【技术实现步骤摘要】
一种倒装结构的纯氮化镓基白光发光二极管
[0001]本专利技术涉及半导体光电子材料和器件制造的
，尤其是涉及一种氮化镓基白光发光二极管，属于半导体照明领域。
技术介绍
[0002]基于III族氮化物半导体的LED器件取得了巨大成功，并快速完成了商业化，但是其发光效率和品质问题仍然是III族氮化物白光LED的主要制约因素，也是目前氮化物半导体用于照明和显示领域的重要研究课题之一。
[0003]目前商用的白光LED主要采用氮化物蓝光LED芯片激发黄光荧光粉(如Y3Al5O
12
:Ce
3+
,YAG)进行组合发光，其中黄光荧光粉主要依靠吸收蓝光激发而辐射发光。这种组合发光方法虽然比较简单，但黄光荧光粉作为色转换材料来说，存在色转换效率偏低问题，即单位蓝光芯片的发光强度能转换成的黄光荧光粉的发光强度偏低。引起这一问题的主要原因是黄光荧光粉存在自吸收、性能衰退等问题，导致荧光粉发光存在损耗和衰退。因此，取代黄光荧光粉，制备更稳定的白光发光二极管具有重要意义。
技术实现思路
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种倒装结构的纯氮化镓基白光发光二极管，其特征在于，包括：p
‑
GaN(101)、p
‑
AlGaN(102)、In
x1
Ga1‑
x1
N/GaN多量子阱有源区(103)、n
‑
GaN(104)、非掺杂氮化镓(105)、GaN成核层(106)、双抛蓝宝石衬底(107)、GaN成核层(108)、非掺杂氮化镓(109)、In
x2
Ga1‑
x2
N/GaN多量子阱有源区(110)；在p
‑
GaN(101)和n
‑
GaN(104)层分别设置p型电极(111)和n型欧姆电极(112)。2.如权利要求1所述的一种倒装结构的纯氮化镓基白光发光二极管，其特征在于，所述p
‑
GaN层(101)的厚度为10
‑
500nm，p
‑
AlGaN层(102)的厚度为5
‑
50nm，In
x1
Ga1‑
x1
N/GaN多量子阱有源区(103)的厚度为10
‑
200nm，n
‑
GaN(104)的厚度为100
‑
10000nm、非掺杂氮化镓(105)的厚度为100
‑
10000nm，GaN成核层(106)的厚度为5
‑
200nm，双抛蓝宝石衬底(107)的厚度为10
‑
1000μm，GaN成核层(108)的厚度为5
‑
200nm，非掺杂氮化镓(109)厚度为100
‑
10000nm，In
x2
Ga1‑
x2
N/GaN多量子阱有源区(110)的厚度为10
‑
1000nm，p型欧姆电极(111)厚度为10
‑
1000nm，n型欧姆电极(112)厚度为10
‑
1000nm。3.如权利要求1所述的一种倒装结构的纯氮化镓基白光发光二极管，其特征在于，所述In
x1
Ga1‑
x1
N/GaN多量子阱有源区(103)为量子阱In
x1
Ga1‑
x1
N和势垒层GaN的周期性结构，其周期对数为1
‑
15，量子阱In
x1
Ga1‑
x1
N厚度范...
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