本申请公开了一种倒装发光二极管和发光装置，该倒装发光二极管包括衬底、以及位于衬底上的半导体发光单元；半导体岛结构位于衬底上，并与半导体发光单元之间存在间隙；在倒装发光二极管处于通电状态时，半导体岛结构不发光。本申请设置有半导体岛结构，该半导体岛结构与半导体发光单元之间存在间隙，且不用于倒装发光二极管的导电发光；半导体岛结构所在区域作为顶针的作用区域，在顶针作用在上述区域时，能够避免顶针刺破或者顶破半导体发光单元处的保护层，从而避免倒装发光二极管出现漏电失效现象，提高倒装发光二极管的可靠性。提高倒装发光二极管的可靠性。提高倒装发光二极管的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
倒装发光二极管和发光装置
[0001]本申请涉及半导体相关
，尤其涉及一种倒装发光二极管和发光装置。
技术介绍
[0002]倒装发光二极管由于发光效率高、节能、环保、寿命长的特点，广泛应用于各个领域，例如照明、背光。对现有倒装发光二极管进行封装时，需要使用顶针作用在倒装发光二极管正面的某一区域，以将其顶起并进行固晶，顶针的作用区域常常为倒装发光二极管正面的中心区域。倒装发光二极管正面包括外延结构、透明导电层、电极以及用于对外延结构、透明导电层、电极进行保护的保护层和焊盘，保护层通常是由氧化硅材料制成，或者是由氧化硅与氧化钛组合形成的分布式布拉格反射镜。由于保护层的脆性，顶针作用在倒装发光二极管正面时，顶针易刺破或者顶破保护层，露出下面的外延结构、透明导电层或者电极，导致倒装发光二极管易出现漏电失效现象，并影响倒装发光二极管的可靠性。
技术实现思路
[0003]本申请的目的在于提供一种倒装发光二极管，其设置与半导体发光单元间隔开的半导体岛结构，该半导体岛结构所在区域作为顶针的作用区域，能够避免顶针刺破或者顶破半导体发光单元处的保护层，并避免倒装发光二极管出现漏电失效现象，提高倒装发光二极管的可靠性。
[0004]另一目的还在于提供一种发光装置，该发光装置包括上述的倒装发光二极管。
[0005]第一方面，本申请提供一种倒装发光二极管，其包括：
[0006]衬底；
[0007]至少一个半导体发光单元，位于衬底上；
[0008]半导体岛结构，位于衬底上，并与半导体发光单元之间存在间隙；在倒装发光二极管处于通电状态时，半导体岛结构不发光。
[0009]在一种可能的实施方案中，半导体岛结构位于该倒装发光二极管的中心区域。
[0010]在一种可能的实施方案中，半导体岛结构的上表面的宽度至少是30μm。
[0011]在一种可能的实施方案中，半导体岛结构的上表面形状是圆形或者多边形。
[0012]在一种可能的实施方案中，半导体岛结构的高度小于等于半导体发光单元的高度。
[0013]在一种可能的实施方案中，该倒装发光二极管还包括金属块，金属块位于半导体岛结构的上方。
[0014]在一种可能的实施方案中，金属块直接与半导体岛结构的上表面接触。
[0015]在一种可能的实施方案中，金属块的厚度介于0.5～10μm。
[0016]在一种可能的实施方案中，该倒装发光二极管还包括保护层，保护层至少覆盖半导体岛结构的上表面和侧壁。
[0017]在一种可能的实施方案中，保护层位于金属块与半导体岛结构之间，或者，保护层
位于金属块的上方。
[0018]在一种可能的实施方案中，该倒装发光二极管还包括第一焊盘和第二焊盘；
[0019]保护层覆盖的区域还包括半导体发光单元的上表面和侧壁；半导体发光单元包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；
[0020]第一焊盘位于保护层上，并穿过保护层与半导体发光单元中的第一半导体层电性连接，第二焊盘位于保护层上，并穿过保护层与半导体发光单元中的第二半导体层电性连接。
[0021]在一种可能的实施方案中，第一焊盘和第二焊盘均未在金属块的上方。
[0022]在一种可能的实施方案中，半导体发光单元的数量为1个。
[0023]在一种可能的实施方案中，半导体发光单元环绕于半导体岛结构的外围。
[0024]在一种可能的实施方案中，半导体发光单元的数量为多个，且多个半导体发光单元间隔布置；半导体发光单元的数量为奇数个或者偶数个。
[0025]在一种可能的实施方案中，半导体岛结构位于相邻半导体发光单元之间。
[0026]在一种可能的实施方案中，半导体岛结构位于该倒装发光二极管中心区域处的相邻半导体发光单元之间。
[0027]在一种可能的实施方案中，相邻半导体发光单元之间电性连接。
[0028]在一种可能的实施方案中，半导体岛结构与半导体发光单元之间的间隙的宽度自下而上递增。
[0029]第二方面，本申请提供一种发光装置，其包括上述的倒装发光二极管。
[0030]与现有技术相比，本申请至少具有如下有益效果：
