薄膜晶体管阵列面板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列面板包括：绝缘基板，形成于基板上的多个栅极线，多个数据线和绝缘层。每个栅极线包括多个栅电极。数据线与栅极线交叉且其间绝缘。每个数据线包括多个源电极。多个漏电极面对源电极。绝缘层形成于栅极线、数据线和漏电极上。多个像素电极形成于绝缘层上并连接至漏电极。绝缘层具有开口或沟槽，开口和沟槽布置于绝缘层的没有被像素电极覆盖的部分中。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板，更具体地涉及一种用于 液晶显示器(LCD)的薄膜晶体管阵列面板。
技术介绍
LCD是一种最常用的平板显示器。LCD包括提供有场发生电极的两个 面板和布置于两个面板之间的液晶(LC)层。场发生电极包括多个像素电极 和公共电极。电压施加到场发生电极上以在LC层中产生电场。电场决定LC 层中的LC分子的配向以调节LC层中的入射光的偏振。具有调节的偏振的 入射光由偏振膜栏截或允许通过偏振膜，从而显示图像。根据LCD使用的光源，可以将LCD分类为透射的或反射的。透射LCD 的光源是背光。反射LCD的光源是外部光。反射型LCD可以实施于小或中 尺寸的显示装置中。半透射LCD根据环境而使用背光和外部光作为光源，并也可以实施于 小或中尺寸的显示装置中。然而，在LCD中显示区域的边缘附近LC分子以无序的方式排列，因此 在显示的图像中引起向错(disclination)。向错可以通过增加LCD中光阻挡 层(light blocking layer)的宽度得到改善，但是这也减少了 LCD中像素的 开口率(开口率)。因此，需要一种能减少向错而不降低LCD中像素的开口率 的LCD。
技术实现思路
在本专利技术的示范性实施例中，提供了薄膜晶体管阵列面板。薄膜晶体管 阵列面板包括绝缘基板，形成于基板上的多个栅极线，多个数据线，和绝 缘层。每个栅极线包括多个栅电极。数据线与栅极线交叉且它们之间绝缘。 每个数据线包括多个源电极。多个漏电极面对源电极。绝缘层形成于栅极线、 数据线和漏电极上。多个像素电极形成于绝缘层上并连接至漏电极。绝缘层在没有被像素电极覆盖的位置处具有布置于绝缘层内的开口或沟槽。绝缘层可以由有机绝缘材料制成。薄膜晶体管阵列面板还包括布置于相 邻的像素电极之间并与开口或沟槽重叠的光阻挡层。光阻挡层可以由与栅极 线相同的层制成而没有与栅极线重叠。光阻挡层可与数据线重叠。薄膜晶体 管阵列面板还包括形成于绝缘层下面并覆盖栅极线、数据线和漏电极的钝化 层。钝化层和绝缘层具有多个接触孔以连接像素电极至漏电极。像素电极可 以包括由透明导电材料制成的透明电极和由反射材料制成的反射电极。绝缘层可以有凹凸(embossed)表面。每个像素电极可以包括由透明电极占据的 第 一 区域和由透明电极和反射电极占据的第二区域。根据本专利技术的示范性实施例，提供了制造TFT阵列面板的方法。该方法 包括以下步骤在绝缘基板上形成第一导电层并从导电层构图栅极线；在第 一导电层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成本征层；在本征层上形成 非本征层；在非本征层上形成第二导电层并从第二导电层构图数据线；在第 二导电层上形成绝缘层；在绝缘层上形成像素电极；以及通过除去没有被像 素电极覆盖的绝缘层的部分形成沟槽。该方法可包括在形成所述绝缘层之前在所述第二导电层上形成钝化 层，在相邻的像素电极之间形成光阻挡层并与沟槽重叠的步骤，从第一导电 层构图栅电极和存储电极的步骤，从非本征层构图非本征半导体条和从本征 层构图本征半导体条的步骤，从第二导电层构图源电极和漏电极的步骤，或 在绝缘层上凹凸压印图案的步骤。附图说明图1是根据本专利技术的示范性实施例的LCD的布局图。图2，图3和图4是图1所示的LCD沿线II陽II， Ill-Ill和IV-IV的剖面图。图5是根据本专利技术的示范性实施例用于LCD的薄膜晶体管阵列面板的 布局图。图6是图5中所示的薄膜晶体管阵列面板沿线VI-VI的剖面图。 图7,图9和图11和图13是根据本专利技术的示范性实施例图5和图6中 所示的TFT阵列面板在其制造方法的步骤中的布局图。图8是图7中所示的TFT阵列面板沿线VIII-VIII的剖面图。图IO是图9中所示的TFT阵列面板沿线X-X的剖面图。 图12是图11中所示的TFT阵列面板沿线XII-XII的剖面图。 图14是图13中所示的TFT阵列面板沿线XIV-XIV的剖面图。 图15是在绝缘层上添加像素电极之后图13中所示的TFT阵列面板沿线 XIV-XIV的剖面图。图16是示出在常规LCD中产生的漏光的图。图17是示出根据本专利技术的示例实施例的LCD中产生的漏光的图。具体实施方式此后，将参考附图描述本专利技术的示范性实施例。然而，此专利技术可以以不 同的方式体现并不应解释为限制于这里阐述的实施例。在附图中，层的厚度和区域为清楚而被夸大。所有相同的附图标记代表 相同的元件。应该了解比如层、膜、区域、基板或面板的元件被称为在另一 个元件上时，它可以是直接在另一个元件上或存在插入元件。图1是根据本专利技术的示范性实施例的LCD的布局图，图2、图3和图4 是图1所示的LCD沿线II隱II、 Ill-Ill和IV-IV的剖面图。