具有减少的吸收的器件和用于制造器件的方法技术

提出一种器件(10)，其具有载体(1)、设置在所述载体上的半导体本体(2)、至少局部地设置在所述载体和所述半导体本体之间的中间层(3、31、32)和第一接触结构(41)，其中所述半导体本体具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和有源区(23)，所述有源区沿竖直方向设置在所述半导体层(21、22)之间并且设立为用于产生电磁辐射。所述有源区沿着侧向方向具有局部去激活的区域(23D、23E)，所述局部去激活的区域不设立为用于产生电磁辐射。所述半导体本体具有开口(2R)，所述开口穿过所述第二半导体层和所述有源区朝向所述第一半导体层延伸，其中所述开口与所述有源区的去激活的区域不同并且部分地用所述中间层的材料填充。此外，所述第一接触结构设立为用于对所述第一半导体层进行电接触并且在俯视图中与所述开口重叠。此外提出一种用于制造这种器件的方法。一种用于制造这种器件的方法。一种用于制造这种器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有减少的吸收的器件和用于制造器件的方法


[0001]提出一种具有减少的吸收和进而具有提高的效率的器件。此外，还提出一种用于制造器件的方法。

技术介绍

[0002]发射光的器件的效率很大程度上取决于可能的吸收损失。吸收损失例如发生在发射光的半导体本体内或者在器件的金属接触部处。
[0003]为了减少在电接触部处的吸收损失，接触部能够以反射辐射的材料如银进行覆层或者由透明导电材料形成。此外，由银或透明导电材料制成的接触部有时不具有所需的导电能力。
[0004]为了减少在半导体本体内的吸收损失，半导体本体虽然能够关于其层厚度和/或材料选择方面构成为，使得吸收损失最小化。然而，通过减小层厚度或半导体本体的特定的材料选择，能够对器件在产生光方面的效率产生负面影响。

技术实现思路

[0005]一个目的是，提出一种器件，尤其是具有提高的效率的光电子器件。另一目的是，提出一种可靠且低成本的用于制造器件、尤其是在本文中所描述的器件的方法。
[0006]所述目的通过根据独立权利要求所述的器件以及通过用于制造该器件的方法来实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种器件(10)，所述器件具有载体(1)、设置在所述载体上的半导体本体(2)、至少局部地设置在所述载体和所述半导体本体之间的中间层(3、31、32)和第一接触机构(41)，其中
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所述半导体本体具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和有源区(23)，所述有源区沿竖直方向设置在所述半导体层(21、22)之间并且设立为用于产生电磁辐射，
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所述有源区沿着侧向方向具有局部去激活的区域(23D、23E)，所述局部去激活的区域不设立为用于产生电磁辐射，
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所述半导体本体具有开口(2R)，所述开口穿过所述第二半导体层和所述有源区朝向所述第一半导体层延伸，其中所述开口与所述有源区的去激活的区域不同并且部分地用所述中间层的材料填充，
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所述第一接触结构设立为用于对所述第一半导体层进行电接触并且在俯视图中与所述开口重叠，和
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所述有源区(23)分为多个被分割的有源区域(23A)，其中每个被分割的有源区域(23A)与内部去激活的区域(23D、23E)相关联，而所述内部去激活的区域被相关的被分割的有源区域部分地或全面地侧向包围，其中所述器件具有以下附加的特征中的至少一个，即：i.所述局部去激活的区域(23D、23E)仍然能导电地构成并且具有比所述有源区的有源区域(23A)更大的带隙；或ii.所述开口(2R)具有由相互连接的分离沟槽(2T)构成的网络，使得所述开口局部地沟槽状且连贯地构成，并且所述被分割的有源区域(23A)分别沿侧向方向被所述去激活的区域(23D、23E)包围。2.根据权利要求1所述的器件(10)，其中所述局部去激活的区域(23D、23E)是所述有源区(23)的经剥离的和再生长的区域(23E)。3.根据权利要求1或2所述的器件(10)，其中所述局部去激活的区域(23D、23E)是所述有源区(23)的注入或扩散有杂质原子或杂质离子的区域(23D)。4.根据上述权利要求中任一项所述的器件(10)，其中所述有源区(23)具有有源区域(23A)，所述有源区域设立为用于产生电磁辐射，其中所述第一接触结构(41)在俯视图中不与所述有源区的有源区域重叠。5.根据上述权利要求中任一项所述的器件(10)，其具有权利要求1的特征ii，其中
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所述开口(2R)具有由相互连接的分离沟槽(2T)构成的网络，使得所述开口局部地沟槽状地且连贯地构成，和
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所述被分割的有源区域(23A)分别沿侧向方向被所述去激活的区域(23D、23E)包围。6.根据权利要求1至4中任一项所述的器件(10)，其具有权利要求1的特征i，所述局部去激活的区域(23D、23E)还能导电地构成并且具有比所述有源区的有源区域(23A)更大的带隙。7.根据上述权利要求中任一项所述的器件(10)，其中所述器件具有用于对所述第二半导体层(22)进行电接触的第二接触机构(42)，其中所述第二接触结构沿竖直方向设置在所述载体(1)和所述半导体本体(2)之间并且在俯视图中与所述有源区(23)的内部去激活的区域(23D、23E)重叠。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的器件(10)，其中每个被分割的有源区域(23A)与所述有源区(23)的外部去激活的区域相关联，其中所述外部去激活的区域侧向包围相关的所述被分割的有源区域。9.根据上述权利要求中任一项所述的器件(10)，其中所述第一接触结构(41)以通孔(40)的形式构成，所述通孔设置在所述开口(2R)内，其中为了对所述第一半导体层(21)进行电接触，所述通孔能够延伸穿过所述第二半导体层(22)和所述有源区(23)。10.根据权利要求1至8中任一项所述的器件(10)，其中所述第一接触结构(41)设置在所述半导体本体(2)的背离所述载体(1)的表面上并且直接邻接于所述第一半导体层(21)。11.根据上述权利要求中任一项所述的器件(10)，其中所述中间层(3)是连贯的、能导电的层(32)，其中所述中间层仅设立为用...

【专利技术属性】
技术研发人员：坦森，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：