描述一种转换元件(100)。转换元件(100)包括：转换层(16)，所述转换层包括转换波长的转换材料；在转换层的第一主面(20)上的第一封装层(30)，其中第一封装层具有在10μm和500μm之间的厚度；和在转换层的第二主面(22)上的...

提供了一种用于制造多个半导体组件的方法，其中在衬底上施加具有第一半导体层、第二半导体层和有源区的半导体层序列。形成用于电接触第一半导体层和第二半导体层的接触结构。半导体层序列通过形成使半导体本体分离的至少一个沟槽而结构化成多个半导体本体...

提出一种用于制造多个半导体芯片(10)的方法。提供具有载体(4)、半导体层序列(2)和功能层(3)的复合件(1)。功能层(3)借助于相干辐射沿着分割图案(15)切断。分离沟槽(45)在载体(4)中沿着分割图案(15)构成。对功能层(3)...

提供了用于制造多个半导体组件的方法，其中在衬底上施加具有第一半导体层、第二半导体层和有源区的半导体层序列。形成用于电接触第一和第二半导体层的接触结构。在半导体层序列上施加辅助衬底，使得半导体层序列布置在辅助衬底与衬底之间。在随后的步骤中...

提出一种光电子装置(1)，其具有半导体芯片(2)，所述半导体芯片具有设为用于产生辐射的有源区域，其中‑沿放射方向(21)在半导体芯片下游设置有辐射转换元件(3)；‑辐射转换元件具有多个转换体(4)，所述转换体分别具有对称轴线(40)；‑...

在方法的至少一个实施形式中，所述方法设计成用于制造光电子半导体芯片（10），尤其是发光二极管。该方法至少包括下述步骤：提供硅生长衬底（1）；借助于溅镀在生长衬底（1）上生成III族氮化物缓冲层（3），和在缓冲层（3）上方生长具有有源层（...

本发明提出一种具有半导体本体（2）的光电半导体芯片（1），所述半导体本体具有带有设为用于产生电能的有源区域（20）的半导体层序列。有源区域（20）构成在第一导电类型的第一半导体层（21）和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层（...

本发明涉及一种带有支承体(2)的电子装置(1)，在所述支承体(2)上设置有至少一个连接面(6)。至少一个电子器件(3a，3b，3c)借助于接触材料(4)固定在连接面(6)上。遮盖面(5)包围在支承体(2)上的连接面(6)。至少一个被覆盖...

提出一种器件，所述器件具有半导体本体(2)、第一金属层(3)和第二金属层(4)，其中所述第一金属层设置在所述半导体本体和所述第二金属层之间。所述半导体本体具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和有源层(23)。所述器件具有穿通接...

提出一种光电子半导体器件(1)，其具有：发射区域(3)，所述发射区域具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的设为用于产生辐射的有源区域(20)；保护二...

提出一种具有在衬底(1)上的、由氮化合物半导体材料制成的半导体层序列(2)的半导体器件，其中衬底(1)具有朝向半导体层序列(2)的硅表面，并且半导体层序列(2)具有有源区域(21)并且在衬底(1)和有源区域(21)之间具有由氧掺杂的Al...

提出一种半导体器件(1)，所述半导体器件具有至少一个光电子半导体芯片(2)和带有连接面(53)的连接载体(5)，半导体芯片(2)设置在所述连接面上。在连接载体(5)上构成反射层(4)和限界结构(3)，其中所述限界结构(3)在横向方向上至...

本发明涉及光电子器件和用于制造光电子器件的方法。该光电子器件(100)具有：衬底(102)，在所述衬底(102)上设置的半导体芯片(104)，设置在所述衬底(102)上的能润湿的吸引子元件(106a，106b，106c，106d)，和具...

提出一种用于对层序列进行结构化的方法以及一种半导体激光器设备。在该方法中，通过两个等离子刻蚀方法在层序列(10)中产生至少一个沟槽(4)。半导体激光器设备包括：层序列(10)，所述层序列借助半导体材料形成；和层序列(10)中的两个沟槽(...

本发明涉及一种光电子组件，所述光电子组件包括：‑电路板；‑设置在电路板的表面上的光源；‑所述光源具有由至少一个发光二极管形成的至少一个发光面，其中‑发光二极管与电路板电连接，其中‑借助于囊封料至少部分地塑封发光二极管。本发明还涉及一种用...

提出一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括至少一个n掺杂的半导体层(3)、至少一个p掺杂的半导体层(5)和设置在至少一个n掺杂的半导体层(3)和至少一个p掺杂的半导体层(5)之间的有源层(4)，其中p掺杂的半导体层(5)...

光电子半导体组件(1)包括具有载体上侧(23)和载体下侧(24)的载体(2)。多个发射光的半导体芯片(3)安置在载体上侧(23)上。至少两个电接触面(4)处于载体下侧(24)上。载体(2)具有金属芯(25)，其中金属芯(25)共计占载体...

具有高显色性的转换LED具有发光材料混合物，该发光材料混合物具有LuAGaG类型的第一发光材料和煅烧产物类型的第二发光材料。因此实现了用于暖白色色温的极其高的显色性。

提出一种发射光的半导体器件，其具有：第一半导体本体(1)，所述第一半导体本体包括有源区(11)，在发射光的半导体器件工作时在所述有源区中产生电磁辐射，所述电磁辐射至少部分地穿过辐射出射面(1a)而离开第一半导体本体(1)；以及第二半导体...

本发明提出一种光电子的半导体模块(10)，所述光电子的半导体模块包括多个在运行时发射光的区域(1)，其中至少一个发射光的区域(1)的至少两条彼此相交的侧边(11a，11b)以大于0°且小于90°的角(α)彼此设置。此外本发明还提出一种具...