一种多像素显示设备，其具有：集成电路(1)；多个发光半导体芯片(11)，所述发光半导体芯片布置在集成电路(1)上；具有多个像素(40)的显示区域(37)，其中，将发光半导体芯片(11)中的每一个分配给像素(40)之一；光引导元件(35)...

一种载体(100)具有：‑主体部(101)，所述主体部由具有至少380W/(mK)的热导率的材料构成，其中‑主体部(101)具有安装面(103)，用于与器件(300)机械和热连接，其中‑主体部(101)具有凹部(105)，所述凹部沿着垂...

一种用于制造电子元件(100)的方法包括：步骤A)，在该步骤中提供了半导体芯片(2)(例如像素化的光电子半导体芯片(2))，其具有底侧(20)、多个接触销(21)和至少一个校准销(25)，所述接触销和校准销从底侧(20)突出。接触销(2...

提出一种用于制造发光物质颗粒的方法，发光物质颗粒具有至少一个第一保护层，包括下述方法步骤：提供发光物质颗粒，通过酸溶液处理含硅和/或含铝的发光物质颗粒，使得含硅的第二保护层形成在发光物质颗粒的表面上，所述含硅的第二保护层与发光物质颗粒相...

提供了用于制造陶瓷转换器元件的方法。所述方法包括以下步骤：提供磷光体作为起始材料，将所述磷光体与至少一种金属氧化物粉末混合以形成混合物，对所述混合物进行加工以形成其中所述磷光体嵌入陶瓷基体中的陶瓷转换器材料。此外，提供了具有陶瓷转换器元...

提出一种用于制造多个发射辐射的器件(12)的方法，所述方法包括以下步骤：

一种光电子半导体器件(1)，其包括：具有主放射面(A)和设计用于发射电磁辐射的有源区域(100)的半导体本体(10)；和布置在半导体本体(10)的背离主放射面(A)的一侧上的接收元件(20)。为接收元件(20)分配接收频率，并且设计用于...

提出一种用于转移半导体芯片(2)的转移工具(1)，所述转移工具具有：‑粘性压模(3)，所述粘性压模(3)具有用于容纳所述半导体芯片(2)的粘附面(4)，和‑用于调节粘附面(4)的面积的装置(15)，其中‑所述粘性压模(3)构成为可变形的...

提出一种通式为Li

提出一种光电子器件(20)，具有：至少两个光电子半导体芯片(21)，其设计用于在运行中发射电磁辐射；至少一个连接元件(22)，其是能导电的、柔性的和可伸展的；和成型体(23)，其至少部分地包围至少两个光电子半导体芯片(21)和至少一个连...

本发明涉及制造转换元件的方法，包括：A)提供一种或更多种前体材料，所述一种或更多种前体材料包含镥、铝和稀土元素；B)将一种或更多种前体材料与粘结剂和溶剂混合从而获得浆料；C)由步骤B)的浆料形成生坯；F)烧结生坯以获得转换元件，其中烧结...

半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)。为了注入电流，直接在p型区域(23)处存在由透明导电氧化物构成的对于激光...

在一个实施方式中，半导体光源(1)包括用于产生初级辐射(P)的半导体激光器(2)以及用于从初级辐射(P)中产生更长波长的可见的次级辐射(S)的转换元件(3)。转换元件(3)为了产生次级辐射(S)具有半导体层序列(30)，所述半导体层序列...

提出了一种用于制造光电子半导体器件(10)的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供包括多个开口(11)的框部分(1)，‑提供辅助载体(2)，‑将辅助载体(2)连接至框部分(1)，使得辅助载体(2)在框部分(1)的下侧(1a)处覆盖开口(11...

提出一种发光材料，所述发光材料具有通式(AB)

在一个实施形式中，半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)。半导体层序列包括n型导电的n型区域(21)，p型导电的p型区域(23)和位于之间的有源区(22)，所述有源区用于产生激光辐射。为了电流注入，能导电的p型接触层(3)直接位于p型...

提出一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)将其放射，其中有源区(5)从与光耦合输出面(...

在一个实施方式中，边缘发射的半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(22)。在半导体层序列(2)上形成用于耦合输出和/或反射激光辐射(L)的棱面(3)。直接在棱面(3)上存在用于保护...

一种激光二极管(1)，包括：‑表面发射的半导体激光器(10)，其设置用于发射电磁辐射(E)；和‑光学元件(20)，其沿放射方向(L)设置在半导体激光器(10)下游，其中‑光学元件(20)包括衍射结构(200)或元光学结构(200)或透镜...

提出一种半导体激光器器件，具有：‑半导体芯片(1)，其设计为发射激光辐射(6)，‑包覆部(2)，其是电绝缘的并且局部覆盖半导体芯片(1)，和‑连接层(3)，其将半导体芯片(1)与第一连接部位(43a)导电地连接，其中‑半导体芯片(1)包...