器件和用于制造器件的方法技术

本发明专利技术涉及一种器件(100)，所述器件具有第一部件(1)、第二部件(2)、连接元件(3)，所述连接元件设置在第一部件(1)和第二部件(2)之间，其中连接元件(3)具有至少一个第一相(31)和第二相(32)，其中第一相(31)包括具有浓度(c11)的第一金属(Me1)、具有浓度(c12)的第二金属(Me2)和具有浓度(c13)的第三金属(Me3)，其中第二相(32)包括具有浓度(c25)的第一金属(Me1)、第二金属(Me2)和第三金属(Me3)，其中第一金属(Me1)、第二金属(Me2)和第三金属(Me3)彼此不同，并且适合于在小于200℃的处理温度下反应，其中适用的是c11≥c25，并且c11≥c13≥c12。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】器件和用于制造器件的方法
本专利技术涉及一种器件。此外，本专利技术涉及一种用于制造器件的方法。
技术介绍
尤其当两个部件具有明显不同的膨胀系数时，至少两个部件的连接或接合是一种挑战。具有强烈不同的膨胀系数的部件在复合结构中产生强的翘曲，尤其在使用较高的温度时如此，这会引起制造时的问题，引起部件的折断和功能的丧失。为了解决所述问题，迄今为止通常遵循两种方式。一方面使用具有相似的热膨胀表现的两个部件，例如基底，以便在制造期间，两个部件或基底在高的定型温度下仅轻微地弯曲。另一方面尝试，通过使用低熔点的金属、例如铟，和其在温和温度下的等温凝固反应来降低定型温度。当然，在多种实际情况下翘曲的减少通常不够。因此，这也能够引起部件的折断或功能的丧失。
技术实现思路
本专利技术的目的是，提供一种器件，所述器件可稳定地和/或容易地制造。此外，本专利技术的目的是，提供一种用于制造器件的方法，所述方法可容易地和/或低成本地执行。所述目的通过根据独立权利要求1的器件来实现。本专利技术的有利的设计方案和改进方案是从属权利要求的主题。此外，所述目的通过根据权利要求15所述的用于制造器件的方法来实现。方法的有利的设计本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件(100)，所述器件具有：‑第一部件(1)，‑第二部件(2)，‑连接元件(3)，所述连接元件设置在所述第一部件(1)和所述第二部件(2)之间，其中所述连接元件(3)具有至少一个第一相(31)和第二相(32)，其中所述第一相(31)包括具有浓度(c11)的第一金属(Me1)、具有浓度(c12)的第二金属(Me2)和具有浓度(c13)的第三金属(Me3)，其中所述第二相(32)包括所述第二金属(Me2)、所述第三金属(Me3)和具有浓度(c25)的所述第一金属(Me1)，其中所述第一金属(Me1)、所述第二金属(Me2)和所述第三金属(Me3)彼此不同，并且适合于在小于200℃的处理温度下...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.25 DE 102015114088.81.一种器件(100)，所述器件具有：-第一部件(1)，-第二部件(2)，-连接元件(3)，所述连接元件设置在所述第一部件(1)和所述第二部件(2)之间，其中所述连接元件(3)具有至少一个第一相(31)和第二相(32)，其中所述第一相(31)包括具有浓度(c11)的第一金属(Me1)、具有浓度(c12)的第二金属(Me2)和具有浓度(c13)的第三金属(Me3)，其中所述第二相(32)包括所述第二金属(Me2)、所述第三金属(Me3)和具有浓度(c25)的所述第一金属(Me1)，其中所述第一金属(Me1)、所述第二金属(Me2)和所述第三金属(Me3)彼此不同，并且适合于在小于200℃的处理温度下反应，其中适用的是：c11≥c25并且c11≥c13≥c12。2.根据权利要求1所述的器件(100)，其中在所述第二相(32)中，所述第二金属(Me2)具有浓度(c26)并且所述第三金属(Me3)具有浓度(c27)，其中适用的是：c11＞c25并且c11＞c13＞c12并且c12＜c26或者c11＞c25并且c11＞c13＞c12并且c25＝c27＞c26。3.根据上述权利要求中至少一项所述的器件(100)，其中所述第一金属(Me1)选自镍、铂和钯。4.根据上述权利要求中至少一项所述的器件(100)，其中所述第二金属(Me2)是铟并且所述第三金属(Me3)是锡。5.根据上述权利要求中至少一项所述的器件(100)，其中在所述第一相(31)中所述第一金属(Me1)的浓度(c11)在40原子％和65原子％之间，和/或在所述第二相(32)中所述第一金属(Me1)的浓度(c25)在20原子％和40原子％之间。6.根据上述权利要求中至少一项所述的器件(100)，其中在所述第一相(31)中所述第二金属(Me2)的浓度(c12)在5原子％和25原子％之间，和/或在所述第二相(32)中所述第二金属(Me2)的浓度(c26)在20原子％和40原子％之间。7.根据上述权利要求中至少一项所述的器件(100)，其中在所述第一相(31)中所述第三金属(Me3)的浓度(c13)在15原子％和40原子％之间，和/或在所述第二相(32)中所述第三金属(Me3)的浓度(c27)在30原子％和50原子％之间。8.根据上述权利要求中至少一项所述的器件(100)，其中所述第二部件(2)包括发射光的发光二极管，并且其中至少所述第一部件(1)选自：蓝宝石、氮化硅、半导体材料、陶瓷材料、金属和玻璃。9.根据上述权利要求中至少一项所述的器件(100)，其中所述第一金属(Me1)具有大于1400℃的熔点，所述第二金属(Me2)具有小于180℃的熔点，并且所述第三金属(Me3)具有小于250℃的熔点，...

【专利技术属性】
技术研发人员：芭芭拉·贝尔，安德烈亚斯·魏玛，马蒂亚斯·文特，马库斯·岑格，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE