激光二极管和用于制造激光二极管的方法技术

一种激光二极管(1)，包括：

【技术实现步骤摘要】
激光二极管和用于制造激光二极管的方法
[0001]本专利技术申请是申请日期为2018年5月30日、申请号为“201880036614.1”、专利技术名称为“激光二极管和用于制造激光二极管的方法”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]提出一种激光二极管。此外，提出一种用于制造激光二极管的方法。

技术实现思路

[0003]要实现的目的尤其是，提出一种激光二极管，其具有改进的放射特性。另一要实现的目的是，提出一种激光二极管，其具有特别紧凑的结构方式。另一要实现的目的是，提出一种激光二极管，其是对眼睛特别安全的。另一要实现的目的是，提出一种用于制造这种激光二极管的方法。
[0004]激光二极管例如是半导体激光二极管，其设置用于在常规运行中发射电磁辐射。尤其，激光二极管设置用于，发射一个波长范围的相干电磁辐射。例如，发射的电磁辐射的功率密度分布，横向于发射的电磁辐射的传播方向，具有高斯轮廓。电磁辐射例如是在红外辐射至UV辐射的光谱范围内的电磁辐射。
[0005]根据至少一个实施方式，激光二极管包括表面发射的半导体激光器，其设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光二极管(1)，所述激光二极管包括：
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表面发射的半导体激光器(10)，所述半导体激光器设置用于发射电磁辐射(E)；和
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光学元件(20)，所述光学元件沿放射方向(L)设置在所述半导体激光器(10)下游，其中
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所述光学元件(20)包括衍射结构(200)或元光学结构(200)或透镜结构(200)，
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所述光学元件(20)和所述半导体激光器(10)材料配合地彼此连接，
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所述光学元件(20)和所述半导体激光器(10)借助于连接机构(50)彼此材料配合地连接，
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所述连接机构(50)将所述半导体激光器(10)和所述光学元件(20)沿横向方向(R)包围，
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所述半导体激光器(10)和所述光学元件(20)在俯视图中由辐射可穿透的覆盖层(91)遮盖，并且
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所述覆盖层(91)的材料和层厚度选择为，使得所述覆盖层(91)对于可见光谱范围内的光辐射不可穿透地构成而对于红外光谱范围内的光辐射可穿透地构成。2.根据权利要求1所述的激光二极管(1)，其中所述光学元件(20)与表面发射的所述半导体激光器(10)的朝向所述光学元件(20)的辐射出射侧(10a)直接接触。3.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，其中所述光学元件(20)由如下材料形成，所述材料具有与所述连接机构(50)相同的折射率。4.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，其中在所述光学元件(20)和所述半导体激光器(10)之间的区域由非气态的材料填充。5.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，其中所述光学元件(20)不完全地覆盖所述半导体激光器(10)的朝向所述光学元件的辐射出射侧(10a)。6.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，其中所述光学元件(20)沿横向方向(R)与所述半导体激光器(10)齐平。7.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，其中所述衍射结构(200)或所述元光学结构(200)或所述透镜结构(200)与所述半导体激光器(10)的朝向所述光学元件(20)的辐射出射侧(10a)间隔开地设置。8.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，其中仅在所述光学元件(20)的向外露出的面(1a)上设置有防反射层(8)。9.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，其中在所述半导体激光器(10)的朝向所述光学元件(20)的面(10a)上设置有电接触面(4)，并且所述接触面(4)不由所述光学元件(20)覆盖。10.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，其中所述半导体激光器(10)仅在背离所述光学元件(20)的侧上具有电接触面(4)。11.根据权利要求1所述的激光二极管(1)，所述激光二极管具有掩模(25)，其中
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所述掩模(25)沿竖直方向在所述光学元件(20)和所述半导体激光器(10)之间构成，
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所述掩模(25)设置用于产生象形图。12.根据权利要求11所述的激光二极管(1)，所述激光二极管具有间隔保持件(51)，其中
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所述间隔保持件(51)沿竖直...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰克，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：