[0031]在倒装发光二极管的中心区域处形成半导体岛结构，该半导体岛结构与半导体发光单元之间存在间隙，且不用于倒装发光二极管的导电发光；半导体岛结构所在区域作为顶针的作用区域，在顶针作用在上述区域时，顶针所刺破或顶破保护层的裂缝仅延伸至半导体岛结构的上表面或者侧壁周围，在一定程度上可避免裂缝直接传递到半导体发光单元处的保护层上，从而避免倒装发光二极管因半导体发光单元处的保护层被刺破或者顶破而出现的漏电失效现象，提高倒装发光二极管的可靠性。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0033]图1为根据本申请实施例示出的一种倒装发光二极管的俯视图；
[0034]图2为根据本申请实施例示出的一种图1的A
‑
A截面示意图；
[0035]图3为根据本申请实施例示出的一种图1的A
‑
A截面示意图；
[0036]图4为根据本申请实施例示出的一种图1的A
‑
A截面示意图；
[0037]图5为根据本申请实施例示出的一种倒装发光二极管的俯视图；
[0038]图6为根据本申请实施例示出的一种图5的A
‑
A截面示意图；
[0039]图7为根据本申请实施例示出的一种图5的A
‑
A截面示意图；
[0040]图8为根据本申请实施例示出的一种图5的A
‑
A截面示意图；
[0041]图9为根据本申请实施例示出的一种图5的B
‑
B截面示意图；
[0042]图10～图12为根据本申请实施例示出的一种倒装发光二极管处于不同制备阶段的A
‑
A截面示意图。
[0043]图示说明：
[0044]100衬底；200半导体堆叠层；201第一半导体层；202有源层；203第二半导体层；210半导体发光单元；220半导体岛结构；230沟槽；240隔离槽；300电流阻挡层；400透明导电层；500第一电极；510第二电极；520互连电极；600保护层；700第一焊盘；710第二焊盘；800金属块。
具体实施方式
[0045]以下通过特定的具体实施例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或营业，本申请中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种倒装发光二极管，其特征在于，包括：衬底；至少一个半导体发光单元，位于所述衬底上；半导体岛结构，位于所述衬底上，并与所述半导体发光单元之间存在间隙；在所述倒装发光二极管处于通电状态时，所述半导体岛结构不发光。2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述半导体岛结构位于该倒装发光二极管的中心区域。3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述半导体岛结构的上表面的宽度至少是30μm。4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述半导体岛结构的上表面形状是圆形或者多边形。5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述半导体岛结构的高度小于等于所述半导体发光单元的高度。6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，还包括金属块，所述金属块位于所述半导体岛结构的上方。7.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述金属块直接与所述半导体岛结构的上表面接触。8.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述金属块的厚度介于0.5～10μm。9.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于，还包括保护层，所述保护层至少覆盖所述半导体岛结构的上表面和侧壁。10.根据权利要求9所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述保护层位于所述金属块与所述半导体岛结构之间，或者，所述保护层位于所述金属块的上方。11.根据权利要求9或10所述的倒装发光二极管，其特征在于，还包括第一焊盘和第二焊盘；所述保护层覆盖的区域还包括所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘士伟，徐瑾，石保军，王水杰，刘可，陈大钟，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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