属性】
技术研发人员：查尔斯M利伯，吴越，闫昊，
申请(专利权)人：哈佛大学，
类型：发明
国别省市：US[美国]