【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图像显示装置的制造方法以及图像显示装置
[0001]本专利技术的实施方式涉及图像显示装置的制造方法以及图像显示装置。
技术介绍
[0002]期望实现高亮度、宽视角、高对比度、且低功耗的薄型图像显示装置。为了对应于上述市场需求，正在开发利用自发光元件的显示装置。
[0003]作为自发光元件，期待出现使用精细发光元件即微型LED的显示装置。作为使用微型LED的显示装置的制造方法，已经介绍将单个形成的微型LED依次转印到驱动电路的方法。然而，当随着成为全高清和4K、8K等高画质、微型LED的元件数增多时，在单个形成大量的微型LED并依次转印到形成驱动电路等的基板的过程中，转印工序需要大量的时间。此外，可能会产生微型LED与驱动电路等的连接不良等，出现成品率降低的问题。
[0004]已知如下的技术，即，在Si基板上使包括发光层的半导体层生长，在半导体层形成电极后，使之与形成有驱动电路的电路基板贴合(例如专利文献1)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：(日
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种图像显示装置的制造方法，其特征在于，具有：准备在第一基板上具有包括发光层的半导体层的基板的工序；在形成有包括电路元件及第一配线层的电路的第二基板上形成第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜内形成与所述电路元件连接的插头的工序；使所述半导体层与所述第二基板贴合，并将所述插头与所述半导体层电连接的工序；对所述半导体层进行加工，形成与所述插头电连接的发光元件的工序；形成覆盖所述发光元件及所述第一绝缘膜的第二绝缘膜的工序；除去所述第二绝缘膜的一部分，使所述发光元件的一部分露出的工序；在所述第二绝缘膜上形成第二配线层的工序。2.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，所述半导体层从所述第一基板一侧，按照第一导电型的第一半导体层、所述发光层及与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层的顺序进行层压，所述第一导电型为n型，所述第二导电型为p型。3.如权利要求1或2所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，还具有在使所述半导体生长基板与所述第二基板贴合之前，在所述半导体层形成金属层的工序。4.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，形成所述插头的工序包括如下的工序，即，在使所述半导体生长基板与所述第二基板贴合之前，形成与所述电路元件电连接的第一金属层，对所述第一金属层进行平坦化，并对所述第一金属层进行加工，形成所述插头的工序。5.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，形成所述插头的工序包括如下的工序，即，在使所述半导体生长基板与所述第二基板贴合之前，对所述第一绝缘膜及所述插头一次性地进行平坦化的工序。6.如权利要求5所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，还具有如下的工序，即，在使所述半导体生长基板与所述第二基板贴合后，对所述金属层进行加工，形成第三配线层的工序。7.如权利要求6所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，还具有除去所述第二绝缘膜的一部分、使所述第二配线层露出的工序。8.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，所述第二配线层包括与所述发光元件的露出面连接的配线。9.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，所述第一基板含有硅或蓝宝石。10.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，所述半导体层包括氮化镓类化合物半导体，所述第二基板含有硅。11.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，还具有在所述发光元件上形成波长转换部件的工序。12.一种图像显示装置，其特征在于，具有：
电路元件；第一配线层，其与所述电路元件电连接；第一绝缘膜，其覆盖所述电路元件及所述第一配线层；插头，其在所述第一绝缘膜上形成，与所述第一配线层连接；发光元件，其包括：在所述插头上设置且与所述插头连接的第一导电型的第一半导体层、在所述第一半导体层上设置的发光层、以及在所述发光层上设置且与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层；第二绝缘膜，其覆盖所述发光元件的...
【专利技术属性】
技术研发人员：秋元肇，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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