LCD包括薄膜晶体管(TFT)阵列面板100、面对TFT阵列面板100的 公共电极面板200和介入两个面板100和200之间的液晶层3。LC层3具有 正介电各向异性。两个面板100和200还包括沿水平和彼此反平行方向配向 的上和下配向层(arrangement layer)(没有示出)，使得LC层3受到水平和和200的表面基本水平。LCD可以是电控双折射(ECB， Electrically Controlled Birefringence )模 式显示器，且可以常白模式(normally white mode)驱动，其中在没有电场 时LCD显示白色并具有最大的透射率。多个栅极线121、多个存储电极线131和多个光阻挡层122形成于绝缘 基板110上，绝缘基板110由诸如透明玻璃或塑料的材料制成。参考图1，栅极线121传输栅极信号并基本在横向延伸。每个栅极线121 包括从其向上突出的多个栅电极124和具有与另一层或外部驱动电路接触的 区域的端部129。产生栅极信号的栅极驱动电路(没有示出)可以安装在柔 性印刷电路(FPC)膜(没有示出)上，柔性印刷电路(FPC)膜可附着在6基板110上、直接安装在基板IIO或与基板110集成。栅极线121可以延伸 以连接至与基板110集成的驱动电路。存储电极线131提供有预定电压，例如施加到公共电极面板200的公共 电极270的公共电压，并基本平行于栅极线121延伸。每个存储电极线131 布置于两个相邻的栅极线121之间并靠近于两个栅极线121中下面的一条。 每个存储电极线131包括从其向上和向下突出的存储电极133，如图l所示。 然而> 存储电极线131可以具有各种形状和布置。参考图1，光阻挡层122基本在垂直方向延伸，没有与栅极线121和存 储电极线131重叠。光阻挡层122彼此平行且每个光阻挡层122布置于相邻 的栅极线121和存储电极线131之间。 '栅极线121、存储电极线131和光阻档层122可以由A1、 Ag、 Cu、 Mo、 Cr、 Ta、 Ti或它们的合金制成。栅极线121、存储电极线131和光阻挡层122 可以具有包括具有不同的物理特性的两导电膜(没有示出)的多层结构。在 本专利技术的示范性实施例中，两个导电膜中的一个优选地由低电阻金属制成， 包括例如A1、 Ag、 Cu或它们的合金以减少信号延迟或电压降低。另一个导 电膜可以由诸如Mo、 Cr、 Ta、 Ti或它们的合金的与其它材料例如铟锡氧化 物(ITO)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；多个栅极线，形成于所述基板上，其中每个所述栅极线包括多个栅电极；多个数据线，交叉所述栅极线且与所述栅极线之间绝缘，其中每个所述数据线包括多个源电极；多个漏电极，面对所述源电极；绝缘层，形成于所 述栅极线、数据线和漏电极上；以及　多个像素电极，形成于所述绝缘层上并连接至所述漏电极，其中所述绝缘层具有开口或沟槽，且所述开口或沟槽设置在所述绝缘层的没有被所述像素电极覆盖的部分中。

【技术特征摘要】
KR 2007-1-16 4634/071.一种薄膜晶体管阵列面板，包括绝缘基板；多个栅极线，形成于所述基板上，其中每个所述栅极线包括多个栅电极；多个数据线，交叉所述栅极线且与所述栅极线之间绝缘，其中每个所述数据线包括多个源电极；多个漏电极，面对所述源电极；绝缘层，形成于所述栅极线、数据线和漏电极上；以及多个像素电极，形成于所述绝缘层上并连接至所述漏电极，其中所述绝缘层具有开口或沟槽，且所述开口或沟槽设置在所述绝缘层的没有被所述像素电极覆盖的部分中。2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述绝缘层由有机绝 缘材料制成。3. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括设置在相邻的像素 电极之间并与所述开口或沟槽重叠的光阻挡层。4. 如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述光阻挡层由与所 述栅极线相同的层制成而不与所述栅极线重叠。5. 如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述光阻挡层与所述 数据线重叠。6. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括形成于所述绝缘层 下面并覆盖所述栅极线、数据线和漏电极的钝化层。7. 如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述钝化层和所述绝 缘层具有多个接触孔从而连接所述像素电极至所述漏电极。'8. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述像素电极包括由 透明导电材料制成的透明电极和由反射材料制成的反射电极。9. 如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述绝缘层具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵容奭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]