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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有57148项专利
用于制造半导体集成电路器件的方法技术
公开了制造半导体集成电路器件的方法。所述制造半导体集成电路器件的方法包括:在基层上形成硬掩膜层;在第一方向上在硬掩膜层上形成线牺牲硬掩膜层;在线牺牲硬掩膜层图案上涂覆高分子有机材料层;在第二方向上对高分子有机材料层和线牺牲硬掩膜层图案形...
使用电感转换的磁随机存取存储器装置制造方法及图纸
提供一种使用电感转换(CID)方法的磁存储器装置。所述使用CID方法的磁存储器装置包括:下部电极;磁阻结构,在下部电极上形成并包括两个边的宽度变化的自由层;以及上部电极,在磁阻结构上形成。
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法技术
一种薄膜晶体管阵列面板,包括: 基板; 栅线,其形成于所述基板上,每条栅线具有端部; 栅极绝缘层,其形成于所述栅线上; 钝化层,其形成于所述栅线上,所述钝化层具有暴露每个所述栅线的端部的多个第一接触孔;以及 ...
芯片膜封装件和具有该芯片膜封装件的显示面板组件制造技术
本发明提供了一种可以实现细间距的芯片膜封装件和包括该芯片膜封装件的显示面板组件。该芯片膜封装件包括由绝缘材料制造的基膜、形成在基膜上以形成预定电路的布线图、以及形成于布线图一端处以电连接到外部端子的引线,其中引线的毗邻基膜的底部表面的宽...
液晶显示器、其驱动方法、及其制造方法技术
本发明提供一种液晶显示器及其驱动方法和制造方法。该液晶显示器包括显示面板、第一传感器、发光单元、第二传感器和控制器。该第一传感器设置在该显示面板中以检测从外入射的输入光。该第二传感器设置在该显示面板或该发光单元中从而检测从该发光单元产生...
非易失存储器结构及其形成方法技术
本发明提供了一种非易失存储器结构的制造方法和一种非易失存储器结构,该非易失存储器结构包括多个电荷存储图案,其中相邻电荷存储图案之间的电耦合距离(Lc)大于相邻电荷存储图案之间的直接几何距离(Ls)。
形成精细图形的方法技术
在衬底上形成用于形成精细图形的第一、第二和第三层。在第三层上形成具有第一空间的第一掩模图形。形成具有第二空间的第三层图形,第二空间露出第二层。在具有第三层图形的第二层上形成第一牺牲层。在第一牺牲层上形成第四层。使用第二空间中的第二掩模图...
显示面板及其制造方法技术
本发明提供了一种显示面板,该显示面板具有含有凹陷的保护膜。在平面图中,凹陷布置在存储电极上方并对应于存储电极的位置。在平面图中,凹陷的宽度大于存储电极的宽度,像素电极布置在保护膜上。通过存储在像素电极和存储电极中的电荷形成的存储电容器的...
阵列基底及具有该阵列基底的显示装置制造方法及图纸
本发明公开了一种阵列基底及具有该阵列基底的显示装置,该阵列基底包括第一薄膜晶体管(TFT)、第二TFT、第一像素电极、第二像素电极和存储线。第一TFT电连接到栅极线和数据线。第二TFT电连接到栅极线和数据线。第一像素电极电连接到第一TF...
没有栅分隔件应力的半导体器件及其制造方法技术
本发明示例性实施例公开了一种防止栅分隔件应力及对硅化物区的物理和化学损坏的半导体器件及其制造方法,其中,半导体器件包括:基底;隔离区,形成在基底中;栅图案,在基底上形成在隔离区之间;L形分隔件,与栅图案的侧壁相邻,并延伸到基底的表面;源...
采用磁畴壁移动的存储器装置制造方法及图纸
本发明提供了一种采用磁畴壁移动的存储器装置。该存储器装置包括第一轨道、互连层和第二轨道。包含磁材料的第一轨道沿着第一方向形成。互连层形成在第一轨道上。包含磁材料的第二轨道沿着第二方向形成在互连层上。
采用磁畴壁移动的存储器装置制造方法及图纸
本发明提供了一种采用磁畴壁移动的存储器装置。该存储器装置包括写轨道和列结构。写轨道形成了具有预定的磁化方向的磁畴。列结构形成在写轨道上并包括至少一个互连层和至少一个存储轨道。
用于制造柔性显示器的方法和设备技术
本发明公开了一种用于制造柔性显示装置的方法和设备。用于制造柔性显示装置的方法和设备包括支撑构件主体、支架、真空通路和具有塞子的喷嘴。支架设置在支撑构件主体的表面,并且包括多个沟槽。柔性母基底安放在支架上。真空通路穿透支撑构件主体,从而与...
信号传输电路及其形成方法技术
本发明提供一种信号传输电路及其形成方法。该信号传输电路可包括多条信号传输线和基准传输面,所述多条信号传输线的每条配置为通过信号电流传送数据,所述基准传输面配置为传送对应于所述信号电流的返回电流,所述基准传输面通过绝缘层与所述多条信号传输...
衬底支持装置及薄膜晶体管阵列面板的制造方法制造方法及图纸
本发明提供了一种衬底支持装置及薄膜晶体管阵列面板的制造方法,所述衬底支持装置包括:支持所述衬底的基座;形成在所述基座边缘的支持部;和与所述支持部交迭的遮蔽框架。
垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件制造技术
本发明提供了一种半导体器件,其包括:NMOS垂直沟道晶体管,位于衬底上,并包括围绕垂直p沟道区的p+多晶硅栅电极;和PMOS垂直沟道晶体管,位于衬底上,并包括围绕垂直n沟道区的n+多晶硅栅电极。该NMOS和PMOS垂直沟道晶体管任选地在...
堆叠的半导体封装及其制造方法和引线键合监控方法技术
本发明公开了一种堆叠的半导体封装及其制造方法和堆叠的半导体封装的引线键合的监测方法。该半导体封装可包括布线基板。第一半导体芯片可安置在布线基板上且引线键合布线基板。内插芯片可安置在布线基板上且引线键合布线基板。内插芯片可包括导电连接的电...
堆叠半导体封装及其制造方法技术
提供了包括多个半导体芯片的高可靠性、高密度堆叠的半导体封装,和制造所述堆叠半导体封装的方法。所述堆叠半导体封装的实施例包括顺序堆叠的上和下半导体封装。上和下半导体封装包括连接到半导体芯片的内部引线。上半导体封装还可以包括外部引线,其连接...
有机电致发光显示器及制造其的方法技术
本发明提供一种有机电致发光显示器以及制造其的方法,该有机电致发光显示器包括:有机发光二极管;驱动晶体管,其驱动所述有机发光二极管;以及开关晶体管,其控制所述驱动晶体管的操作,其中所述开关晶体管以及所述驱动晶体管的有源层使用具有不同密度的...
包括具有不同相变材料的存储器单元的相变存储器件以及相关方法和系统技术方案
相变存储器件可以包括集成电路衬底以及该集成电路衬底上的第一和第二相变存储元件。第一相变存储元件可以包括具有第一结晶温度的第一相变材料。第二相变存储元件可以包括具有第二结晶温度的第二相变材料。此外,第一和第二结晶温度可以不同,以使得可以在...
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