提出一种发射辐射的光电子半导体组件，其具有：辐射透射面(S)，在半导体组件运行中产生的光(R)穿过所述辐射透射面；第一阻挡层(1)，所述第一阻挡层设置在辐射透射面(S)的上侧上并且在那里至少局部地与辐射透射面(S)直接接触；转换元件(3...

提出一种器件，所述器件具有半导体本体(2)、第一金属层(3)和第二金属层(4)，其中‑第一金属层设置在半导体本体和第二金属层之间，‑半导体本体具有在背离第一金属层的一侧上的第一半导体层(21)、在朝向第一金属层的一侧上的第二半导体层(2...

提出一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括：‑p型半导体区域(4)，‑n型半导体区域(6)，‑在p型半导体区域(4)和n型半导体区域(6)之间设置的有源层(5)，所述有源层构成为多量子阱结构(51，52)，其中‑多量子阱...

提出一种光电子半导体组件(100)，所述光电子半导体组件具有半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有主侧(10)，其中主侧(10)包括多个并排设置的发射区(11)。发射区(11)能够单独地且彼此独立地控制并且经由所述发射区在运行时分别从半导...

在至少一个实施形式中，光电子半导体芯片(1)具有用于产生电磁辐射的半导体层序列(2)以及银镜(3)。银镜(3)设置在半导体层序列(2)上。银镜(3)的银添加有氧。氧在银镜(3)中的重量份额优选至少为10

提出一种光电子半导体器件(1)，所述光电子半导体器件具有半导体本体(2)，所述半导体本体具有半导体层序列、第一半导体层(21)和第二半导体层(22)，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区(20)，其中‑有源区设置在第一半导体层和...

提出一种用于制造多个光电子半导体器件(100)的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供多个设置用于产生电磁辐射的半导体芯片(4)，b)将多个半导体芯片(4)设置在一个平面中；c)构成壳体本体复合件(8)，所述壳体本体复合件至少局部地设置在...

在至少一个实施方式中，光电子半导体芯片(100)包括半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有上侧(2)、与上侧(2)相对置的下侧(3)和用于产生第一波长(10)的电磁辐射的有源层(11)，其中半导体芯片(100)不具有用于半导体层序列(...

光电子半导体构件(1)包括至少四个不同的光源(11，12，13，14)，所述光源各具有一个光电子半导体芯片(10)。在运行时，光源(11，12，13，14)发射具有在CIE标准比色图表中彼此不同的色坐标(A，B，C，D)的辐射。所述色坐...

在至少一个实施形式中提出用于光电子半导体芯片（10）的半导体层序列（1）。半导体层序列（1）包含至少三个量子阱（2），所述量子阱设计成用于产生电磁辐射。此外，半导体层序列（1）包括多个势垒层（3），所述势垒层中的至少一个分别设置在两个相...

提出一种电子设备，所述电子设备具有第一器件(1)和第二器件(2)，所述第一器件和所述第二器件借助具有第一金属的烧结层(3)彼此连接，其中所述器件(1，2)中的至少一个器件具有至少一个接触层(4，4’)，所述接触层以与所述烧结层(3)直接...

在方法的至少一个实施形式中，所述方法设立为用于制造光电子半导体芯片（10）、尤其是发光二极管。所述方法包括下述步骤：提供生长衬底（1）；借助于溅镀在生长衬底（1）上生成III族氮化物成核层（3）；以及在成核层（3）上或在成核层（3）上方...

本发明涉及一种光电子构件(101)，所述光电子构件包括：‑载体(103)，‑在载体(103)上形成的光源(505)，‑所述光源具有至少一个由一个或多个发光二极管形成的发光面(203)，其中‑在发光面(203)上设置有至少部分透明的薄板(...

提出一种可表面安装的半导体器件，所述半导体器件具有光电子半导体芯片(10)、多个第一接触元件(31)、多个第二接触元件(32)，和成型体(40)。根据本发明提出：多个第一接触元件(31)与光电子半导体芯片(10)的第一半导体层(21)导...

一种用于制造横向结构化的层、尤其发光材料小板(1)的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供载体(2)，所述载体具有在载体上侧(20)上的第一导电层(21)，‑将绝缘层(23)施加到第一导电层(21)上并且将第二导电层(22)施加到绝缘层(2...

提出一种半导体器件(1)，所述半导体器件具有：‑半导体芯片(2)，所述半导体芯片具有设置用于产生辐射的有源区域(20)；‑辐射出射面(10)，所述辐射出射面平行于有源区域伸展；‑成形体(4)，所述成形体局部地模制到半导体芯片上，并且所述...

一种具有半导体本体(2)和载体(5)的发射辐射的半导体芯片(1)，所述半导体本体具有半导体层序列(200)、第一传导类型的第一半导体层(21)和与第一传导类型不同的第二传导类型的第二半导体层(22)，其中所述半导体层序列具有设置用于产生...

本发明涉及光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法。该光电半导体芯片(100)具有：第一半导体层序列(1)，所述第一半导体层序列包括多个V形缺陷(11)；和第二半导体层序列(2)，所述第二半导体层序列包括有源区(12)，其中所述第一...

波长转换元件、包括波长转换元件的发光半导体部件以及用于制作波长转换元件和包括波长转换元件的发光半导体部件的方法。详细说明了波长转换元件(10)，波长转换元件(10)包括陶瓷格栅材料(1)，陶瓷格栅材料(1)形成具有多个开口(3)的格栅(...

描述了包含材料Ca(Al12‑x‑y‑zMgxGey)O19:(zMn4+)的磷光体，其中0<x、y、z<1。另外，描述了包含所述磷光体的发光装置和制造所述磷光体的方法。