提出一种发光材料(1)，具有通式EA2A4D3O

提出一种器件(10)，其具有载体(1)、设置在所述载体上的半导体本体(2)、至少局部地设置在所述载体和所述半导体本体之间的中间层(3、31、32)和第一接触结构(41)，其中所述半导体本体具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和...

提出一种导线框复合件(1)，包括：

提出一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)将其放射，其中有源区(5)从与光耦合输出面(...

提出一种器件(10)，其具有半导体本体(2)、转换层(5)、填充层(4)和沿竖直方向设置在半导体本体和转换层之间的中间层(3)，其中半导体本体具有朝向转换层的表面(2V)，所述表面结构化地构成并且具有竖直的凹陷部(2T)。竖直的凹陷部由...

提出一种器件(10)，具有组件(1)、导线框(6)和成型体(9)，其中组件和导线框沿横向方向由成型体至少局部地环绕并且导线框不伸出成型体的侧面(9S)。导线框具有至少一个第一子区域(61)和至少一个与第一子区域横向地间隔开的第二子区域(...

提出一种光电子器件(100)，其具有：

提供了用于通过立体光刻技术生产能够实现全色光谱的微像素化LED的方法、系统和材料。立体光刻技术包括：将可光固化纳米磷光体墨组合物沉积到基材上；将图案投射到基材和墨组合物上；然后基于所投射的图案来固化墨组合物的至少一部分。墨组合物包括至少...

一种激光二极管(1)，包括：

提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法，其中在用于生长第一半导体层(1)的生长工艺期间，沿着生长的第一半导体层(1)的至少一个延伸方向产生不均匀的横向温度分布，使得建立第一半导体层(1)的材料组成的横向变化。此外，提出一种半导体芯片...

一种对包括一组磷化铝镓铟发光二极管或AlGaInP

提出一种半导体器件(1)，其具有半导体芯片(2)和辐射转换元件(3)，所述辐射转换元件设置在半导体芯片上，其中半导体芯片具有设计用于产生具有峰值波长的初级辐射(5)的有源区域(20)；辐射转换元件具有量子结构(30)，初级辐射的峰值波长...

一种光电子半导体器件(10)，包括第一半导体层堆(111)，所述第一半导体层堆包括第一导电类型的第一半导体层(110)，以及第二导电类型的第二半导体层(120)。光电子半导体器件(10)还具有第一接触元件(125)和第二接触元件(129...

一种用于制造半导体装置特别是光电装置的方法，该方法包括：设置生长衬底(10)；沉积n型掺杂的第一层(20)以及将有源区(30)沉积在n型掺杂的第一层(20)上；然后，将第二层(50)沉积到有源区(30)上；第二层在第二层(50)中掺杂有...

在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括表面发射的半导体激光器芯片(4)，所述半导体激光器芯片具有：半导体层序列(40)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(41)；和光出射面(44)，所述光出射面垂直于半导体层序列(4...

提出一种半导体器件、一种包括用于接触半导体器件的载体的系统以及一种用于检查载体和半导体器件之间的焊接点的方法。载体(20)具有接触面(21)，所述接触面在横向上构成为是中断的并且至少部分地通过焊料(3)覆盖以进行电桥接。半导体器件(10...

提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且设计用于，在运行时在有源区域(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)放射，其中有源区域(...

光电子半导体芯片(1)包括：半导体层序列(10)，其具有第一半导体层(101)、第二半导体层(102)和在第一半导体层(101)和第二半导体层(102)之间的有源层(103)。光电子半导体芯片(1)包括：第一接触结构，其具有用于电接触第...

一种生成PWM信号(501)的电路(1)，其包括：

提出一种由多个构件(10)、改性的牺牲层(4)和共同的中间载体(90)构成的构件复合件(100)，其中所述构件分别具有半导体本体(2)，所述半导体本体具有有源区(23)，其中所述半导体本体设置在所述中间载体上并且通过分离沟道(4T)彼此...