倒装发光二极管和发光装置制造方法及图纸

本申请公开了一种倒装发光二极管和发光装置，该倒装发光二极管包括衬底、以及位于衬底上的半导体发光单元；半导体岛结构位于衬底上，并与半导体发光单元之间存在间隙；在倒装发光二极管处于通电状态时，半导体岛结构不发光。本申请设置有半导体岛结构，该半导体岛结构与半导体发光单元之间存在间隙，且不用于倒装发光二极管的导电发光；半导体岛结构所在区域作为顶针的作用区域，在顶针作用在上述区域时，能够避免顶针刺破或者顶破半导体发光单元处的保护层，从而避免倒装发光二极管出现漏电失效现象，提高倒装发光二极管的可靠性。提高倒装发光二极管的可靠性。提高倒装发光二极管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
倒装发光二极管和发光装置


[0001]本申请涉及半导体相关
，尤其涉及一种倒装发光二极管和发光装置。

技术介绍

[0002]倒装发光二极管由于发光效率高、节能、环保、寿命长的特点，广泛应用于各个领域，例如照明、背光。对现有倒装发光二极管进行封装时，需要使用顶针作用在倒装发光二极管正面的某一区域，以将其顶起并进行固晶，顶针的作用区域常常为倒装发光二极管正面的中心区域。倒装发光二极管正面包括外延结构、透明导电层、电极以及用于对外延结构、透明导电层、电极进行保护的保护层和焊盘，保护层通常是由氧化硅材料制成，或者是由氧化硅与氧化钛组合形成的分布式布拉格反射镜。由于保护层的脆性，顶针作用在倒装发光二极管正面时，顶针易刺破或者顶破保护层，露出下面的外延结构、透明导电层或者电极，导致倒装发光二极管易出现漏电失效现象，并影响倒装发光二极管的可靠性。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种倒装发光二极管，其设置与半导体发光单元间隔开的半导体岛结构，该半导体岛结构所在区域作为顶针的作用区域，能够避免顶针刺破或者顶破半导体发光单元处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒装发光二极管，其特征在于，包括：衬底；至少一个半导体发光单元，位于所述衬底上；半导体岛结构，位于所述衬底上，并与所述半导体发光单元之间存在间隙；在所述倒装发光二极管处于通电状态时，所述半导体岛结构不发光。2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述半导体岛结构位于该倒装发光二极管的中心区域。3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述半导体岛结构的上表面的宽度至少是30μm。4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述半导体岛结构的上表面形状是圆形或者多边形。5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述半导体岛结构的高度小于等于所述半导体发光单元的高度。6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，还包括金属块，所述金属块位于所述半导体岛结构的上方。7.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述金属块直接与所述半导体岛结构的上表面接触。8.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述金属块的厚度介于0.5～10μm。9.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于，还包括保护层，所述保护层至少覆盖所述半导体岛结构的上表面和侧壁。10.根据权利要求9所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述保护层位于所述金属块与所述半导体岛结构之间，或者，所述保护层位于所述金属块的上方。11.根据权利要求9或10所述的倒装发光二极管，其特征在于，还包括第一焊盘和第二焊盘；所述保护层覆盖的区域还包括所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘士伟，徐瑾，石保军，王水杰，刘可，陈大钟，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：