三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有57153项专利

  • 本发明公开了一种具有增大的开口率的液晶显示器(LCD),该液晶显示器包括绝缘衬底、半导体、栅绝缘层、栅极线、层间绝缘层、数据线、漏电极、钝化层和像素电极。半导体形成在绝缘衬底上并且包括源区、漏区和沟道区。栅极线形成在半导体上的栅绝缘层上...
  • 在阵列基板中,栅极线设置在基底基板上并在第一方向上延伸,数据线与栅极线绝缘并且与其交叉,并在第二方向上延伸。开关部分连接在栅极线和数据线之间。像素电极连接到开关部分并部分地和数据线交叠。像素电极具有开口,在平面图中,开口与数据线分开。
  • 本发明涉及一种显示面板及其制造方法,其中,存储电极形成在第一底基板上,和绝缘层形成在第一底基板上以覆盖存储电极。绝缘层在存储电极正上方处凹入。像素电极面向存储电极并形成在绝缘层上。凸起部分形成在面向第一底基板的第二底基板上。凸起部分朝向...
  • 本发明提供包括其中所有六个环可以稠合在一起的二-噻吩并-苯并-噻吩并-噻吩衍生物的杂并苯化合物、包括该杂并苯化合物的有机薄膜、以及包括作为载流子传输层的该有机薄膜的电子器件。本发明的化合物可以具有紧密平面结构从而实现溶剂溶解性和加工性能...
  • 公开了一种薄膜晶体管基板,包括基板、第一和第二焊垫部分、信号布线和像素阵列。第一焊垫部分包括第一和第二线。第一焊垫部分通过第一和第二线中至少之一接收驱动信号。第二焊垫部分包括从第一线延伸的第三线和从第二线延伸的第四线。第二焊垫部分通过第...
  • 本发明提供了一种ZnO型二极管及其形成方法。该ZnO型二极管可包括彼此分开的第一电极和第二电极、以及位于该第一电极和第二电极之间的由M↓[X]In↓[1-X]ZnO(所述M为第Ⅲ族金属)形成的有源层。该第一电极的功函数可低于该有源层的功...
  • 液晶显示(“LCD”)设备包括第一薄膜晶体管(“TFT”),该第一薄膜晶体管向第一像素电极施加由第一数据线提供的高灰度级数据信号;第一存储电容器,其上电极通过第一接触孔连接到第一像素电极,并直接连接到第一TFT,存储高灰度级数据信号;第...
  • 一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶-凝胶操作的反应基团的化合物,引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的,从而表现出优异的机械性能和热...
  • 本发明披露了一种形成有机层图案的方法、由该方法制备的有机层图案和包括该图案的有机存储装置,所述方法的特征在于通过将包括聚酰亚胺类聚合物、光引发剂和交联剂的涂敷液涂敷在基底上并干燥该基底而形成薄层,并对所述薄层进行曝光和显影,所述聚酰亚胺...
  • 本发明提供了一种图案模板及其制造方法,该图案模板包括柔性基底、形成在柔性基底上并包括图案的模板模子和对准标记,对准标记的折射率大于模板模子的折射率。通过提供包括图案区的主模板、在图案区涂覆用于模子的树脂、通过在用于模子的树脂上安装柔性板...
  • 本发明披露了组合物、包含该组合物的有机有源层、包括该有机有源层的有机存储装置以及制造该有机存储装置的方法,所述组合物包括至少一种有机金属铱化合物和导电聚合物的混合物。所述有机存储装置可包括第一电极、第二电极以及位于第一和第二电极之间的有...
  • 本发明提供一种半导体器件,该半导体器件包括基板、设置于基板上的电极焊盘、设置于电极焊盘上的外部端子、从电极焊盘延伸入外部端子中的容器以及置于容器内部的导电液体。导电液体当暴露于空气时固化。当外部端子中形成裂纹时,该容器抑制裂纹的传播。而...
  • 本发明提供了一种高度集成的非易失性存储器装置和一种操作该非易失性存储器装置的方法。该非易失性存储器装置包括半导体层。多个上控制栅电极布置在半导体层的上方。多个下控制栅电极布置在半导体层的下方,多个上控制栅电极和多个下控制栅电极交替地设置...
  • 一种半导体封装上封装包括下部封装、叠置在所述下部封装上的上部封装、结合至所述下部封装的上部和所述上部封装的下部中的任何一者的插头线以及结合至所述下部封装的上部和所述上部封装的下部中的任何一者的插座线。将所述插头线插入到所述插座线内,从而...
  • 一种显示设备,包括:    显示基板,该显示基板包括:    底部基板;    位于该底部基板上且基本上被外围区域围绕的显示区域;    位于该底部基板上沿第一方向延伸的多条栅线,    位于该栅线上的栅极绝缘层;以及    位于该栅极...
  • 本发明提供了一种信息存储装置及该信息存储装置的制造方法。该信息存储装置包括磁层和供应单元。所述磁层包括多个区:具有第一磁各向异性能的第一区和具有第二磁各向异性能的第二区。所述第一区和所述第二区被交替布置,并且所述第二区被掺杂杂质离子。所...
  • 一种利用磁畴壁的移动的信息存储装置,该装置包括具有磁畴壁的写磁层。在该写磁层上形成叠置结构。所述叠置结构包括依次叠置的连接磁层和信息存储磁层。信息存储装置还包括用于读取存储在信息存储磁层中的信息的读取器。
  • 提供了一种非易失性存储装置及其操作方法,增加了操作可靠性并便于增强集成。该非易失性存储装置可包括半导体基底和可被设置在所述半导体基底上的至少一个电荷存储层。至少一个控制栅电极可被设置在所述至少一个电荷存储层上。至少一个第一辅助栅电极可被...
  • 本发明公开了一种显示基板,包括:栅极线、栅极绝缘层、数据线、薄膜晶体管(TFT)、存储线、钝化层、滤色片层、像素电极、第一阻光层以及第二阻光层。存储线包含与栅极线相同的材料。钝化层覆盖数据线。滤色片层形成于钝化层上。像素电极形成于每个像...
  • 本发明涉及一种利用磁畴壁移动的信息存储装置和制造该装置的方法。所述信息存储装置包括:写入磁层,包含磁畴壁;信息存储磁层,连接到写入磁层,并包含至少一个磁畴壁。该信息存储磁层装置还包括用于读取记录在该信息存储磁层中的数据的读取器。连接层包...