用于制造光电子器件的方法和光电子器件技术

提出一种用于制造光电子器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有功能性半导体层(3)和生长层(5)的半导体晶片(2)，所述功能性半导体层具有电子控制元件(4)；‑在半导体晶片(2)中产生多个凹部(6)，所述凹部使生长层(5)局部地露出；以及‑在露出的生长层(6)上外延生长多个半导体层堆(7)。此外，提出一种光电子器件(1)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造光电子器件的方法和光电子器件
提出一种用于制造光电子器件的方法。此外，提出一种光电子器件。
技术实现思路
要实现的目的在于，提出一种用于制造光电子器件的简化的方法。此外，应当提出一种光电子器件，所述光电子器件此外可特别容易地散热。所述目的通过具有权利要求1的特征的用于制造光电子器件的方法和通过具有权利要求14的特征的光电子器件来实现。用于制造光电子器件的方法和光电子器件的有利的实施方式是各自从属权利要求的主题。根据方法的至少一个实施方式，提供具有生长层和功能性半导体层的半导体晶片，所述功能性半导体层具有电子控制元件。半导体晶片优选具有主延伸平面。横向方向优选平行于主延伸平面定向并且竖直方向垂直于横向方向定向。功能性半导体层和生长层优选沿竖直方向上下相叠地堆叠。优选地，功能性半导体层具有横向扩展，所述横向扩展小于生长层的横向扩展。半导体晶片优选地具有盘的形状。盘优选具有处于至少150毫米和最高350毫米之间的直径。半导体晶片例如具有至少10纳米和最高2000纳米的厚度，尤其至少100纳米和最高1500纳米的厚度，至本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造光电子器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：/n-提供具有功能性半导体层(3)和生长层(5)的半导体晶片(2)，所述功能性半导体层具有电子控制元件(4)；/n-在所述半导体晶片(2)中产生多个凹部(6)，所述凹部使所述生长层(5)局部地露出；以及/n-在露出的生长层(6)上外延生长多个半导体层堆(7)。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190110 DE 102019100521.31.一种用于制造光电子器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：
-提供具有功能性半导体层(3)和生长层(5)的半导体晶片(2)，所述功能性半导体层具有电子控制元件(4)；
-在所述半导体晶片(2)中产生多个凹部(6)，所述凹部使所述生长层(5)局部地露出；以及
-在露出的生长层(6)上外延生长多个半导体层堆(7)。


2.根据上一项权利要求所述的方法，
其中至少一个电子控制元件(4)具有集成电路。


3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中绝缘连接层(8)设置在所述功能性半导体层(3)和所述生长层(5)之间。


4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中
-露出的生长层的表面(5a)用作为用于所述半导体层堆(7)的生长面(9)；和
-所述生长面(9)具有{111}取向的表面(10)。


5.根据上一项权利要求4所述的方法，
其中所述生长面(9)平行于所述半导体晶片(2)的主延伸平面延伸。


6.根据权利要求4所述的方法，
其中所述生长面(9)倾斜于所述半导体晶片(2)的主延伸平面伸展。


7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中在所述凹部的侧面(6b)之上施加阻挡层(11)。


8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中在所述凹部的侧面(6b)之上施加反射层(12)。


9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中移除所述生长层(5)，使得所述半导体层堆的第一主面(7a)露出。

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈亚斯·普洛斯尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE