用于制造器件的方法和器件技术

提出一种用于制造器件(100)的方法，所述器件具有半导体本体(10)和复合载体(90)，其中半导体本体具有后侧的联接点，所述后侧的联接点嵌入部分硬化的连接层(92)中，其中在将用于构成器件的成形体(50)的成形体材料施加到复合载体上并且固定在半导体本体上之前，硬化连接层，以形成由半导体本体和复合载体构成的牢固的复合件。此外，提出一种器件，所述器件尤其通过这种方法制造，其中成形体(50)覆盖半导体本体(10)的侧面，在载体层(91)的俯视图中全环周地包围成形体并且与连接层(92)重叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造器件的方法和器件相关申请的交叉参引本申请要求德国专利申请102015214219.1的优先权，其公开内容借此通过参考并入本文。
提出一种用于制造器件的方法和一种器件。
技术介绍
在将壳体直接构成在半导体芯片上时通常出现如下困难：半导体芯片例如在浇注法期间不充分地固定，或者壳体材料由于高浓度的包含在壳体材料中的杂质颗粒不充分地附着在半导体芯片的侧面上。制成的器件通常也承受从半导体芯片中的不充分的散热以及承受关于在壳体的接触结构和半导体芯片的接触结构之间的机械连接的潜在的薄弱点。
技术实现思路
一个目的是：提出用于制造一个器件或多个器件的简化的且同时有效的方法。另一目的是：提出一种具有高的机械稳定性的可简单制造的器件。根据用于制造器件的方法的至少一个实施方式，提供半导体本体。半导体本体在早期的方法阶段中是半导体芯片的一部分。半导体芯片优选是具有半导体本体的蓝宝石半导体芯片，所述半导体本体设置在蓝宝石衬底上和/或例如借助于覆层方法外延地沉积到蓝宝石衬底上。特别地，半导体芯片在早期的方法阶段中没有壳体。半导体芯片也能够没有下述载体，所述载体例如在随后的方法步骤中不从半导体本体移除，并且尤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造器件(100)的方法，所述器件具有半导体本体(10)，所述方法具有如下方法步骤：a)提供所述半导体本体(10)，所述半导体本体具有辐射透射面(11)和背离所述辐射透射面的后侧(12)，其中所述半导体本体在所述后侧上具有用于电接触所述半导体本体(10)的联接点(70)，b)提供复合载体(90)，所述复合载体具有载体层(91)和施加到所述载体层(91)上的部分硬化的连接层(92)，c)将所述半导体本体(10)施加到所述复合载体(90)上，使得所述联接点(70)进入到部分硬化的所述连接层(92)中，d)硬化所述连接层(92)，以形成由所述半导体本体(10)和所述连接载体(90)构成的牢固...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.28 DE 102015214219.11.一种用于制造器件(100)的方法，所述器件具有半导体本体(10)，所述方法具有如下方法步骤：a)提供所述半导体本体(10)，所述半导体本体具有辐射透射面(11)和背离所述辐射透射面的后侧(12)，其中所述半导体本体在所述后侧上具有用于电接触所述半导体本体(10)的联接点(70)，b)提供复合载体(90)，所述复合载体具有载体层(91)和施加到所述载体层(91)上的部分硬化的连接层(92)，c)将所述半导体本体(10)施加到所述复合载体(90)上，使得所述联接点(70)进入到部分硬化的所述连接层(92)中，d)硬化所述连接层(92)，以形成由所述半导体本体(10)和所述连接载体(90)构成的牢固的复合件，e)在硬化所述连接层之后，将成形体材料施加到所述复合载体上，以形成成形体(50)，其中所述成形体覆盖所述半导体本体的侧面(13)，f)构成穿过所述载体层(91)和所述连接层(92)的凹部(93)，以露出所述联接点(70)，和g)用导电材料填充所述凹部(93)，使得所述导电材料与所述联接点(70)和所述载体层(91)电接触。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述连接层(92)由用纤维强化的树脂材料形成，并且用构成为金属薄膜的所述载体层(91)完全地包覆。3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述载体层(91)是铜薄膜，并且所述连接层(92)是用玻璃纤维强化的环氧树脂层。4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述载体层(91)作为铜层提供，并且借助于将粘接剂施加到所述载体层(91)上来构成所述连接层(92)。5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述成形体材料以囊封料的形式提供，并且借助于浇注法构成所述成形体(50)，使得所述成形体覆盖所述半导体本体(10)的侧面。6.根据上一项权利要求所述的方法，其中借助于薄膜辅助浇注来构成所述成形体(50)，其中所述半导体本体(10)在横向方向上全环周地由所述成形体(50)包围。7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述半导体本体(10)在所述后侧(12)上具有两个电联接点(70)，所述电联接点属于所述半导体本体(10)的不同的电极性，其中在步骤f)中构成穿过所述载体层(91)和所述连接层(92)的两个彼此横向间隔开的凹部(93)，以露出所述联接点(70)。8.根据上一项权利要求所述的方法，其中所述半导体本体(10)在填充所述凹部(93)之后立即电短路，并且在随后的步骤中在填充的所述凹部(93)之间构成中间沟槽(94)，使得通过所述中间沟槽(94)消除电短路。9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中用与所述载体层(91)的材料相同的材料填充所述凹部(93)。10.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述联接点(70)由铜构成，或者用铜覆层，所述载体层(91...

【专利技术属性】
技术研发人员：马丁·翁特比格尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE