光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法技术

一种光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片尤其呈薄膜芯片的形式，所述光电子半导体芯片包括载体(5)、以及芯片前侧、芯片后侧(52)和设置在载体(5)上的半导体本体(2)，所述半导体本体具有半导体层序列。半导体层序列包括有源区域(20)，所述有源区域设置在第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间。所述有源区域用于产生或接收电磁辐射。第一半导体层(21)与第一接触件(41)导电连接，其中第一接触件(41)在芯片前侧上、尤其在有源区域(20)旁边构成。第二半导体层(22)与第二接触件(42)导电连接，并且第二接触件(42)同样在芯片前侧上、尤其在有源区域(20)旁边构成。电绝缘的分离层(6)在电端子层(31)和载体(5)之间或在载体之内构成。

Optoelectronic semiconductor chip and method for manufacturing optoelectronic semiconductor chip

An optoelectronic semiconductor chip (1), the optoelectronic semiconductor chip, in particular the form of a film chip, which includes a carrier (5), and a chip front side, a chip back side (52) and a semiconductor body (2) set on the carrier (5), and the semiconductor body has a semiconductor layer sequence. The semiconductor layer sequence includes an active region (20), and the active region is arranged between the first semiconductor layer (21) and the second semiconductor layer (22). The active region is used to generate or receive electromagnetic radiation. The first semiconductor layer (21) is electrically connected with the first contact piece (41), wherein the first contact piece (41) is formed on the front side of the chip, especially beside the active area (20). The second semiconductor layer (22) is electrically connected with the second contact (42), and the second contact (42) is also formed on the front side of the chip, especially next to the active region (20). The electrical isolation layer (6) is formed between the electrical terminal layer (31) and the carrier (5) or within the carrier.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法
本专利技术涉及一种光电子半导体芯片和一种用于制造光电子半导体芯片的方法。
技术介绍
薄膜发光二极管芯片特征性地由用于产生和/或接收辐射的半导体本体、载体(例如Si、Ge)以及第一和第二电端子层构成，所述载体不对应于用于外延制造发光层序列的生长衬底，所述电端子层借助于分离层彼此电绝缘。图3示出构成表面发射器的现有技术中的薄膜发光二极管芯片的示意剖面图。发光二极管芯片(1)具有半导体本体(2)，所述半导体本体包括半导体层序列。半导体层序列尤其具有有源区域(20)，所述有源区域构成用于产生和/或接收辐射。典型地，有源区域(20)设置在具有不同的传导类型的第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间。例如，朝向前侧的第一半导体层(21)是n型传导的，并且背离前侧的第二半导体层(22)是p型传导的。半导体本体(2)设置在导电的载体(5)的前侧(51)上。在半导体本体(2)和载体(5)之间典型地存在第一电端子层(31)和第二电端子层(32)以及用于将所述电端子层电分离的绝缘的分离层(9)。第一半导体层(21)的接触经由半导体本体(2)中的凹部(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有：载体(5)；和设置在所述载体(5)上的半导体本体(2)，所述半导体本体具有半导体层序列；以及芯片前侧和芯片后侧，其中‑所述半导体层序列包括有源区域(20)，所述有源区域设置在第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间，并且所述有源区域设置用于产生或接收电磁辐射，‑所述第一半导体层(21)与第一接触件(41)导电连接，‑所述第一接触件(41)在所述芯片前侧上、尤其在所述有源区域(20)旁边构成，‑所述第二半导体层(22)与第二接触件(42)导电连接，‑所述第二接触件(42)同样在所述芯片前侧上、尤其在所述有源区域(20)旁边构成，并且‑电...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.29 DE 102015116495.71.一种光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有：载体(5)；和设置在所述载体(5)上的半导体本体(2)，所述半导体本体具有半导体层序列；以及芯片前侧和芯片后侧，其中-所述半导体层序列包括有源区域(20)，所述有源区域设置在第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间，并且所述有源区域设置用于产生或接收电磁辐射，-所述第一半导体层(21)与第一接触件(41)导电连接，-所述第一接触件(41)在所述芯片前侧上、尤其在所述有源区域(20)旁边构成，-所述第二半导体层(22)与第二接触件(42)导电连接，-所述第二接触件(42)同样在所述芯片前侧上、尤其在所述有源区域(20)旁边构成，并且-电绝缘的分离层(6)，所述分离层将所述半导体芯片的所述芯片后侧与所述有源区域(20)电绝缘，其中电绝缘的所述分离层(6)包括至少一个第一分离层(61)，所述第一分离层具有至少一个原子子层的层或至少一个分子子层的层。2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中在所述载体的前侧(51)上、在所述载体(52)的后侧上或在所述载体(5)之内设置有绝缘的所述分离层(6)。3.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片，其中所述原子子层的层和/或分子子层的层具有一个或多个子层。4.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片，其中所述第一分离层(61)具有至少一种或多种绝缘的氧化物化合物或氮化物化合物或者下述材料中的一种或多种：AlxOy,SiO2,TaxOy,TaN,TiO,SiN,AlN,TiN,ZrO2,HfO2,HfSiO4,ZrSiO4,HfSiON。5.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片，其中电绝缘的所述分离层(6)具有由电绝缘材料构成的层序列。6.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片，其中所述层序列包括所述第一分离层(16)和至少一个第二分离层(62)，所述第二分离层(62)具有一个或多个通过气相沉积或溅射方法沉积的子层。7.根据权利要求6所述的半导体芯片，其中-所述层序列具有第三分离层(63)，并且其中所述第三分离层(63)具有一个或多个通过气相沉积或通过溅射方法沉积的子层，和-所述第一分离层(61)至少部分地由所述第二分离层和第三分离层(62，63)包围。8.根据权利要求7所述的半导体芯片，其中所述第二分离层和/或所述第三分离层(62，63)具有至少一种或多种绝缘的氧化物化合物或氮化物化合物或者下述材料中的一种或多种：SiNx,Si-ON,SiO2,AlxOy,TaxOy,TaN,TiO,SiN,AlN,TiN,ZrO2,HfO2,HfSiO4,ZrSiO4,HfSiON。9.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片，其中所述载体(5)具有导电材料、半导电材料、模制材料、陶瓷材料和/或高阻材料。10.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片，其中所述第一半导体层(21)设置在所述有源区域(20)的背离所述载体(5)的一侧上，并且所述第一半导体层(21)经由第一端子层(31)与所述第一接触件(41)连接。11.根据上述权利要求中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖纳·哈特曼，马丁·曼德尔，西梅昂·卡茨，安德烈亚斯·吕克尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE