发光器件以及用于制造发光器件的方法技术

提出一种器件，其包括至少一个光电子半导体芯片(42)，所述光电子半导体芯片具有：联接衬底(4)，所述联接衬底具有安装面(4a)和电接触结构；和‑多个结构化的半导体单元(2)，所述半导体单元分别具有多个单块连贯的像元(21)，所述像元分别具有有源层，所述有源层在运行时发射光，其中‑所述半导体单元(2)彼此横向间隔开地设置在安装面(4a)上，和相邻的半导体单元(2)的间距(d)为至少5μm和最多55μm，并且像元(21)可电学分离地操控。也提出一种用于制造所述器件的方法。

Light emitting device and method for manufacturing light-emitting device

A device includes at least one optoelectronic semiconductor chip (42), the optoelectronic semiconductor chip having a coupling substrate (4), the connecting substrate having an installation surface (4a) and an electrical contact structure, and a plurality of structured semiconductor units (2), which have a plurality of single block coherent pixels (21), respectively. The pixel has an active layer, and the active layer emits light at run time, in which the semiconductor unit (2) is horizontally spaced on an installation surface (4a), and the spacing (d) of the adjacent semiconductor unit (2) is at least 5 u m and up to 55 mu m, and the pixel (21) can be electrically operated separately. A method for manufacturing the device is also presented.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件以及用于制造发光器件的方法
提出一种器件以及一种用于制造器件的方法。
技术介绍
参考文献DE102011056888A1描述一种器件以及一种用于制造器件的方法。
技术实现思路
待实现的目的在于，提出一种制造成本降低的器件。此外应提出一种用于制造制造成本降低的器件的方法。提出一种器件。该器件尤其设置用于发射光。例如，所述器件是光源。尤其，所述器件能够是前照灯，尤其是自适应性汽车前照灯(英语：AdaptiveFront-lightingSystem，AFS)。根据器件的至少一个实施形式，所述器件包括至少一个光电子半导体芯片，下面也称为“半导体芯片”。半导体芯片尤其设置用于发射光。例如，所述半导体芯片是像素化的发光二极管芯片。“像素化”在此和在下文中能够表示：发光二极管芯片具有多个尤其可电学分离地操控的像元。根据至少一个实施形式，半导体芯片具有联接衬底。所述联接衬底包括安装面和电接触结构。电接触结构能够设置用于电接触半导体芯片。为此，电接触结构能够包括导电材料，例如金属，或者由这种材料构成。联接衬底具有主延伸平面，所述联接衬底在所述主延伸平面中沿横向方向延伸。与所述主延伸平面垂直地，在竖直方向上，联接衬底具有厚度。所述联接衬底的厚度比联接衬底在横向方向上的最大延伸小。联接衬底的主平面形成安装面。联接衬底能够构成为半导体芯片的进行机械稳定的部件。“机械稳定”在此和在下文中表示：通过壳体的进行稳定的部件改进对半导体芯片的机械操作并且由此例如较高的外力能够作用在半导体芯片上，而不损坏所述半导体芯片。尤其，半导体芯片能够通过联接衬底而是机械自承的，这意味着，半导体芯片例如在制造方法的范围中能够借助工具，即例如镊子进行操作，而不必存在另一支撑元件。根据至少一个实施形式，半导体芯片包括多个结构化的半导体单元。每个半导体单元具有多个单块连贯的像元，所述像元分别具有源层，所述有源层在运行时发射光。像元尤其能够是像素，即是半导体单元的彼此分离的发射区域。每个像元能够具有背离联接衬底的光出射面。在此可行的是，由有源层发射的光通过光出射面从像元中耦合输出。“单块连贯”在此和在下文中能够表示：像元由唯一的、尤其连贯地构成的半导体层序列形成。尤其，像元能够由单块的半导体层序列制成。例如可行的是，为了制造像元，首先将半导体层序列施加到生长衬底上并且借助于随后至少部分地分割半导体层序列来提供像元。例如，形成具有n型传导的半导体层、有源的半导体层和p型传导的半导体层的半导体层序列。像元的有源层能够从有源的半导体层中产生。此外，像元能够分别具有p型传导的层和n型传导的层，所述p型传导的层和n型传导的层从p型传导的半导体层和n型传导的半导体层中产生。层从半导体层中“产生”在此和在下文中能够表示：层通过分割半导体层产生并且是半导体层的一部分。在此可行的是，借助于至少一个共同的半导体层将像元部分地相互连接，所述共同的半导体层能够为n型传导的或p型传导的半导体层。尤其，像元能够通过多个半导体层，例如n型传导的半导体层、p型传导的半导体层和有源层相互连接。根据至少一个实施形式，半导体单元彼此横向间隔开地设置在安装面上。换言之，在半导体单元之间存在沟槽。尤其可行的是，相邻的半导体单元的像元不是单块连贯的和/或不借助于半导体材料相互连接。根据至少一个实施形式，相邻的半导体单元的间距为至少5μm和最多55μm，优选为至少10μm和最多20μm。间距尤其为在两个相邻的半导体单元的侧面之间沿横向方向的最小间距。半导体单元的侧面能够为半导体单元的沿着竖直方向伸展的外面。根据至少一个实施形式，像元可彼此分离地操控。