本发明说明一种用于显示设备(1001)的器件(101，201，301，401)、一种显示设备以及一种用于运行显示设备的方法、一种计算机程序和一种存储介质。器件包括设置成排(R)的LED芯片(1_R，1_G，1_B)，其中对沿着相应的排的...

提出一种发射辐射的半导体芯片(1)，具有：

一种光电子设备，尤其用于检测障碍物和/或用于距离测量，包括：用于发出激光束的发送装置(21)，其中发送装置(21)具有像素(25)的场(23)，其中像素场(23)的每个像素(25)具有至少一个激光器，尤其是光电子激光器，例如VCSEL，...

提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半...

在一个实施方式中，边缘发射的半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(22)。在半导体层序列(2)上形成用于耦合输出和/或反射激光辐射(L)的棱面(3)。直接在棱面(3)上存在用于保护...

一种光电子半导体芯片(100)，具有：

本发明涉及用于更换电子部件的至少一个芯片(1)或电子元件的装置和方法，其中所述电子部件尤其是LED封装件或LED显示屏。本发明具有：

公开了半导体结构、用于制造半导体结构的方法和发光装置。在一个实施方案中，半导体结构包含多个离散的经包封的半导体纳米颗粒和多个离散的不含半导体的纳米颗粒，其中离散的经包封的半导体纳米颗粒和离散的不含半导体的纳米颗粒形成团聚体。的纳米颗粒形...

提出一种用于发射辐射的半导体器件(10)的生长结构(1)，其包括：

提出一种光电子器件(1)，具有：

提出一种用于操作光学显示设备(1)的方法。光学显示设备(1)具有第一光电子半导体元件(10)，所述第一光电子半导体元件设置成用于发射第一波长的电磁辐射并且具有第一本征接通延迟(100)。光学显示设备(1)还具有第二光电子半导体元件(20...

本发明涉及一种边缘发射的激光二极管，其包括半导体层堆叠，所述半导体层堆叠的生长方向确定垂直方向，并且其中，半导体层堆叠包括有源层和波导层。热应力元件布置成与半导体层堆叠至少间接接触，其中，热应力元件设置成用于在波导层中产生热诱导的机械应...

在一个实施方式中，发光二极管模块(1)包括载体(2)和多个发光二极管(3)。在此，存在多种发光二极管类型。发光二极管(3)能够单个地或成组地彼此独立地电操控。发光二极管(3)各自具有第一和第二电接触部(31，32)。载体(2)包括多个能...

本发明涉及波长转换器，所述波长转换器包括：

一种光电子半导体器件(10)具有有源区(120)，所述有源区包含用于构成量子阱结构的子层(111、112、113)。在此，在量子阱结构之内的能量级差在光电子半导体器件(10)的中央区域(14)中比在光电子半导体器件(10)的边缘区域(1...

提出一种用于制造光电子器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有功能性半导体层(3)和生长层(5)的半导体晶片(2)，所述功能性半导体层具有电子控制元件(4)；‑在半导体晶片(2)中产生多个凹部(6)，所述凹部使生长层(5)局部...

本发明涉及一种光电发光装置及其制造方法，其中光电发光装置包括具有透明或半透明的载体衬底的像素，在所述载体衬底上设置具有至少一个微型LED的半导体发光装置，其中微型LED在像素的部分面之上延伸，并且其中半导体发光装置的主放射方向指向在观察...

一种用于制造光电子照明装置的方法包括：提供第一半导体晶片(10)，所述第一半导体晶片具有多个第一光电子半导体器件(11)；将所述第一半导体晶片(10)设置在载体(20)上方；借助于激光辐射(30)将第一光电子半导体器件(11)中的多个与...

本发明提供了一种半导体激光器(20)，其具有：边缘发射的激光二极管(21)，所述激光二极管具有用于产生激光辐射的有源区以及具有辐射出射区域(23)的刻面(22)；以及至少一个光电二极管(24)，其中，刻面(22)布置在激光二极管(21)...

提出了一种光电子组件(1)，其具有：‑在运行中产生电磁辐射的光电子半导体芯片(2)，和‑布置在半导体芯片(2)上的金属层(3)，其中，‑金属层的外表面(4)具有结构化部(5)，‑借助于结构化部(5)实现识别组件(1)，并且‑金属层(3)...