在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)。半导体层序列(2)包含n型传导区域(23)、p型传导区域(21)和位于其之间的有源区(22)。在谐振器段(3)中产生激光辐射。谐振器段(3)平行于有源区(22)定向。此外，半导...

在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)。半导体层序列(2)包含n型传导区域(23)、p型传导区域(21)和位于其之间的有源区(22)。在谐振器段(3)中产生激光辐射。谐振器段(3)平行于有源区(22)定向。此外，半导...

提出一种用于制造光电子器件的方法，其中该方法包括：通过光电子器件(10)的感应部件(4)感应地激励电流，使得激励光电子器件(10)以发射电磁辐射(2)；和测量光电子器件(10)的至少一个电子光学特性；和将转换材料(3)施加到光电子器件(...

一种光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片尤其呈薄膜芯片的形式，所述光电子半导体芯片包括载体(5)、以及芯片前侧、芯片后侧(52)和设置在载体(5)上的半导体本体(2)，所述半导体本体具有半导体层序列。半导体层序列包括有源区域(2...

提出一种器件，其包括至少一个光电子半导体芯片(42)，所述光电子半导体芯片具有：联接衬底(4)，所述联接衬底具有安装面(4a)和电接触结构；和‑多个结构化的半导体单元(2)，所述半导体单元分别具有多个单块连贯的像元(21)，所述像元分别...

提出一种半导体芯片，所述半导体芯片具有：‑载体(3)，所述载体包括第一导体本体(31)、第二导体本体(32)和成形体(33)；‑电绝缘层(4)，所述电绝缘层包括第一开口(41)和第二开口(42)，和‑第一和第二接合部位(51，52)，所...

提出一种光电子半导体芯片，其中是ALD层的封装层(13)完全地遮盖第一镜层(21)的背离p型传导的区域(3)的侧并且所述封装层局部地与第一镜层(21)直接接触。

提出一种用于制造器件(100)的方法，所述器件具有半导体本体(10)和复合载体(90)，其中半导体本体具有后侧的联接点，所述后侧的联接点嵌入部分硬化的连接层(92)中，其中在将用于构成器件的成形体(50)的成形体材料施加到复合载体上并且...

提出一种光电子半导体芯片(10)，其包括p型半导体区域(4)、n型半导体区域(6)和设置在p型半导体区域(4)和n型半导体区域(6)之间的有源层，所述有源层构成为多重量子阱结构(5)，其中多重量子阱结构(5)具有量子阱层(53)和势垒层...

提出一种用于制造光电子组件(10)的方法，其中借助第一掩模结构(2)定向地沉积金属化部(3)，并且随后将第一钝化材料(4a)非定向地沉积到金属化部(3)上。此外，将凹部(A)引入到半导体本体(1)中，使得凹部伸展直至n型半导体区域(1b...

提出一种用于在载体(1)上布置多个半导体结构元件(2)的方法，其中将半导体结构元件(2)的至少一部分布置成多个组(G)，并且一个组(G)的至少一个半导体结构元件(2)具有用于确定半导体结构元件(2)的相应的组(G)在载体(1)上的位置的...

本发明涉及一种器件(100)，所述器件具有第一部件(1)、第二部件(2)、连接元件(3)，所述连接元件设置在第一部件(1)和第二部件(2)之间，其中连接元件(3)具有至少一个第一相(31)和第二相(32)，其中第一相(31)包括具有浓度...

本发明涉及一种光电子器件(100)，所述光电子器件具有：半导体芯片(1)，所述半导体芯片设计用于至少经由辐射主面(11)发射辐射(5)；转换元件(2)，所述转换元件设置在半导体芯片(1)的光路中；封装元件(3)，所述封装元件具有覆盖元件...

在一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括第一传导类型的第一半导体区域(21)和第二传导类型的第二半导体区域(23)。在这两个半导体区域(21，23)之间存在有源区(22)，所述有源区设计用于产生光。第一电接触层(31)局部地直接位于...

本发明涉及一种用于制造光电子转换半导体芯片(61，62)的方法，所述方法具有如下步骤：A)提供生长衬底(1)；B)将半导体层序列(2)生长到生长衬底(1)上，C)将电接触件(3)施加到半导体层序列(2)的背离生长衬底(1)的后侧(12)...

提出一种光电子半导体器件，其包括：‑半导体本体(1)，所述半导体本体具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有p型的半导体区域(3)、n型的半导体区域(5)和设置在p型的半导体区域(3)和n型的半导体区域(5)之间的有源层(3)；‑载...

提出一种用于制造光电子半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：‑提供半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有发射光的和/或吸收光的有源区(12)和沿垂直于半导体层序列(1)的主延伸平面伸展的堆叠方向(z)设置在有源区(12)下游的覆盖面...

提出一种发光二极管(100)，所述发光二极管具有光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有辐射侧(16)、与辐射侧(16)相对置的接触侧(12)和横向于辐射侧(16)伸展的侧面(15)。在接触侧(12)上安置有用于外部电接触半导体...

提出一种器件(100)，所述器件具有载体(1)、半导体本体(2)和在竖直方向上至少局部地设置在载体和半导体本体之间的布线结构(8)，其中‑布线结构为了电接触半导体本体具有第一连接面(31)和第二连接面(32)，所述第一连接面和第二连接面...

本发明涉及一种用于连接至少两个部件(1，2)的方法，所述方法具有步骤：A)提供至少一个第一部件(1)和至少一个第二部件(2)，B)将至少一个施主层(3)施加到第一部件和/或所述第二部件(1，2)上，其中施主层(3)积聚有氧(31)，C)...