用于制造激光二极管棒的方法和激光二极管棒技术

描述一种用于制造激光二极管棒(10)的方法，所述方法具有如下步骤：制造多个并排设置的发射器(1，2)；检查发射器(1，2)的至少一个光学和/或电学特性，其中光学和/或电学特性处于预设的期望值域之内的发射器(1)归属于第一发射器(1)的组，并且至少一个光学和/或电学特性在预设的期望值域之外的发射器(2)归属于第二发射器(2)的组；以及电接触第一发射器(1)，其中第二发射器(2)未被电接触，使得所述第二发射器在激光二极管棒(10)运行时不被供给电流。此外，提出一种可利用该方法制造的激光二极管棒(10)。

Method and Laser Diode Bar for Manufacturing Laser Diode Bar

A method for manufacturing a laser diode rod (10) is described. The method has the following steps: manufacturing a plurality of side-by-side transmitters (1, 2); checking at least one optical and/or electrical characteristic of the transmitter (1, 2), where the optical and/or electrical characteristic is within a preset expected range, and the transmitter (1) belongs to the group of the first transmitter (1) and at least one optical and/or electrical characteristic is included. The transmitter (2) with electrical characteristics outside the preset expected range belongs to the group of the second transmitter (2); and the first transmitter (1) with electrical contact, in which the second transmitter (2) is not electrically contacted, so that the second transmitter is not supplied with current when the laser diode rod (10) is running. In addition, a laser diode rod (10) which can be manufactured by this method is proposed.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造激光二极管棒的方法和激光二极管棒
本专利技术涉及一种用于制造激光二极管棒的方法和一种激光二极管棒，所述激光二极管棒可以利用该方法来制造。本专利申请要求德国专利申请102016111058.2的优先权，其公开内容通过引用结合于此。
技术介绍
尤其地，该方法设为用于如下激光二极管棒，所述激光二极管棒基于氮化物化合物半导体材料，尤其是InAlGaN。这样的激光二极管棒尤其可以发射在可见光谱范围中的辐射。但是，由氮化物化合物半导体制造高效的激光二极管棒是困难的，因为在该材料体系中与其他材料体系、譬如InAlGaAs相比会出现提高的缺陷密度。
技术实现思路
要解决的任务在于，提出一种激光二极管棒和一种用于其制造的方法，其中激光二极管棒的特征在于改进的效率。该任务通过根据独立权利要求所述的用于制造激光二极管棒的方法和激光二极管棒来解决。本专利技术的有利的设计方案和改进方案是从属权利要求的主题。根据用于制造激光二极管棒的方法的至少一个实施形式，制造多个并排设置的发射器，其中发射器可以有利地单独地电接触。发射器尤其分别具有适合于发射激光辐射的半导体层序列。发射器的半导体层序列例如分别具有n型半导体区域、p型半导体区域和设置在其之间的有源层，所述有源层适合于产生激光辐射。n型半导体区域、有源层和p型半导体区域可以分别具有一个或多个子层。可能的是，n型半导体区域、有源层和p型半导体区域包含一个或多个未掺杂的层。此外，发射器分别在激光二极管棒的第一主面上具有p接触部和在与第一主面相对置的第二主面上具有n接触部。换言之，从有源层来看，p接触部和n接触部彼此相对置。第一主面可以朝向载体，譬如热沉，和用作为用于激光二极管棒的安装面。第二主面可以是激光二极管棒的背离载体的表面。在该方法中，检查发射器的至少一个光学和/或电学特性。在此情况下，如下发射器归属于第一发射器的组，在所述发射器中光学和/或电学特性处于预设的期望值域之内。另一方面，如下发射器归属于第二发射器的组，在所述发射器中光学和/或电学特性处于预设的期望值域之外。发射器归属于第一发射器的组或第二发射器的组例如可以通过如下方式进行：执行发射器的测试运行，并且在此情况下测量至少一个电学和/或光学特性。在测试运行中，发射器可以至少临时地电接触并且借助电流来运行。电学和/或光学特性尤其可以是在预设的电流下的发射强度。此外，在发射器中检查的电学和/或光学特性例如可以是阈值电流强度，在该阈值电流强度下发射器的激光发射开始。在后续的方法步骤中，电接触第一发射器。电接触尤其可以包括：构建至第一发射器的馈电线，所述馈电线设为用于，在激光二极管棒运行时用电流供给第一发射器。作为馈电线尤其可以设置接合线。另一方面，第二发射器未被电接触，使得所述第二发射器在激光二极管棒运行时未被供给电流。例如可以提出，第一发射器分别与接合线接触，而在第二组的发射器中电接触部中的至少一个电接触部、例如p接触部不设有馈电线、譬如接合线。替选地例如也可以提出，所有发射器的两个电接触部首先都设有馈电线、譬如接合线，并且之后再次将第二发射器的至少一个电接触部的馈电线移除或切断。为此，例如可以将设为用于建立电联接的接合线切断或移除。通过根据这里所提出的原理的方法实现：在制成的激光二极管棒运行时仅如下的发射器供给电流，对于所述发射器，至少一个被检查的电学/光学特性处于预设的期望值域之内。以此方式有利地避免，在激光二极管棒运行时也对如下的发射器供给电流，所述发射器例如由于制造公差和/或缺陷对辐射的发射没有贡献或至少贡献不足。第二发射器的组尤其可以包括有故障的发射器，在所述发射器中在预设的工作电流强度下不超过阈值电流强度。通过在这里所描述的方法中这种有故障的发射器未被电联接(angeschlossen)的方式防止，这些发射器在制成的激光二极管棒运行时具有电通流(stromfluss)并且对激光二极管棒的发热有贡献，而对辐射发射没有贡献。通过避免有故障的发射器的电联接，因此减小了激光二极管棒的电流消耗并且改善效率。在一个设计方案中，发射器的n接触部与n联接层(Anschlussschicht)连接，所述n联接层设置在第二主面上并且具有n联接面。n联接面尤其可以背离激光二极管棒的载体。n联接面可以构成为用于激光二极管棒的所有发射器的共同的n联接面。n联接层尤其可以是金属层。在一个优选的设计方案中，发射器的p接触部分别与p联接层连接，所述p联接层从第一主面穿过在半导体层序列中的穿通部引导至第二主面，并且在第二主面上构成p联接面。p联接层可以如n联接层一样尤其是金属层。n联接面和p联接面在第二主面上尤其露出进而有利地可以从外部借助馈电线、譬如接合线电接触。在另一设计方案中，发射器的p接触部分别借助于p联接层连接，所述p联接层从第一主面经由激光二极管棒的侧棱面(Seitenfacette)引导至第二主面。p联接层在此情况下在激光二极管棒的第二主面上有利地具有p联接面。如在上文所描述的设计方案中那样，在此情况下不仅发射器的n联接面、而且发射器的p联接面设置在激光二极管棒的第二主面上。n联接面和p联接面在第二主面上尤其露出从而有利地可以从外部借助馈电线、譬如接合线电接触。在另一设计方案中，激光二极管棒在第一主面上安装到载体上。载体例如可以是基板(Submount)或热沉。在该设计方案中，发射器的p接触部分别与p联接层连接，所述p联接层与载体上的导电的连接层连接。在该设计方案中，设置在载体上的连接层可以具有p联接面。在此情况下，在载体上的p联接面通过导电的连接层的表面构成。发射器的p联接面尤其可以在载体上设置在激光二极管棒旁边。p联接面优选在载体的表面上露出进而从外部可自由触及。在该方法的一个设计方案中，电接触第一发射器包括：第一发射器的p联接面设有馈电线、譬如接合线。另一方面优选地，第二发射器的p联接面不设有馈电线，使得所述第二发射器在制成的激光二极管棒中未供给电流。在第二发射器的p联接面上例如没有安置接合线，或将之前安置的接合线移除或切断。该方法对于如下激光二极管棒是特别有利的，所述激光二极管棒的半导体层序列基于氮化物化合物半导体材料。该半导体层序列尤其可以包括由材料体系InxAlyGa1-x-yN构成的层，其中0≤x≤1，0≤y≤1和x+y≤1。在制造氮化物化合物半导体层时可行的是，与其他材料体系、譬如砷化物化合物半导体相比出现提高的缺陷密度。这尤其会导致，发射器的阈值电流强度彼此偏差。在预设的工作电流强度下因此可能的是，激光二极管棒的各个发射器不发射激光，但消耗电流并且贡献于激光二极管棒的加热。在这里所描述的方法中，该效应通过如下方式减小，在制造时确定有故障的发射器，并且在激光二极管棒制成时并不联接有故障的发射器。此外，提出激光二极管棒，所述激光二极管棒可以利用该方法来制造。根据至少一个设计方案，激光二极管棒包括多个并排设置的发射器。在此情况下，尤其每个发射器都是激光二极管。发射器的发射方向尤其彼此平行地伸展。激光二极管棒优选具有第一侧棱面和第二侧棱面，其优选设有反射覆层，用以构成用于发射器的激光谐振器。侧棱面中的一个侧棱面在此情况下有利地用作为用于激光辐射的辐射出射面和优选地具有比其相对置的侧棱面小的反射率。激光二极管棒优选本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造激光二极管棒(10)的方法，所述方法具有如下步骤：‑制造多个并排设置的发射器(1，2)，其中所述发射器(1，2)分别具有带有适合于产生激光辐射的有源层(14)的半导体层序列(11)、在所述激光二极管棒(10)的第一主面(17)上的p接触部(12)和在所述激光二极管棒(10)的与所述第一主面(17)相对置的第二主面(18)上的n接触部(16)，‑检查所述发射器(1，2)的至少一个光学和/或电学特性，其中将所述光学和/或电学特性处于预设的期望值域之内的发射器(1)归属于第一发射器(1)的组，并且将所述至少一个光学和/或电学特性处于所述预设的期望值域之外的发射器(2)归属于第二发射器(2)的组，以及‑电接触所述第一发射器(1)，其中不电接触所述第二发射器(2)，在所述激光二极管棒(10)运行时不对所述第二发射器供给电流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.16 DE 102016111058.21.一种用于制造激光二极管棒(10)的方法，所述方法具有如下步骤：-制造多个并排设置的发射器(1，2)，其中所述发射器(1，2)分别具有带有适合于产生激光辐射的有源层(14)的半导体层序列(11)、在所述激光二极管棒(10)的第一主面(17)上的p接触部(12)和在所述激光二极管棒(10)的与所述第一主面(17)相对置的第二主面(18)上的n接触部(16)，-检查所述发射器(1，2)的至少一个光学和/或电学特性，其中将所述光学和/或电学特性处于预设的期望值域之内的发射器(1)归属于第一发射器(1)的组，并且将所述至少一个光学和/或电学特性处于所述预设的期望值域之外的发射器(2)归属于第二发射器(2)的组，以及-电接触所述第一发射器(1)，其中不电接触所述第二发射器(2)，在所述激光二极管棒(10)运行时不对所述第二发射器供给电流。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述n接触部(12)与n联接层(3)连接，所述n联接层设置在所述第二主面(18)上并且构成n联接面(4)，并且其中所述n联接面构成为用于所述激光二极管棒(10)的所有发射器(1，2)的共同的联接面。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述发射器(1，2)的p接触部(16)分别与p联接层(5)连接，所述p联接层从所述第一主面(17)穿过在所述半导体层序列(11)中的穿通部(7)引导至所述第二主面(18)，并且在所述第二主面(18)上具有p联接面(6)。4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述发射器(1，2)的p接触部(16)分别与p联接层(5)连接，所述p联接层从所述第一主面(17)经由所述激光二极管棒(10)的侧棱面(19)引导至所述第二主面(18)，并且在所述第二主面(18)上具有p联接面(6)。5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述激光二极管棒(10)在所述第一主面(17)上借助于连接层(24)安装到载体(21)上，以及所述p接触部(16)借助于p联接层(5)与所述连接层(24)导电地连接，并且其中所述连接层(24)在所述载体(21)上具有p联接面(6)。6.根据权利要求3至5中任一项所述的方法，其中电接触所述第一发射器(1)包括：对所述第一发射器(1)的p联接面(6)分别设...

【专利技术属性】
技术研发人员：克莱门斯·菲尔海利希，安德烈亚斯·莱夫勒，斯文·格哈德，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE