提出一种用于制造氮化物半导体器件(100)的方法，所述方法包括如下步骤：‑提供具有生长表面(10)的生长衬底(1)，所述生长表面通过平坦面(11)形成，所述平坦面具有在所述平坦面(11)上的多个三维成形的表面结构(12)，‑在生长表面(...

本发明涉及一种具有至少一个金属表面(1)的光电子器件(100)，所述光电子器件包括：被接触的光电子半导体芯片(2)，所述光电子半导体芯片设计用于发射辐射；保护层(5)，所述保护层设置在至少一个金属表面(1)上，其中保护层(5)包括由至少...

光电子器件(100)具有半导体芯片(1)，所述半导体芯片划分成多个沿横向方向彼此并排设置的、可单独且独立操控的像点(10)。器件(100)还包括金属的连接元件(2)，所述连接元件具有上侧(20)和下侧(21)，其中半导体芯片(1)在支承...

提出一种具有多个可彼此分开运行的像素(1a，1b，1c)的显示设备(1)，所述显示设备包括用于产生电磁辐射的半导体层序列(3)。半导体层序列(3)具有第一半导体层(31)、有源层(33)和第二半导体层(35)。显示设备(1)还包括用于接...

一种光电子器件，所述光电子器件包括具有光有源层的层结构。在此，光有源层在第一横向区域中具有比在第二横向区域中更高的V型缺陷密度。

提出一种发光材料，所述发光材料包括无机化合物。无机化合物在其总式中具有至少一种活化剂E和N和/或O，其中E选自：Mn，Cr，Ni，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Yb，Tm，Li，Na，K，Rb，Cs和出自其中的组...

描述一种用于制造氮化物化合物半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：‑将第一氮化物化合物半导体层(1)生长到生长衬底(10)上；‑沉积掩模层(11)；‑在掩模层(11)上方生长第二氮化物化合物半导体层(2)；‑生长第三氮化物化合物半导体...

本发明涉及显示设备、用于制造显示设备的方法和像素化的前照灯。该显示设备具有半导体层序列(2)，半导体层序列具有设为用于产生辐射的有源区域(20)并且形成多个像素(2a，2b)。此外，显示设备具有载体(5)，有源区域(20)设置在第一半导...

一种光电子半导体芯片(100)，包括基本体，所述基本体具有载体(3)和设置在载体(3)的上侧(30)上的半导体层序列(1)，所述半导体层序列在正常运行中发射或吸收电磁辐射。此外，半导体芯片(100)包括两个设置在半导体层序列(1)上并且...

提出一种器件(100)，所述器件具有载体(1)和沿竖直方向设置在载体上的半导体本体(2)，其中载体具有至少一个用于电接触半导体本体的金属层(3，4，5)、非金属的成形体层(90)和至少一个电绝缘的绝缘层(92，93)。在载体中形成内部的...

提出一种发光半导体芯片(100)，其具有第一半导体层(1)，所述第一半导体层至少是设为用于产生光的有源层的一部分并且沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化。此外，提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法。

提出一种用于制造多个转换元件(6)的方法，所述方法具有如下方法步骤：‑提供载体(1)；‑将第一掩模层(4)施加到载体(1)上，其中第一掩模层(4)结构化成具有穿口(3)，所述穿口完全贯穿第一掩模层(4)；‑将转换材料(5)至少施加到穿口...

提出一种光电子半导体本体(100)，所述光电子半导体本体具有载体(13)和施加在载体(13)上的半导体层序列(1)。半导体层序列(1)具有第一传导类型的第一层(10)、第二传导类型的第二层(12)和设置在第一层(10)和第二层(12)之...

一种用于制造半导体本体的方法。提出一种用于制造半导体本体(1)的方法，所述半导体本体具有凹部(10)，所述凹部设有钝化层(8)，所述方法具有如下步骤：在半导体本体(1)上施加结构化的第一掩模层(5)和未结构化的第二掩模层(6)；在第二掩...

本发明的主题是一种用于制造具有保护层的、含Si的和/或含Al的发光材料的发光材料颗粒的方法，所述方法包括方法步骤：A)用酸溶液处理含Si的和/或含Al的发光材料，其中酸溶液的pH值在pH 3.5至7的范围之内保持至少1h的时间段，并且其...

描述一种激光二极管芯片(10)，所述激光二极管芯片具有n型半导体区域(3)、p型半导体区域(5)和设置在n型半导体区域(3)和p型半导体区域(5)之间的有源层(4)，所述有源层构成为单量子阱结构。单量子阱结构具有量子阱层(43)，所述量...

提出一种半导体芯片(100)，所述半导体芯片具有第一半导体层(1)，所述第一半导体层沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化。此外，提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法。

提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法，其中在用于生长第一半导体层(1)的生长工艺期间，沿着生长的第一半导体层(1)的至少一个延伸方向产生不均匀的横向温度分布，使得建立第一半导体层(1)的材料组成的横向变化。此外，提出一种半导体芯片...

本发明提出一种半导体层序列，具有：第一氮化物化合物半导体层；第二氮化物化合物半导体层；和设置在所述第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层；其中从第一氮化物化合物半导体层起，中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导...

提出一种用于制造半导体本体(1)的方法，所述半导体本体具有至少一个设有接触层(7)的凹部(10)，所述方法具有如下步骤：提供半导体本体(1)；将第一掩模层(5)和第二掩模层(6)施加在半导体本体(1)上，其中第二掩模层(6)以未结构化的...