【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光二极管
提出一种半导体激光二极管。
技术介绍
本专利申请要求德国专利申请102017113389.5的优先权，其公开内容借此通过参引并入本文。在边缘发射的激光二极管中，产生光的层设置在外壳层之间，所述外壳层由于其折射率引起在层堆方向上的波引导和从而贡献于构成激光模式。外壳层通常由二极管的掺杂的半导体材料构成，因为由此除了模式引导之外应实现良好的电阻。然而，用于基于氮化物化合物半导体材料的激光二极管的外壳层的材料，如例如AlGaN，难以借助高的p型掺杂和从而仅难以以良好的电导率制造，使得始终必须寻找在电导率和光学吸收之间的折中。此外，高功率激光二极管通常引起多个纵向激光模式和横向激光模式，使得通过全部在激光器中振荡的激光模式的总和在耦合输出棱面上引起光学强度。这然而会引起尤其沿横向方向的不均匀的强度分布，这会造成强度超高和与之关联地在这种部位处会造成棱边过载。由此，可能出现棱边损坏和激光器的破坏。为了应对所述问题，在现有技术中已知的是，将设为用于电连接半导体材料的接触材料的一部分借助绝缘层与半导体材料...
【技术保护点】
1.一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且所述光经由光耦合输出面(6)放射，/n其中所述有源区(5)从与所述光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向所述光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在所述主延伸平面中延伸，/n其中所述半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，/n其中所述第一外壳层(4)具有出自与所述半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，和/n其中所述第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170619 DE 102017113389.51.一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且所述光经由光耦合输出面(6)放射，
其中所述有源区(5)从与所述光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向所述光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在所述主延伸平面中延伸，
其中所述半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，
其中所述第一外壳层(4)具有出自与所述半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，和
其中所述第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构。
2.根据权利要求1所述的半导体激光二极管(100)，
其中在所述半导体激光二极管(100)运行中，在所述有源区(5)中产生的光(8)到达所述第一外壳层(4)中。
3.根据上述权利要求中任一项所述的半导体激光二极管(100)，
其中所述第一外壳层(4)具有透明导电氧化物。
4.根据上述权利要求中任一项所述的半导体激光二极管(100)，
其中所述第一外壳层(4)具有至少两种不同的透明导电氧化物。
5.根据上一项权利要求所述的半导体激光二极管(100)，
其中所述至少两种不同的透明导电氧化物以交替的层堆形式施加在所述表面区域(20)上。
6.根据上述权利要求中任一项所述的半导体激光二极管(100)，其中
-所述表面区域(20)具有至少一个第一表面子区域(241)和至少一个直接与之邻接的第二表面子区域(242)，
-所述第一外壳层(4)在所述第二表面子区域(242)中具有空位，所述空位通过开口或空隙形成，
-在所述空位中施加有金属材料，和
-所述空位中的所述金属材料伸展至所述半导体层序列(2)的表面区域(20)，并且与所述半导体层序列(2)直接接触。
7.根据上述权利要求中任一项所述的半导体激光二极管(100)，
其中在所述第一外壳层(4)的至少一个区域(41，42)上施加有金属材料。
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【专利技术属性】
技术研发人员：斯文·格哈德，克里斯托夫·艾克勒，艾尔弗雷德·莱尔，贝恩哈德·施托耶茨，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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