图像显示装置的制造方法以及图像显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种图像显示装置的制造方法以及图像显示装置。实施方式的图像显示装置的制造方法具有：准备在第一基板上具有包括发光层的半导体层的基板的工序、准备形成有包括电路元件的电路的第二基板的工序、在所述第二基板上形成具有遮光性的层的工序、在具有所述遮光性的层上形成绝缘膜的工序、将所述半导体层在形成有所述绝缘膜的所述第二基板贴付的工序、对所述半导体层进行蚀刻而形成发光元件的工序、形成覆盖所述发光元件的绝缘层的工序、以及将所述发光元件与所述电路元件电连接的工序。具有所述遮光性的层设置在所述发光元件与所述电路元件之间。具有所述遮光性的层在俯视中覆盖电路元件而设置。视中覆盖电路元件而设置。视中覆盖电路元件而设置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图像显示装置的制造方法以及图像显示装置


[0001]本专利技术的实施方式涉及图像显示装置的制造方法以及图像显示装置。

技术介绍

[0002]期望实现高亮度、宽视角、高对比度、且低功耗的薄型图像显示装置。为了对应于上述市场需求，正在开发利用自发光元件的显示装置。
[0003]作为自发光元件，期待出现使用精细发光元件即微型LED的显示装置。作为使用微型LED的显示装置的制造方法，已经介绍将单个形成的微型LED依次转印到驱动电路的方法。然而，当随着成为全高清和4K、8K等高画质、微型LED的元件数增多时，在单个形成大量的微型LED并依次转印到形成驱动电路等的基板的过程中，转印工序需要大量的时间。此外，可能会产生微型LED与驱动电路等的连接不良等，出现成品率降低的问题。
[0004]已知如下的技术，即，在Si基板上使包括发光层的半导体层生长，在半导体层形成电极后，使之与形成有驱动电路的电路基板贴合(例如专利文献1)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：(日本)特开2002...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种图像显示装置的制造方法，其特征在于，具有：准备在第一基板上具有包括发光层的半导体层的基板的工序；准备形成有包括电路元件的电路的第二基板的工序；在所述第二基板上形成具有遮光性的层的工序；在具有所述遮光性的层上形成绝缘膜的工序；将所述半导体层在形成有所述绝缘膜的所述第二基板进行贴付的工序；对所述半导体层进行蚀刻，形成发光元件的工序；形成覆盖所述发光元件的绝缘层的工序；将所述发光元件与所述电路元件电连接的工序；具有所述遮光性的层设置在所述发光元件与所述电路元件之间，具有所述遮光性的层在俯视中覆盖所述电路元件而设置。2.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，还具有在使所述半导体层贴合在所述第二基板之前除去所述第一基板的工序。3.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，还具有在使所述半导体层贴合在所述第二基板之后除去所述第一基板的工序。4.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，所述半导体层从所述第一基板一侧，按照第一导电型的第一半导体层、所述发光层、以及与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层的顺序进行层压，所述第一导电型为n型，所述第二导电型为p型。5.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，将所述发光元件与所述电路元件电连接的工序包括形成贯通所述绝缘层、所述绝缘膜及具有所述遮光性的层的通孔的工序。6.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，还具有使所述发光元件的表面从所述绝缘层露出的工序。7.如权利要求6所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，还具有在露出的所述发光元件的露出面形成透明电极的工序。8.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，所述第一基板含有硅或蓝宝石。9.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，所述半导体层包括氮化镓类化合物半导体，所述第二基板含有硅。10.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，还具有在所述发光元件上形成波长转换部件的工序。11.一种图像显示装置，其特征在于，具有：电路元件；第一配线层，其与所述电路元件电连接；第一绝缘膜，其覆盖所述电路元件及所述第一配线层；发光元件，其设置在所述第一绝缘膜上；
具有遮光性的层，其在所述第一绝缘膜内设置在所述电路元件与所述发光元件之间；第二绝缘膜，其覆盖所述发光元件的至少一部分；第二配线层，其与所述发光元件电连接，配设在所述第二绝缘膜上；所述发光元件包括：第...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋元肇，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：