在一个实施方式中，半导体光源(1)包括至少一个第一发射单元(21)、第二发射单元(22)以及光学装置(3)。光学装置(3)具有用于聚束第一发射单元(21)的辐射的内部区域(31)和用于扩张或散射第二发射单元(22)的辐射的外部区域(32...

在一个实施方式中，光电子传感器模块(1)包括：用于发射第一波长的辐射的第一半导体发送器芯片(21)和用于发射第二波长的辐射的第二半导体发送器芯片(22)。半导体检测器芯片(3)设为用于检测辐射。芯片(21，22，3)处于共同的平面中并且...

一种光电子半导体芯片(100)，所述光电子半导体芯片包括：半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有用于发射电磁辐射的有源层(10)。此外，半导体芯片(1)包括在半导体层序列(1)的背侧(12)上的两个接触元件(21，22)以及在半导体层...

在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括：半导体层序列(2)，其具有用于产生激光辐射(L)的有源区(20)。在半导体层序列(2)的彼此相对置的主侧上存在两个电连接区域(21，22)。接触载体(3)包括用于电接触半导体层序列(2)的电接触...

一种用于制造照明装置(100)的方法，所述方法包括：‑提供多个光电子半导体器件(101)，所述光电子半导体器件分别具有用于产生辐射的半导体层序列(102)，其中半导体器件(101)在一侧(104)上分别具有至少一个接触面(103)和由共...

提出一种半导体激光二极管(100)，其具有：通过外延法制造的半导体层序列(2)，其具有至少一个有源层(3)，其中在所述半导体层序列(2)的至少一个表面区域(20)上设置有含镓的钝化层(10)。此外，提出一种用于制造半导体激光二极管(10...

提出一种用于以直流电压运行的发光设备(10)，所述发光设备包括：‑至少一个光电子半导体芯片(13a，13b)，‑两个接触部(11a，11b)，用于将发光设备(10)与直流电压耦合；和‑驱动电路(15)，所述驱动电路与至少一个半导体芯片(...

提出一种用于制造多个发射辐射的半导体器件的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供辅助载体(1)，‑将多个发射辐射的半导体芯片(2)借助前侧施加到辅助载体(1)上，使得半导体芯片(2)的背侧能自由触及，‑将间距保持件(9)施加到辅助载体(1)...

提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供半导体层序列(2)，所述半导体层序列在衬底(29)上具有设为用于产生或用于接收辐射的有源区(20)；b)构成至少一个凹部(25)，所述凹部延伸穿过所述有源区；c)借助...

提出一种用于制造多个发射辐射的半导体器件的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供辅助载体(1，1’)，‑将多个发射辐射的半导体芯片(2)借助其背侧施加到辅助载体(1，1’)上，‑施加第一灌封料(8)，使得产生半导体芯片复合件，以及‑借助于锯...

本发明涉及一种光电子半导体器件(1)，具有半导体本体(10)，所述半导体本体沿着主放射方向具有设计为用于产生电磁辐射的有源区域(103)和耦合输出面(10A)，所述有源区域具有多个可彼此独立操控的发射区域(50)。此外，光电子半导体器件...

在一个实施方式中，半导体器件(1)包含用于产生辐射的发光二极管芯片(2)和填充部(3)，所述填充部对辐射是可透过的。此外，半导体器件(1)具有用于辐射的反射器(4)。发光二极管芯片(2)包括用于产生辐射的半导体层序列(21)、在安装侧(...

本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法，包括如下方法步骤：A)提供半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有有源区(11)，所述有源区设计用于发射辐射，B)将种晶层(4)施加到半导体芯片(1)上，其中种晶层(4)具有第一金属和与第一金属不同的...

本发明涉及一种具有半导体本体的光电子半导体器件，半导体本体包括第一传导类型的第一区域、设计用于产生电磁辐射的有源区域和第二传导类型的第二区域以及设置用于耦合输出电磁辐射的耦合输出面。第一区域、有源区域和第二区域沿着堆叠方向设置。有源区域...

方法设计用于制造光电子半导体器件并且包括如下步骤：A)提供芯片载体(2)，所述芯片载体在载体上侧(20)上具有电导体结构(22)，B)将至少一个半导体芯片(3)安置在电导体结构(22)中的至少一个上，所述半导体芯片设计用于产生光，C)将...

本发明涉及一种器件(10)，所述器件具有承载板(1)、电子构件(2)、成型体(3)和加强层(4)，其中电子构件由成型体横向地环绕。电子构件沿竖直方向设置在承载板和加强层之间，其中成型体具有热膨胀系数，所述热膨胀系数是承载板的热膨胀系数的...

本发明涉及一种用于制造光电子器件(100)的方法，所述方法具有如下步骤：A)提供衬底(1)，B)提供金属液体(2)，所述金属液体结构化地设置在衬底(1)上并且具有至少一种第一金属(Me1)，C)提供半导体芯片(3)，所述半导体芯片分别在...

本发明涉及一种光电子器件(100)，所述光电子器件具有：半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有有源区域(11)，所述有源区域设置用于发射辐射；介电层(2)；具有第一金属的焊料层(10)，所述焊料层设置在介电层(2)上，其中在焊料层(1...

提出一种发射辐射的半导体本体(1)，所述半导体本体具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有设为用于产生辐射的有源区域(20)、n型传导区域(21)和p型传导区域(22)，其中‑有源区域设置在n型传导区域和p型传导区域之间；‑p型传导...

在一个实施方式中，用于制造光电子半导体器件(1)的方法具有如下步骤：A)将发射辐射的半导体芯片(3)施加到中间载体(2)上，其中半导体芯片(3)是体积发射器，B)将辐射可透过的透明灌封件(4)直接施加到芯片侧面(34)上，使得透明灌封件...