液晶显示面板及薄膜晶体管基板的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种液晶显示面板及薄膜晶体管基板的制造方法。该液晶显示面板包括：第一基板；布置在第一基板上并且彼此交叉的多条栅极线和多条数据线；布置在第一基板上的像素电极图案；布置在第一基板上的存储图案，存储图案设置于连续的栅极线之间并且基本上与栅极线平行；第二基板；布置在第二基板上并且与像素电极交替布置的公共电极；以及设置于第一和第二基板之间的液晶层。根据本发明专利技术，防止了光泄漏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示(LCD)面板及薄膜晶体管基板的制造方法， 并且更具体地，涉及一种可以防止光泄漏和紋理(texture )生成的LCD面板 及该LCD面板的薄膜晶体管基板的制造方法。
技术介绍
液晶显示(LCD)装置根据视频信号通过控制各个液晶单元的光透射率 来显示图像，液晶单元以矩阵形式布置在LCD面板上。为了获得宽视角， LCD装置可以使用，例如，图案化垂直取向(PVA)模式，面内转换(in-plane switching, IPS)才莫式，或面到线转换(plane-to-line switching, PLS )才莫式。在PVA模式中，多个狭缝形成在上基板和下基板的公共电极和像素电 极上，并且位于基板之间的液晶分子，由狭缝产生的边缘电场相对于狭缝对 称地驱动，从而形成多畴(multi-domain)结构。在IPS模式中，液晶由平行地布置于下基板上的像素电极和公共电极之 间产生的水平电场来驱动。在IPS模式中，电极形成在一个基板上从而使得 液晶分子在相同基板的平面内旋转，结果，液晶层的光轴相对于基板旋转。在PLS模式中，公共电极和像素电极设置在每个像素区域且绝缘层夹置 在它们之间以形成边缘电场，从而使填充在上基板和下基板之间的所有的液 晶分子在各自的像素区域中被操作。然而，在IPS和PLS模式中，因为电场由形成在一个基板上的电极产生， 所以生成残留图像并且光透射率降低。此外，在PVA模式中，开口率(aperture ratio )低。作为IPS， PLS和PVA的替代，已经提出了双场转换(dual field switching, DFS)模式。在DFS模式中，液晶相对于上基板和下基板的电图案(electric pattern)之间产生的电场水平地或垂直地取向。DFS模式通过使用上基板和 下基板上图案化的像素电极和公共电极之间生成的边缘电场来改进侧向可 见度(side visibility )和光透射率。然而，在釆用DFS模式的LCD装置中，通过像素电极和存储电极形成 了台阶高度，该台阶高度导致光泄漏。另外，黑亮度(black brightness)由 光泄露而增加，从而导致存储电容的电容量减小。此外，因为很难控制液晶 布置在像素电极和漏极电极连接的位置，所以会产生不希望的紋理。因此，存在对能够防止光泄漏和紋理生成的LCD面板的需要。
技术实现思路
在本专利技术的示范性实施例中，液晶显示(LCD)面板包括第一基板； 布置在第一基板上并且彼此交叉的多条栅极线和多条数据线；布置在第一基 板上的像素电极图案，该像素电极图案包括彼此平行布置的第一电极连接 部分和第二电极连接部分，布置在第一电极连接部分和第二电极连接部分之间的第 一线性像素电极和第二线性像素电极，布置在第 一线性像素电极和第 二线性像素电极之间的中央电极，以及连接至中央电极的中央部分，其中第 一线性像素电极和第二线性像素电极相对于栅极线彼此向不同的方向倾斜， 并且中央电极基本上形成三角形；布置在第一基板上的存储图案，存储图案 设置于连续的栅极线之间并且基本平行于栅极线，其中存储图案为存储电容 的下电极；第二基板；设置在第二基板上并且与像素电极交替布置的公共电 极；以及设置于第一和第二基板之间的液晶层。存储图案包括形成在分别相应于第一电极连接部分和第二电极连接部 分的位置上的第一存储电极和第二存储电极，形成在相应于像素电极图案的 中央部分的位置并且连接到第 一存储电极和第二存储电极的存储线。存储图案包括形成在分别相应于第一电极连接部分和第二电极连接部 分的位置上的第 一存储电极和第二存储电极，形成在第 一存储电极和存储线 之间交点上的中央存储电极，其中中央存储电极形成为线性形状。中央存储电极基本上形成为四边形。中央存储电极基本上形成为矩形。中央存储电极形成为距离中央电极大约4jim。中央存储电极基本上形成为三角形。第 一存储电极和第二存储电极形成为具有与第一电极连接部分和第二 电极连接部分基本相同的宽度或比第一电极连接部分和第二电极连接部分 更宽的宽度。第一线性像素电极和第二线性像素电极相对于像素电极图案的中央部 分倾斜地形成。像素电极图案形成为与TFT重叠，并且包括连接至第 一电极连接部分和第二电极连接部分的紋理防止部分。紋理防止部分基本上形成为三角形，其中该紋理防止部分的一侧形成为 平行于第二线性^象素电极，并且该紋理防止部分的另一侧形成为平行于栅极线。紋理防止部分连接至TFT。存储线由与栅极线相同的材料形成。存储线与栅极线形成在相同的平面上。像素电极图案由透明导电材料形成。第二基板包括透射区域和阻挡区域，设置于该阻挡区域中的黑矩阵，以 及设置于该透射区域中的滤色器。设置多个第 一线性像素电极并且该多个第 一线性像素电极以规则的间 隔隔开，以及设置多个第二线性像素电极并且该多个第二线性像素电极以规 则的间隔隔开。在本专利技术示范性实施例中， 一种制造液晶显示(LCD)面板中的薄膜晶 体管(TFT)基板的方法，包括在基板上形成包括栅极线、栅极电极和存 储图案的栅极金属图案；在栅极金属图案上形成栅极绝缘层，并且在栅极绝 缘层上形成包括有源层(activation layer)和欧姆接触层的半导体图案；在半 导体图案和栅极绝缘层上形成包括数据线、源极电极和漏极电极的数据金属 图案，并且去除源极电极和漏极电极之间的欧姆接触层来暴露有源层；在数 据金属图案和栅极绝缘层上形成钝化层，并且在该钝化层中形成接触孔以暴 露漏极电极；在该钝化层上形成像素电极图案，该像素电极图案包括经由接 触孔连接至漏极电极的紋理防止部分。附图说明本专利技术的上述和其它特征将通过参照附图详细描述示范性实施例而变 得更加显而易见，其中图1为展示根据本专利技术的示范性实施例的液晶显示(LCD)面板的平面图；图2A为图1所示的LCD面板沿着线I-I，剖取的截面图。 图2B为图1所示的LCD面板沿着线II-n，剖取的截面图。 图3为展示根据本专利技术示范性实施例的图1所示的LCD面板的像素电 极图案的平面图4A为展示根据本专利技术示范性实施例的图1所示的LCD面板的存储图 案的平面图4B为图3所示的像素电极图案和图4A所示的存储图案的平面电极图案的平面图5B为展示根据本专利技术的示范性实施例的LCD面板的存储图案和像素 电才及图案的平面图；；' '' '' ''图6B为展示图3所示的像素电极图案和图6A所示的存储图案的平面图7A为展示根据本专利技术的示范性实施例的LCD面板的存储图案的平面图7B为展示图3所示的像素电极图案和图7A所示的存储图案的平面图8为图解当电压没有施加到根据本专利技术的示范性实施例的图l所示的 LCD面板时液晶的取向的平面图9为图解当电压施加到根据本专利技术的示范性实施例的图1所示的LCD 面板时液晶的取向的平面图IO为平面图，而图IIA和IIB分别为图io沿着线i-r和n-ir的截面 图，图10、图IIA和11B图解了才艮据本专利技术的示范性实施例的LCD面板中 薄膜晶体管(TFT)基板的制造方法的第一掩模工艺；图12为平面图，而图13A和DB分别为图12沿着线i-r和n-n，的截面图，图12、图13A和13B图解了根据本专利技术的示范性实施例的LCD面板中 TFT基板的制造方法的第二掩模本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示面板，包括：第一基板；布置在所述第一基板上并且彼此交叉的多条栅极线和多条数据线；布置在所述第一基板上的像素电极图案，所述像素电极图案包括：彼此平行地布置的第一电极连接部分和第二电极连接部分，　 　布置在所述第一电极连接部分和所述第二电极连接部分之间的第一线性像素电极和第二线性像素电极，布置在所述第一线性像素电极和所述第二线性像素电极之间的中央电极，以及连接至所述中央电极的中央部分，其中所述第一线性像素电极和所述第二 线性像素电极相对于所述栅极线以彼此向不同的方向倾斜，并且所述中央电极基本上形成为三角形；布置在所述第一基板上的存储图案，所述存储图案设置于连续的栅极线之间并且基本上与所述栅极线平行，其中所述存储图案为存储电容的下电极；　 　第二基板；布置在所述第二基板上并且与所述像素电极交替设置的公共电极；以及设置于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层。

【技术特征摘要】
KR 2007-1-29 9021/071、一种液晶显示面板，包括第一基板；布置在所述第一基板上并且彼此交叉的多条栅极线和多条数据线；布置在所述第一基板上的像素电极图案，所述像素电极图案包括彼此平行地布置的第一电极连接部分和第二电极连接部分，布置在所述第一电极连接部分和所述第二电极连接部分之间的第一线性像素电极和第二线性像素电极，布置在所述第一线性像素电极和所述第二线性像素电极之间的中央电极，以及连接至所述中央电极的中央部分，其中所述第一线性像素电极和所述第二线性像素电极相对于所述栅极线以彼此向不同的方向倾斜，并且所述中央电极基本上形成为三角形；布置在所述第一基板上的存储图案，所述存储图案设置于连续的栅极线之间并且基本上与所述栅极线平行，其中所述存储图案为存储电容的下电极；第二基板；布置在所述第二基板上并且与所述像素电极交替设置的公共电极；以及设置于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层。2、 如权利要求1所述的液晶显示面板，其中所述存储图案包括 分别形成在对应于所述第一电极连接部分和所述第二电极连接部分的位置上的第一存储电极和第二存储电极；以及形成在对应于所述像素电极图案的中央部分的位置并且连接到所述第 一存储电极和所述第二存储电极的存储线。3、 如权利要求1所述的液晶显示面板，其中所述存储图案包括 分别形成在对应于所述第一电极连接部分和所述第二电极连接部分的位置上的第一存储电极和第二存储电极；以及其中所述中央存储电极形成为线形。4、 如权利要求2所述的液晶显示面板，其中所述中央存储电极基本上形成为四边形。5、 如权利要求2所述的液晶显示面板，其中所述中央存储电极基本上形成为矩形。6、 如权利要求2所述的液晶显示面板，其中所述中央存储电极形成为 距离所述中央电才及大约4 (am。7、 如权利要求6所述的液晶显示面板，其中所述中央存储电极基本上 形成为三角形。8、 如权利要求2所述的液晶显示面板，其中所述第一存储电极和所述 第二存储电极形成为具有与所述第一电极连接部分和所述第二电极连接部 分基本上相等的宽度或比所述第一电极连接部分和所述第二电极连接部分 更宽的宽度。9、 如权利要求3所述的液晶显示面板，其中所述第一存储电极和所述 第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李赫珍，金熙燮，罗柄善，陆建钢，禹和成，权知炫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]