本发明涉及一种发光模块(1)，其具有：多个发射区域，所述发射区域构成为用于：在运行中发射光，所述发射区域包括至少一个第一类型的第一发射区域(101)和第二发射区域(102)，所述第一类型的第一和第二发射区域发射第一色坐标的光，和包括至少...

提出一种用于部分地转换初级辐射(5)的转换器(10)，其具有：基本体(12)，所述基本体包含发光转换材料，和转换器(10)的上侧(10a)上的多个结构(11)，其中结构(11)通过基本体(12)的隆起部和/或基本体(12)中的凹部形成，...

在一个实施方式中，半导体光源(1)包括用于产生初级辐射(P)的半导体激光器(2)以及用于从初级辐射(P)中产生更长波长的可见的次级辐射(S)的转换元件(3)。转换元件(3)为了产生次级辐射(S)具有半导体层序列(30)，所述半导体层序列...

提出一种灯丝(10)，其具有：辐射能透过的基底(1)；多个发光二极管(LED)；和转换器层(3)，其中LED(2)设置在基底上，并且转换器层覆盖LED和基底，其中转换器层在基底的上侧(11)上具有第一子层(31)并且在基底的下侧(12)...

提出一种用于制造发光物质颗粒的方法，所述发光物质颗粒具有至少一个第一保护层。所述方法包括下述方法步骤：A)提供发光物质颗粒，D)借助于原子层沉积将至少一个第一保护层施加到所述发光物质颗粒的表面上。方法步骤D)包括下述方法步骤：D1)借助...

本发明的实施方式描述一种包含无机物质的发光材料，所述无机物质在其组成中至少包含元素D、元素A1、元素AX、元素SX和元素NX(其中D是一种、两种或多种选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb的元素，A1...

提出一种光电子器件(50)，其具有半导体本体(10a‑c)，所述半导体本体具有光学有源区域(12)；其还具有载体(60)和连接层对(30a‑c)，所述连接层对具有第一连接层(32)和第二连接层(34)，其中：半导体本体设置在载体上，第一...

本发明涉及一种半导体器件，‑其具有：至少一个半导体芯片(10)，所述半导体芯片包括具有有源区域(12)的半导体本体(1)、转换元件(6)和载体(3)，并且载体(3)具有第一成形体(33)、第一导体本体(31)和第二导体本体(32)，并且...

本发明涉及一种环氧树脂体系，所述环氧树脂体系包括：具有最大30μm的粒度上限(dmax)的至少一种无机填充材料(F)，所述无机填充材料是金属或半金属的氧化物或氮化物；至少一种脂环族环氧树脂；聚乙烯基丁醛；至少一种阳离子促进剂，并且其中环...

提出一种光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片包括：‑半导体本体(2)，所述半导体本体具有主面(3)和至少一个侧面(4)，所述侧面横向于主面(3)设置，其中半导体本体(2)具有用于产生电磁辐射(S)的有源区(5)并且在运行时所产生...

提出一种转换元件(1)，所述转换元件具有：有源区域(13)，所述有源区域由半导体材料形成并且包括多个势垒(131)和量子阱(132)；多个第一结构元件(14)，所述第一结构元件设置在转换元件(1)的上侧(1a)上；和多个第二结构元件(1...

一种光电子器件(100)，所述光电子器件包括辐射侧(2)，经由所述辐射层在运行时耦合输入或耦合输出电磁辐射。具有至少两个导电的接触元件(31，32)的接触侧(3)与辐射侧相对置，所述接触元件用于器件的外部电接触。在辐射侧和接触侧之间设置...

提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供生长衬底(1)，‑将缓冲层(3)外延生长到生长衬底(1)上，其中在缓冲层(3)中产生多个V形坑(4)，‑将产生辐射的有源的半导体层序列(5)外延生长到缓冲层(3)上...

提出一种发射红光的发光材料，所述发光材料包括Eu2+掺杂的次氨基铝酸盐发光材料。发射红光的发光材料具有在电磁波谱的610nm至640nm的范围中的发射最大值。

本发明涉及一种转换元件(4)，所述转换元件包括量子点(1)，所述量子点设计用于辐射的波长转换，其中量子点(1)分别具有表面(1d)，并且其中相邻的量子点(1)的至少两个表面(1d)经由至少一个连接体(7)连接，以将量子点(1)间隔开，使...

本发明涉及一种光电子器件(100)，所述光电子器件具有：用于产生在蓝色的光谱范围中的初级辐射的半导体芯片(2)；转换元件(4)，所述转换元件设置在半导体芯片(2)的光路中，并且设计用于从初级辐射中产生次级辐射，其中转换元件(4)至少包括...

提出一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片具有：外延的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有有源区(2)，所述有源区在运行时产生电磁辐射；和钝化层(10)，在所述钝化层中静力学固定电的载流子，或者所述钝化层引起半导体层序列(1)的表面...

一种光电子半导体组件(100)，所述光电子半导体组件包括半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有第一主侧、第一层(10)、有源层(11)、第二层(12)和第二主侧。在第二主侧上设置有第二接触元件(32)和第一接触元件(31)，所述第一接...

提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有像素区域(2)的半导体本体(1)，所述像素区域具有至少两个不同的子像素区域(3)，‑将导电层(18)施加到至少一个子像素区域(3)的辐射出射面(9)上，其中导电层(...

半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)。为了注入电流，直接在p型区域(23)处存在由透明导电氧化物构成的对于激光...