用于制造光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件技术

提出一种用于制造光电子半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：‑提供半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有发射光的和/或吸收光的有源区(12)和沿垂直于半导体层序列(1)的主延伸平面伸展的堆叠方向(z)设置在有源区(12)下游的覆盖面(1a)，‑将层堆(2)施加到覆盖面(1a)上，其中层堆(2)包括含有铟的氧化物层(20)和沿堆叠方向(z)设置在覆盖面(2a)下游的中间面(2a)，‑将由氧化铟锡形成的接触层(3)施加到中间面(2a)上，其中‑层堆(2)在制造公差的范围内没有锡。

A method for the manufacture of optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor devices

\u63d0\u51fa\u4e00\u79cd\u7528\u4e8e\u5236\u9020\u5149\u7535\u5b50\u534a\u5bfc\u4f53\u5668\u4ef6\u7684\u65b9\u6cd5\uff0c\u6240\u8ff0\u65b9\u6cd5\u5305\u62ec\u5982\u4e0b\u6b65\u9aa4\uff1a\u2011\u63d0\u4f9b\u534a\u5bfc\u4f53\u5c42\u5e8f\u5217(1)\uff0c\u6240\u8ff0\u534a\u5bfc\u4f53\u5c42\u5e8f\u5217\u5177\u6709\u53d1\u5c04\u5149\u7684\u548c/\u6216\u5438\u6536\u5149\u7684\u6709\u6e90\u533a(12)\u548c\u6cbf\u5782\u76f4\u4e8e\u534a\u5bfc\u4f53\u5c42\u5e8f\u5217(1)\u7684\u4e3b\u5ef6\u4f38\u5e73\u9762\u4f38\u5c55\u7684\u5806\u53e0\u65b9\u5411(z)\u8bbe\u7f6e\u5728\u6709\u6e90\u533a(12)\u4e0b\u6e38\u7684\u8986\u76d6\u9762(1a)\uff0c\u2011\u5c06\u5c42\u5806(2)\u65bd\u52a0\u5230\u8986\u76d6\u9762(1a)\u4e0a\uff0c\u5176\u4e2d\u5c42\u5806(2)\u5305\u62ec\u542b\u6709\u94df\u7684\u6c27\u5316\u7269\u5c42(20)\u548c\u6cbf\u5806\u53e0\u65b9\u5411(z)\u8bbe\u7f6e\u5728\u8986\u76d6\u9762(2a)\u4e0b\u6e38\u7684\u4e2d\u95f4\u9762(2a)\uff0c\u2011\u5c06\u7531\u6c27\u5316\u94df\u9521\u5f62\u6210\u7684\u63a5\u89e6\u5c42(3)\u65bd\u52a0\u5230\u4e2d\u95f4\u9762(2a)\u4e0a\uff0c\u5176\u4e2d\u2011\u5c42\u5806(2)\u5728\u5236\u9020\u516c\u5dee\u7684\u8303\u56f4\u5185\u6ca1\u6709\u9521\u3002

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件
技术介绍
出版物US2011/0284893A1描述一种用于制造光电子半导体器件的方法以及一种光电子半导体器件。
技术实现思路
要实现的目的在于：提出一种用于制造具有改进的电接触的光电子半导体器件的方法。此外，应提出一种具有改进的电接触的光电子半导体器件。提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。光电子半导体器件能够设计用于：在运行中发射和/或吸收光。例如，光电子半导体器件为发光二极管、光电二极管和/或半导体激光二极管。根据方法的至少一个实施方式，提供半导体层序列。半导体层序列具有主延伸平面，所述半导体层序列在所述主延伸平面中沿横向方向延伸。半导体层序列的堆叠方向垂直于主延伸平面伸展。半导体层序列沿着堆叠方向具有厚度，所述厚度相对于半导体层序列在横向方向上的最大延伸是小的。半导体层序列的主平面形成半导体层序列的覆盖面。半导体层序列能够外延地、尤其借助于金属有机气相外延(MOVPE)生长到生长载体上。在此，可行的是：生长载体在随生长之后的方法步骤中再次从半导体层序列移除。半导体层序列能够包含多个半导体层，所述半导体层沿堆叠方向相叠设置。每个半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造光电子半导体器件的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有发射光的和/或吸收光的有源区(12)和沿垂直于所述半导体层序列(1)的主延伸平面伸展的堆叠方向(z)设置在所述有源区(12)下游的覆盖面(1a)，‑将层堆(2)施加到所述覆盖面(1a)上，其中所述层堆(2)包括含有铟的氧化物层(20)和沿所述堆叠方向(z)设置在所述覆盖面(2a)下游的中间面(2a)，‑将由氧化铟锡形成的接触层(3)施加到所述中间面(2a)上，其中‑所述层堆(2)在制造公差的范围内没有锡。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.18 DE 102015109786.91.一种用于制造光电子半导体器件的方法，所述方法具有如下步骤：-提供半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有发射光的和/或吸收光的有源区(12)和沿垂直于所述半导体层序列(1)的主延伸平面伸展的堆叠方向(z)设置在所述有源区(12)下游的覆盖面(1a)，-将层堆(2)施加到所述覆盖面(1a)上，其中所述层堆(2)包括含有铟的氧化物层(20)和沿所述堆叠方向(z)设置在所述覆盖面(2a)下游的中间面(2a)，-将由氧化铟锡形成的接触层(3)施加到所述中间面(2a)上，其中-所述层堆(2)在制造公差的范围内没有锡。2.根据上一项权利要求所述的方法，其中施加所述氧化物层(20)包括如下步骤：-提供、尤其外延地沉积含有铟的氮化物层(201)，-在氧化步骤中，将所述氮化物层(201)至少部分地氧化成所述氧化物层(20)。3.根据上一项权利要求所述的方法，其中在施加所述接触层(3)之后执行所述氧化步骤。4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中-至少将所述氧化步骤在反应室中执行，并且-在所述氧化步骤期间，所述反应室中的反应温度为至少460℃和最高720℃。5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中借助于外延沉积氧化铟来施加所述氧化物层(20)。6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在三维的生长条件下进行所述氮化物层(201)的外延沉积，使得所述氮化物层(201)具有多个多子层的、不彼此连接的岛(200)。7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在二维的生长条件下进行所述外延沉积，使得所述氧化物层(20)连贯地构成。8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述层堆(2)包括第一中间层(21)，所述第一中间层由氧化铟镓形成，其中施加所述第一中间层包括如下步骤：-外延沉积由氮化铟镓形成的氮化物中间层，-在所述氧化步骤中，将所述氮化物中间层至少部分地氧化成所述第一中间层(21)。9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述接触层(3)在如下生长条件下施加到所述中间面上，在所述生长条件中，在直接施加到所述覆盖面(1a)上的情况下得到所述接触层(3)的晶体结构的(100)晶体取向，并且其中所述接触层(3)的晶体结构具有(111)晶体取向。10.一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件包括：-半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有发射光的和/或吸收光...

【专利技术属性】
技术研发人员：西梅昂·卡茨，卡伊·格尔克，马西莫·德拉戈，约阿希姆·赫特功，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE