本申请涉及制造光学器件的方法、光学器件和含该光学器件的组合件。在至少一个实施方案中，方法用于制造光学器件(1)。该方法包括以下步骤：提供由载体(3)机械地承载或被包括在载体(3)中的活性介质(2)，以及将粘合剂层(4)施加至活性介质(2...

一种用于选择半导体芯片(100)的方法，其中A)在复合件(10)中提供半导体芯片(100)，B)在半导体芯片(100)与载体膜(500)之间产生材料配合的、机械的第一连接，C)分割半导体芯片(100)，其中在分割之后载体膜(500)将半...

描述一种光电子半导体芯片(10)，包括：‑p型半导体区域(4)；‑n型半导体区域(9)，‑在p型半导体区域(4)与n型半导体区域(9)之间设置的有源层(6)，所述有源层构成为多量子阱结构(6A，6B)并且具有交替的量子阱层(6A)和阻挡...

在至少一个实施方式中，发射辐射的设备(100)包括辐射源(5)和发射面(1)，在运行时出自所述辐射源(5)的辐射穿过所述发射面。发射面包括多个像素(10)。每个像素包括多个子像素(11，12)。在发射面的俯视图中观察，每个像素形成发射面...

提出一种LED单元(100，300)，所述LED单元包括：基板(105)，所述基板具有第一LED芯片(110)，所述第一LED芯片具有第一光出射面(115)并且所述第一LED芯片设置在基板(105)上，使得由其发射的光沿着LED单元(1...

提出一种用于制造转换元件(7)的方法，所述方法具有如下步骤：‑在辅助载体(2)上提供第一转换层(1)，所述第一转换层将第一波长范围的电磁辐射转换成第二波长范围的电磁辐射，‑在所述第一转换层(1)上施加第二转换层(3)，所述第二转换层将第...

描述一种光电子半导体芯片(20)，所述光电子半导体芯片包括半导体层序列(10)，所述半导体层序列具有磷化物化合物半导体材料，其中半导体层序列(10)包含p型半导体区域(4)、n型半导体区域(2)、和设置在p型半导体区域(4)和n型半导体...

本发明涉及一种光电子器件和一种发光机构。在一个实施方式中，光电子器件(100)包括：载体(1)，所述载体具有上侧(11)和与上侧相对置的下侧(12)；设置在载体的上侧上的光电子半导体芯片(2)；在半导体芯片上的具有无机发光材料的第一转换...

在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括表面发射的半导体激光器芯片(4)，所述半导体激光器芯片具有：半导体层序列(40)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(41)；和光出射面(44)，所述光出射面垂直于半导体层序列(4...

提出一种方法，设计用于制造光电子半导体器件并且包括如下步骤：A)提供源衬底(21，22，23)，其中每个源衬底(21，22，23)装配有特定类型的发射辐射的半导体芯片(41，42，43)；B)提供具有安装平面(30)的目标衬底(3)；C...

一种光电子组件(100)，所述光电子组件包括光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片在半导体芯片的常规运行中产生初级辐射，所述初级辐射经由半导体芯片的发射侧(10)耦合输出。组件还包括在发射侧上的光学元件(2)。光学元件包括多个横向...

本发明涉及一种光电子组件(405)，所述光电子组件包括：载体(101)；设置在载体(101)的表面上的光源，所述光源具有至少一个发光面，所述发光面由至少一个发光二极管(201，203)形成，其中在发光面上设置有透明的无转换器的间隔保持件...

提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且设计用于，在运行时在有源区域(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)放射，其中有源区域(...

在一个实施方式中，半导体激光器(1)是可表面安装的并且包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列包含在p型侧(p)与n型侧(n)之间的设计用于产生激光辐射(L)的产生区域(22)。此外，半导体激光器包括两个接触面(31，32)，用于从外部...

在一种实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括在透光衬底(3)上的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有在第一半导体区域(21)和第二半导体区域(23)之间的有源层(22)。电绝缘的镜层(5)设计用于反射在有源层(22)中产生的辐射。镜...

在一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括在透光的衬底(3)上的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有在第一半导体区域(21)和第二半导体区域(23)之间的有源层(22)。接触沟道(4)穿过有源层(22)延伸至第一半导体区域(21)...

根据用于制造半导体器件的方法的至少一个实施方式，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第一横向热膨胀系数的辅助载体施加在半导体本体的第一侧上。此外，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第二横向热膨胀系数的连接载体施加在所述半导体本体的第二侧上...

提出一种发射辐射的设备(1)，所述发射辐射的设备包括：‑像素化的光电子半导体芯片(2)，所述光电子半导体芯片设置用于发射具有第一峰值波长(λ1)的第一辐射(S1)并且具有多个彼此并排设置的半导体区域(20)，‑转换元件(3)或色彩控制机...

在一个实施方式中，显示设备(1)包括载体(3)处的多个光电子半导体组件(2)。载体(3)为面状纺织品。半导体组件(2)具有各一个联接衬底(21)和各多个用于产生光的半导体芯片(23)，所述联接衬底具有多个电端子(24)。半导体组件(2)...

根据至少一个实施方式，用于制造光电子部件(100)的方法包括步骤A)，在步骤A)中，提供中间膜(1)。在步骤B)中，将多个光电子半导体芯片(2)附着在中间膜(1)的预定位置上。在步骤C)中，提供具有多个分开的开口(30)的腔膜(3)。在...