提出一种具有载体(1)和设置在载体上的具有光学有源层(23)的半导体本体(2)的器件(100)，其中载体具有金属的载体层(3)，所述载体层连贯地构成并且机械地稳定所述器件。此外，载体具有镜层(5)，所述镜层设置在半导体本体和载体层之间。...

提出一种发射辐射的半导体芯片(1)，所述半导体芯片包括：‑半导体本体(2)，所述半导体本体具有设置用于产生辐射的有源区域(20)；‑第一接触层(3)，所述第一接触层具有用于外部电接触半导体芯片的第一接触面(31)和与第一接触面连接的第一...

本发明涉及一种光电子半导体芯片(1)，其包括：半导体本体(10)、第一接触部位(11)和第二接触部位(12)、重新布线结构(20)以及第一连接部位(21)和第二连接部位(22)，其中所述半导体本体(10)具有多个发射区域(100)，所述...

提出一种器件，所述器件具有：衬底(1)；第一半导体本体(2)；第二半导体本体(4)和第一过渡区(3)，其中第一半导体本体的第一有源层(23)设计用于产生第一峰值波长的电磁辐射，并且第二半导体本体的第二有源层(43)设计用于产生第二峰值波...

本发明涉及一种具有多个发射区域(20)的3D显示元件(2)，所述发射区域设计用于：发射电磁辐射(L)，其中‑将至少一些发射区域(20)与第一组或第二组(21，22)相关联，其中‑借助于第一组(21)的发射区域(20)分别显示图像(B)的...

提出一种用于具有芯(20)和纵轴线(25)的光导体(2)的安装结构(1)，其中安装结构具有保持装置(3)，光导体可倾斜于或者垂直于纵轴线引入保持装置中，并且其中安装结构设置用于建立到光导体的芯的光耦合。此外提出一种具有安装结构的壳体(7...

本发明涉及一种半导体光源(1)，所述半导体光源包括激光器(2)和发光材料(3)。激光器(2)包括具有用于产生激光辐射(L)的有源区(22)的半导体本体(21)。在激光器(2)中构成具有谐振器镜(25)和纵轴线(24)的谐振器(23)。激...

在一个实施方式中，半导体层序列(1)包括n型传导的n型区域(2)和p型传导的p型区域(5)以及位于其之间的有源区(4)。有源区(4)包括至少一个量子阱(41)并且设计用于产生辐射。半导体层序列(1)由材料体系AlInGaN构成并且n型区...

本发明涉及一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有半导体层序列，所述半导体层序列具有至少一个有源层和脊波导结构，所述脊波导结构具有脊部，所述脊部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述脊部在垂直于纵向方向的横向方向上通过脊部侧...

一种发光半导体芯片，所述发光半导体芯片具有：‑辐射可穿透的衬底(101)，‑在衬底(101)的主面(104)上的外延生长的半导体层序列(102)，‑在半导体层序列(102)的背离衬底(101)的接触侧(114)上的第一接触部(105)和...

提出一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有：‑半导体本体(2)，所述半导体本体包括发射区域(5)；和‑第一联接元件(3)，所述第一联接元件在发射区域(5)中电接触半导体本体(2)，其中‑半导体本体(2)在发射区域(5)中与第一联...

描述一种用于制造激光二极管棒(10)的方法，所述方法具有如下步骤：制造多个并排设置的发射器(1，2)；检查发射器(1，2)的至少一个光学和/或电学特性，其中光学和/或电学特性处于预设的期望值域之内的发射器(1)归属于第一发射器(1)的组...

提出一种用于制造多个激光二极管(1)的方法，具有如下方法步骤：在复合件(20)中提供多个激光棒(2)，其中激光棒(2)分别包括多个彼此并排设置的激光二极管元件(3)，并且激光二极管元件(3)具有共同的衬底(4)和各一个设置在衬底(4)上...

提出一种电子组件(1)，其中‑第一导电结构(201)与第一电接触部位(301)导电地连接；‑第二导电结构(202)与第二电接触部位(302)导电地连接；‑第三导电结构(203)与热接触部位(303)导电地连接；‑器件(50)与第一和第二...

提出一种用于装配载体的方法，所述方法包括步骤A)，在所述步骤中提供多个分别具有电子器件(1)的色料(100)。此外，每个色料包括可熔化的焊接材料(2)，所述焊接材料直接邻接于器件的安装侧(10)。每个色料的至少63体积％通过焊接材料形成...

提出一种用于制造光电子组件(100)的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供载体板(10)，所述载体板包括玻璃；‑将转换层(2)施加到载体板(10)上，所述转换层包括发光转换材料；‑将至少两个光电子半导体芯片(3)在转换层的背离载体板(10...

本发明涉及一种具有电组件的装置，其中组件具有电器件、控制电路和电容器，其中设有至少两个导体框，其中导体框嵌入壳体中，并且其中器件、控制电路和电容器设置在导体框上，其中控制电路构成用于对电容器充电，其中控制电路构成用于对器件以时钟方式供应...

在一个实施方式中，边缘发射的半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生辐射的有源区(22)。电的接触接片(3)处于半导体层序列(2)的上侧(20)上。接触接片(3)仅在一个电接触区域(30)中施加在上侧(20...

提出一种器件(100)，其具有半导体芯片(1)、包套(3)和反射器(2)，其中半导体芯片(1)具有前侧(11)、背离前侧(11)的后侧(12)和侧面(10)，其中半导体芯片(1)至少部分地能够经由其后侧(12)电接触，反射器(2)在横向...

一种光电子半导体芯片(1)，具有：半导体本体(30)，所述半导体本体包括n型传导区域(301)、p型传导区域(302)和设置在n型传导区域(301)和p型传导区域(302)之间的有源区域(303)；第一镜(10)，所述第一镜包含第一金属...