【技术实现步骤摘要】
半导体光源本申请是申请号为201780017646.2、申请日为2017年3月13日、专利技术名称为“半导体光源”的专利申请的分案申请。
提出一种半导体光源。
技术实现思路
要实现的目的在于：提出一种半导体光源，所述半导体光源发射可有效地发射到特定的空间区域中的且能设定不同颜色的辐射。所述目的还通过具有实施例的特征的半导体光源来实现。优选的改进形式是实施例的主题。根据至少一个实施方式，该半导体光源包括一个或多个用于产生初级辐射的半导体激光器。在此，能够使用多个结构相同的半导体激光器或者也能够使用多个不同的半导体激光器，尤其具有不同的发射光谱的半导体激光器。优选地，半导体光源包括恰好一个半导体激光器。根据至少一个实施方式，由至少一个半导体激光器在运行时产生的初级辐射为紫外辐射或可见光。例如，最大强度的波长在至少250nm或320nm或360nm或400nm或440nm处和/或在最高570nm或535nm或525nm或490nm或420nm处。尤其是，初级辐射的最大强度的波长在375nm或405n...
【技术保护点】
1.一种半导体光源(1)，其具有：/n-至少一个用于产生初级辐射(P)的半导体激光器(2)，和/n-至少一个用于从所述初级辐射(P)中产生波长更长的可见的次级辐射(S)的转换元件(3)，/n其中/n-所述转换元件(3)为了产生所述次级辐射(S)而具有半导体层序列(30)，所述半导体层序列具有一个或多个量子阱层(31)，/n-所述初级辐射(P)在运行中以最高15°的公差垂直于所述半导体层序列(30)的生长方向(G)射入到所述半导体层序列中，/n-所述半导体光源(1)的主放射方向(M)以最高15°的公差平行于所述生长方向(G)取向，并且放射角度范围具有最高90°的半值宽度，使得...
【技术特征摘要】
20160314 DE 102016104616.71.一种半导体光源(1)，其具有：
-至少一个用于产生初级辐射(P)的半导体激光器(2)，和
-至少一个用于从所述初级辐射(P)中产生波长更长的可见的次级辐射(S)的转换元件(3)，
其中
-所述转换元件(3)为了产生所述次级辐射(S)而具有半导体层序列(30)，所述半导体层序列具有一个或多个量子阱层(31)，
-所述初级辐射(P)在运行中以最高15°的公差垂直于所述半导体层序列(30)的生长方向(G)射入到所述半导体层序列中，
-所述半导体光源(1)的主放射方向(M)以最高15°的公差平行于所述生长方向(G)取向，并且放射角度范围具有最高90°的半值宽度，使得与在朗伯辐射器中相比，光放射更加定向地进行，以及
-所述半导体激光器(2)和所述转换元件(3)彼此独立外延地生长并且不接触。
2.根据权利要求1所述的半导体光源(1)，其中所述量子阱层(31)三维成形，使得所述量子阱层(31)在横截面中观察具有折弯并且至少局部地倾斜于所述半导体层序列(30)的生长方向(G)取向。
3.根据权利要求1所述的半导体光源(1)，其中所述初级辐射(P)在运行中以最高1°的公差垂直于所述生长方向(G)射入到所述半导体层序列(30)中。
4.根据权利要求1所述的半导体光源(1)，其中所述半导体激光器(2)线性地发射所述初级辐射(P)，
其中所述半导体激光器(2)设置成，使得所述半导体激光器(2)的生长方向(H)垂直于所述半导体层序列(30)的生长方向(G)取向，并且
其中所述初级辐射(P)自由放射地从所述半导体激光器(2)到达至所述半导体层序列(30)。
5.根据权利要求1所述的半导体光源(1)，其中所述半导体层序列(30)借助所述初级辐射(P)被均匀地照明。
6.根据上述权利要求中任一项所述的半导体光源(1)，其中所述转换元件(3)具有连贯的基础区域(33)和远离所述基础区域(33)延伸的半导体柱(34)，
其中所述半导体柱(34)起到用于初级辐射(P)沿着平行于所述半导体层序列(30)的生长方向(G)的方向的波导的作用。
7.根据上一项权利要求所述的半导体光源(1)，其中所述量子阱层(31)施加在所述半导体柱(34)处和其上，
其中所述次级辐射(S)和/或所述初级辐射(P)从所述半导体柱(34)向外的放射至少50％在所述半导体柱(34)的尖部(35)处进行。
8.根据权利要求6所述的半导体光源(1)，其中所述半导体柱(34)具有0.5μm和4μm之间的平均直径，其中包括边界值，...
【专利技术属性】
技术研发人员：贝恩哈德·施托耶茨，艾尔弗雷德·莱尔，克里斯托夫·艾克勒，安德烈亚斯·莱夫勒，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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