尤其可行的是，至少一个电接触结构与每个像元一对一地相关联。由此会可行的是，各个像元的发射有针对性地接通或切断。像元中的两个像元或更多个像元因此能够在相同或不同的时间运行。根据所述器件的至少一个实施形式，所述器件包括至少一个光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有联接衬底，所述联接衬底具有安装面和电接触结构和多个结构化的半导体单元，所述半导体单元分别具有多个单块连贯的像元，所述像元分别具有在运行时发射光的有源层。半导体芯片的半导体单元彼此横向间隔开地设置在安装面上。相邻的半导体单元的间距为至少5μm和最多55μm。此外，像元可电学分离地操控。根据器件的至少一个实施形式，像元的有源层单块连贯地构成。例如，有源层是唯一的有源的半导体层的一部分。此外，像元可借助于多个横向间隔开的半导体接触件电学分离地操控。相邻的半导体接触件的横向间距为至少1μm和最多25μm。例如，每个像元与至少一个半导体接触件导电连接。此外，与一个像元相关联的电接触结构能够与相应的像元的半导体接触件导电连接。半导体接触件能够借助导电材料，即例如金属形成或者由其构成。尤其，器件能具有多个半导体接触件，所述半导体接触件分别与至少一个像元相关联。例如，半导体接触件彼此横向间隔开地设置在像元的朝向联接衬底的底面上和/或像元的光透射面上。根据至少一个实施形式，在相邻的像元的有源层之间分别设置有分离沟槽。可行的是，像元的有源层彼此间不连接。尤其，有源层能够与每个像元一对一地相关联。有源层例如能够通过分离沟槽框架状地包围。“框架状”在此和在下文中表示：每个像元和/或每个有源层在安装面的俯视图中沿横向方向完全由分离沟槽包围。在俯视图中，分离沟槽于是显现为栅格或网络，其中像元由栅格或网络的各个网眼包围。分离沟槽例如能够借助于刻蚀产生。根据至少一个实施形式，分离沟槽的宽度为至少5μm和最多25μm，优选为至少5μm和最多20μm。分离沟槽的宽度尤其为分离沟槽在横向方向上的最小扩展。尤其，分离沟槽的宽度为两个相邻的像元的侧面之间在横向方向上的最小间距。像元的侧面能够为像元的沿着竖直方向伸展的外面。根据至少一个实施形式，像元彼此光学分离。像元的光学分离例如能够借助于分离沟槽引起。此外可行的是，在相邻的像元之间设置有进行吸收和/或进行反射的材料。如果材料对于由有源层发射的辐射具有最多0.4，优选最多0.3的透射度或最少0.5，优选最少0.7并且特别优选最少0.85的反射率，那么该材料在此和在下文中是“进行吸收的”或“进行反射的”。由于像元的光学分离结合分离的可电操控性而例如可行的是，仅使器件的个别区域有针对性地发光。根据至少一个实施形式，半导体单元中的至少两个半导体单元具有不同数量的像元。例如可行的是，将至少一个半导体单元配设给第一组半导体单元并且将至少另一半导体单元配设给第二组半导体单元。第一组的半导体单元能够分别具有第一数量的像元，并且第二组的半导体单元分别能够具有第二数量的像元，其中第一数量和第二数量不同。可行的是，具有不同数量的像元的半导体单元具有不同的尺寸。半导体单元和/或像元的尺寸在此和在下文中是半导体单元和/或像元在横向方向上的相应的扩展。在此可行的是，像元具有不同的尺寸。替选地，不同的半导体单元的像元在制造公差的范围中能够具有相同的尺寸。替选地可行的是，具有不同数量的像元的半导体单元在制造公差的范围中具有相同的尺寸。在该情况下，像元能够具有不同的尺寸。根据至少一个实施形式，联接衬底具有至少一个集成电路。例如，联接衬底具有掺杂区域，借助于所述掺杂区域实现开关过程。尤其，集成电路能够为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，其包括至少一个光电子半导体芯片(42)，所述光电子半导体芯片具有：‑联接衬底(4)，所述联接衬底具有安装面(4a)和电接触结构；和‑多个结构化的半导体单元(2)，所述半导体单元分别具有多个单体连贯的像元(21)，所述像元分别具有有源层，所述有源层在运行时发射光，其中‑所述半导体单元(2)彼此横向间隔开地设置在所述安装面(4a)上，和‑所述像元(21)能电学分离地操控。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.18 DE 102015115812.41.一种器件，其包括至少一个光电子半导体芯片(42)，所述光电子半导体芯片具有：-联接衬底(4)，所述联接衬底具有安装面(4a)和电接触结构；和-多个结构化的半导体单元(2)，所述半导体单元分别具有多个单体连贯的像元(21)，所述像元分别具有有源层，所述有源层在运行时发射光，其中-所述半导体单元(2)彼此横向间隔开地设置在所述安装面(4a)上，和-所述像元(21)能电学分离地操控。2.根据上一项权利要求所述的器件，其中相邻的半导体单元(2)的间距(d)为至少5μm和最多55μm。3.根据上述权利要求中任一项所述的器件，其中-所述像元(21)的所述有源层单块连贯地构成，和-所述像元(21)借助于多个横向间隔开的半导体接触件(210)能电学分离地操控，其中-相邻的半导体接触件(210)的间距(a)为至少1μm和最多25μm。4.根据上述权利要求中任一项所述的器件，其中在相邻的像元(21)的所述有源层之间分别设置有宽度(B)为至少5μm和最多25μm的分离沟槽(22)。5.根据上一项权利要求所述的器件，其中所述像元(21)彼此光学分离。6.根据上述权利要求中任一项所述的器件，其中所述半导体单元(2)中的至少两个半导体单元具有不同数量的像元(21)。7.根据上述权利要求中任一项所述的器件，其中所述联接衬底(4)具有至少一个集成电路。8.根据上述权利要求中任一项所述的器件，其中所述联接衬底(4)包含多个电流源，其中每个所述电流源与所述像元(21)中的一个像元一对一地相关联并且与该像元(21)导电连接。9.根据上述权利要求中任一项所述的器件，其中相邻的半导体单元(2)的间距与所述分离沟槽(22)的平均宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大·马丁，诺温·文马尔姆，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE