电子组件和用于制造电子组件的方法技术

提出一种电子组件(1)，其中‑第一导电结构(201)与第一电接触部位(301)导电地连接；‑第二导电结构(202)与第二电接触部位(302)导电地连接；‑第三导电结构(203)与热接触部位(303)导电地连接；‑器件(50)与第一和第二导电结构(201，202)导电地连接；‑电保护元件(60)与第三导电结构(203)和第一或第二导电结构(201、202)导电地连接。

Electronic components and methods for manufacturing electronic components

An electronic component (1) is proposed, in which the first conductive structure (201) is connected with the first electrical contact part (301); the second conductive structure (202) is connected with the second electrical contact part (302); the third conductive structure (203) is connected with the thermal contact part (303); the device (50) is connected with the first and second conductive structure (201, 202); and the electric protection element (60) is connected with the first and second conductive structure (201, 202). The third conductive structure (203) is electrically connected with the first or second conductive structure (201, 202).

【技术实现步骤摘要】
电子组件和用于制造电子组件的方法相关申请的交叉参引本申请要求德国专利申请102017117165.7的优先权，其公开内容通过参考并入本文。
要实现的目的还在于：提出一种电子组件，所述电子组件具有改进的ESD稳定性和/或改进的热学特性。另一要实现的目的在于：提出一种用于制造这种电子组件的方法。
技术介绍
电子组件例如为光电子组件，尤其为光电子半导体芯片。例如，电子组件构建用于发射和/或用于探测电磁辐射。特别地，电子组件在该情况下为激光二极管，光电二极管或发光二极管。
技术实现思路
根据至少一个实施方式，电子组件包括载体，所述载体具有第一无机绝缘层和第二无机绝缘层，在所述第一无机绝缘层和第二无机绝缘层之间设置有金属芯。第一无机绝缘层和第二无机绝缘层例如借助电绝缘材料形成。第一无机绝缘层和第二无机绝缘层例如能够借助陶瓷材料形成。特别地，第一无机绝缘层和第二无机绝缘层借助相同的材料形成。例如，第一无机绝缘层和第二无机绝缘层能够借助氧化铝Al2O3形成。例如，第一无机绝缘层和第二无机绝缘层沿垂直于其主延伸方向的竖直方向具有在5μm和80μm之间、尤其在20μm和40μm之间的厚度，其中包括边界值。优选地，第一无机绝缘层和第二无机绝缘层分别材料配合地机械固定地与金属芯连接。例如，金属芯借助金属材料、尤其铜形成。第一无机绝缘层和第二无机绝缘层例如能够借助于另一金属材料的阳极氧化来形成，所述另一金属材料电镀地沉积在金属芯上。特别地，金属材料和另一金属材料能够借助不同的金属形成。例如，金属材料能够借助铜形成，并且另一金属材料能够借助铝形成。替选地，第一无机绝缘层和第二无机绝缘层例如不能够增材地施加在金属芯上，而是能够通过变换、尤其氧化金属芯的材料来制造。金属芯例如能够借助铝形成。特别地，金属芯能够由铝构成。第一无机绝缘层和第二无机绝缘层例如能够借助氧化铝形成。例如，金属芯沿竖直方向具有在30μm和600μm之间、尤其在100μm和400μm之间的厚度，其中包括边界值。根据至少一个实施方式，电子组件包括第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构，所述第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构设置在载体的顶面上。载体的顶面例如是载体在其上侧的主面。特别地，载体的顶面借助第一无机绝缘层形成。导电结构例如借助金属、尤其铜形成。导电结构例如能够借助于电镀或借助于蒸镀制造。特别地，导电结构在共同的方法步骤中制造。例如，第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构不彼此直接接触。特别地，导电结构材料配合地固定地与第一无机绝缘层连接。导电结构能够在竖直方向上具有相同的厚度。根据至少一个实施方式，电子组件包括第一电接触部位和第二电接触部位和热接触部位，所述第一电接触部位和第二电接触部位和热接触部位设置在载体的底面上。载体的底面例如是载体在其下侧的与顶面相对置的主面。特别地，载体的顶面借助第二无机绝缘层形成。第一电接触部位、第二电接触部位和热接触部位例如借助金属、尤其铜形成。接触部位例如能够借助于电镀或借助于蒸镀来制造。特别地，接触部位在共同的方法步骤中制造。例如，接触部位不彼此直接接触。特别地，接触部位材料配合地固定地与第二无机绝缘层连接。特别地，电接触部位和热接触部位借助相同的材料形成。例如，电接触部位和热接触部位借助与导电结构相同的材料形成。接触部位能够在竖直方向上具有相同的厚度。第一电接触部位和第二电接触部位例如设计用于：借助于焊接导电地接触，使得经由第一和第二接触部位能够馈入预设的电流，或者在接触部位处能够施加预设的电压。热接触部位能够设计用于：传输其热量。特别地，电接触部位设计用于：与冷却体直接机械接触并且将在电子组件运行时形成的热量导出到冷却体上。例如，全部接触部位分别具有向外露出的面。特别地，电子组件能够具有多于两个、例如刚好三个或更多个电接触部位。例如，在电子组件正常运行时，电接触部位中的至少两个处于不同的电势。第三和另外的电接触部位例如能够设计用于：经由其在正常运行时能够传输信号。借助于信号例如能够传输数据和/或借助于信号能够操控器件。根据至少一个实施方式，电子组件包括器件和电保护元件，所述器件和电保护元件设置在载体的顶面的侧上。例如，器件和电保护元件能够设置在导电结构的背离载体的一侧上。特别地，器件和电保护元件与导电结构能够直接机械接触。例如，器件和电保护元件设置在不同的导电结构上。替选地，器件和/或电保护元件能够设置在共同的导电结构上。器件和/或电保护元件也能够横向地设置在导电结构旁边，并且直接机械固定地与第一无机绝缘层连接。器件例如为半导体器件。例如，器件借助于外延方法制造。特别地，器件包括有源区域，所述有源区域设计用于：发射和/或探测电磁辐射。电保护元件例如为二极管，所述二极管能够借助半导体材料形成。特别地，电保护元件能够包括多个二极管，尤其齐纳二极管，所述二极管例如串联地、反串联地、并联地或反并联地彼此互联。替选地，保护元件能够为压敏电阻，所述压敏电阻例如借助陶瓷材料形成。电保护元件例如设计用于：将电压限制于最大值。例如，电保护元件在预设的施加的电压之下具有小的导电性，并且在预设的电压之上具有提高的导电性。根据至少一个实施方式，第一导电结构与第一电接触部位导电地连接。例如，在载体中设置有第一过孔，所述第一过孔完全地从载体的顶面穿过载体延伸至底面。特别地，第一过孔与金属芯电绝缘。第一过孔例如由铜形成。特别地，第一过孔借助与第一导电结构和/或第一电接触部位相同的材料形成。例如，载体在第一过孔的区域中具有第三无机绝缘层，所述第三无机绝缘层设置在金属芯和第一过孔之间。例如，第三无机绝缘层借助与第一和第二无机绝缘层相同的材料形成。特别地，第三无机绝缘层和第一和第二无机绝缘层能够在共同的制造方法中制造。根据至少一个实施方式，第二导电结构与第二电接触部位导电地连接。例如，在载体中设置有第二过孔，所述第二过孔完全地从载体的顶面穿过载体延伸至底面。特别地，第二过孔与金属芯电绝缘。第二过孔例如由铜形成。特别地，第二过孔借助与第二导电结构和/或第二电接触部位相同的材料形成。例如，载体在第二过孔的区域中具有第三无机绝缘层，所述第三无机绝缘层设置在金属芯和第二过孔之间。根据至少一个实施方式，第三导电结构与热接触部位导电地连接。例如，在载体中设置有第三过孔，所述第三过孔完全地从载体的顶面穿过载体延伸至底面。特别地，第三过孔与金属芯电绝缘。第三过孔例如借助铜形成。特别地，第三过孔借助与第三导电结构和/或热接触部位相同的材料形成。替选地，第三导电结构能够借助于金属芯与热接触部位导电地连接。例如，在第一区域中移除第一无机绝缘层并且在第二区域中移除第二无机绝缘层。第三导电结构在第一区域中能够与金属芯直接接触，并且热接触部位在第二区域中能够与金属芯直接接触。根据至少一个实施方式，电保护元件与第三导电结构和第一导电结构或第二导电结构导电地连接。特别地，保护元件具有至少一个第一和第二接触件，在所述第一和第二接触件处能够电连接保护元件。例如，电保护元件设置在第一、第二或第三导电结构上并且借助第一接触件导电地与所述第一、第二或第三导电结构连接。借助于键合线，电保护元件能够在第二接触件处例如与导电结构连接，在所述导电结构上未设置有电保护元件。特别地，在正本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子组件(1)，所述电子组件具有：‑载体(10)，所述载体包括第一无机绝缘层(101)和第二无机绝缘层(102)，在所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间设置有金属芯(105)，‑第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构(201、202、203)，所述第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构设置在所述载体(10)的顶面(10a)上，‑第一电接触部位和第二电接触部位(301，302)和热接触部位(303)，所述第一电接触部位和所述第二电接触部位和所述热接触部位设置在所述载体(10)的底面(10b)上，‑器件(50)和电保护元件(60)，所述器件和所述电保护元件设置在所述载体的所述顶面(10a)的侧上，其中‑所述第一导电结构(201)与所述第一电接触部位(301)导电地连接，‑所述第二导电结构(202)与所述第二电接触部位(302)导电地连接，‑所述第三导电结构(203)与所述热接触部位(303)导电地连接，‑所述器件(50)与所述第一导电结构和第二导电结构(201，202)导电地连接，‑所述电保护元件(60)与所述第三导电结构(203)和所述第一导电结构或第二导电结构(201、202)导电地连接。...

【技术特征摘要】
2017.07.28 DE 102017117165.71.一种电子组件(1)，所述电子组件具有：-载体(10)，所述载体包括第一无机绝缘层(101)和第二无机绝缘层(102)，在所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间设置有金属芯(105)，-第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构(201、202、203)，所述第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构设置在所述载体(10)的顶面(10a)上，-第一电接触部位和第二电接触部位(301，302)和热接触部位(303)，所述第一电接触部位和所述第二电接触部位和所述热接触部位设置在所述载体(10)的底面(10b)上，-器件(50)和电保护元件(60)，所述器件和所述电保护元件设置在所述载体的所述顶面(10a)的侧上，其中-所述第一导电结构(201)与所述第一电接触部位(301)导电地连接，-所述第二导电结构(202)与所述第二电接触部位(302)导电地连接，-所述第三导电结构(203)与所述热接触部位(303)导电地连接，-所述器件(50)与所述第一导电结构和第二导电结构(201，202)导电地连接，-所述电保护元件(60)与所述第三导电结构(203)和所述第一导电结构或第二导电结构(201、202)导电地连接。2.根据上一项权利要求所述的电子组件(1)，其中-所述器件(50)不能够经由所述热接触部位(303)运行。3.根据上述权利要求中任一项所述的电子组件(1)，其中-所述电保护元件(60)将所述热接触部位(30)和所述第一导电结构或第二导电结构(201、202)之间的电压(U)限制于最大值。4.根据权利要求1所述的电子组件(1)，其中所述第一无机绝缘层和第二无机绝缘层(101，102)借助所述金属芯(105)的材料的氧化物形成。5.根据权利要求1所述的电子组件(1)，其中所述热接触部位(303)和所述电保护元件(60)借助于第三过孔(403)导电地连接，其中所述第三过孔(403)与所述金属芯(105)电绝缘。6.根据权利要求1所述的电子组件(1)，其中所述热接触部位(303)和所述电保护元件(60)借助于所述金属芯(105)彼此导...

【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯·施瓦茨，斯特凡·格勒奇，约尔格·埃里克·索格，克里斯托夫·克勒尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE