半导体光源制造技术

技术编号:23154410 阅读:76 留言:0更新日期:2020-01-18 15:28
在一个实施方式中,半导体光源(1)包括至少一个第一发射单元(21)、第二发射单元(22)以及光学装置(3)。光学装置(3)具有用于聚束第一发射单元(21)的辐射的内部区域(31)和用于扩张或散射第二发射单元(22)的辐射的外部区域(32)。内部区域(31)的第一光放射区域(41)在俯视图中观察完全地覆盖第一发射单元(21)并且至少部分地覆盖第二发射单元(22)。外部区域(32)的第二光放射区域(42)在俯视图中观察部分地或完全地位于第二发射单元(22)旁边。内部区域(31)和外部区域(32)具有彼此不同地成形的光入射区域(51,52)。

Semiconductor light source

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体光源
提出一种半导体光源。
技术介绍
出版物WO2011/039052A1涉及一种用于相机的照明装置以及一种用于运行这种照明装置的方法。
技术实现思路
要实现的目的在于,提出一种半导体光源,其可以用作为在环境光条件变化时的闪光灯。所述目的尤其通过具有独立权利要求的特征的半导体光源来实现。优选的改进方案是从属权利要求的主题。根据至少一个实施方式,半导体光源包括一个或多个第一发射单元。至少一个第一发射单元例如由一个或由多个LED芯片或也由像素化的LED芯片形成。优选地,至少一个第一发射单元设置用于产生可见光,尤其用于产生白光。第一发射单元优选脉冲式地运行,即仅在相对短的时间范围内发射,然而也可以用于连续波照明。根据至少一个实施方式,半导体光源包括一个或多个第二发射单元。至少一个第二发射单元设置用于产生可见光,尤其白光。第二发射单元优选能够电地独立于第一发射单元运行。优选地,两个发射单元在制造公差的范围内发射相同色度坐标的光。在此,彼此不同的第一发射单元可以分别发射彼此不同颜色的光,尤其不同的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体光源(1),具有:/n-至少一个第一发射单元(21),/n-至少一个第二发射单元(22),和/n-光学装置(3),/n其中/n-所述光学装置(3)具有用于聚束所述第一发射单元(21)的辐射的内部区域(31),/n-所述光学装置(3)具有用于扩张所述第二发射单元(21)的辐射的外部区域(32),/n-在俯视图中观察,所述内部区域(31)的第一光放射区域(41)完全地覆盖所述第一发射单元(21),并且至少部分地覆盖所述第二发射单元(22),/n-在俯视图中观察,所述外部区域(32)的第二光放射区域(42)部分地或完全地位于所述第二发射单元(22)旁边,并且/n-所述内部区域(31)和...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170601 DE 102017112112.91.一种半导体光源(1),具有:
-至少一个第一发射单元(21),
-至少一个第二发射单元(22),和
-光学装置(3),
其中
-所述光学装置(3)具有用于聚束所述第一发射单元(21)的辐射的内部区域(31),
-所述光学装置(3)具有用于扩张所述第二发射单元(21)的辐射的外部区域(32),
-在俯视图中观察,所述内部区域(31)的第一光放射区域(41)完全地覆盖所述第一发射单元(21),并且至少部分地覆盖所述第二发射单元(22),
-在俯视图中观察,所述外部区域(32)的第二光放射区域(42)部分地或完全地位于所述第二发射单元(22)旁边,并且
-所述内部区域(31)和所述外部区域(32)具有彼此不同地成形的光入射区域(51,52)。


2.根据上一项权利要求所述的半导体光源(1),
其中所述外部区域(32)在四周完全地环绕所述内部区域(31),并且所述外部区域(32)和所述内部区域(31)分别象限对称地构成,
其中在俯视图中观察,所述第二发射单元(22)在四周环绕所述第一发射单元(21),并且两个发射单元(21,22)设置用于放射相同色度坐标的光,并且
其中所述第一光放射区域(41)成形为凸透镜。


3.根据上述权利要求中任一项所述的半导体光源(1),
其中在横截面中观察,所述第一光放射区域(41)和所述第二光放射区域(42)通过弯折部彼此分开,
其中所述光入射区域(51,52)同样通过弯折部彼此分开。


4.根据上述权利要求中任一项所述的半导体光源(1),
其中所述第一光入射区域(51)平坦地成形,并且垂直于所述光学装置(3)的光学轴线(11)取向。


5.根据上述权利要求中任一项所述的半导体光源(1),
其中在横截面中观察,所述外部区域(32)的所述第二光入射区域(52)棱锥形地成形,使得所述第二光入射区域(52)通过朝向所述第一发射单元(21)倾斜的面形成,使得所述第二发射单元(22)的辐射折射地远离所述第一发射单元(21)转向。


6.根据上一项权利要求所述的半导体光源(1),
其中在横截面中观察,所述第二光放射区域(42)成形为三角形并且沿远离所述第二发射单元(22)的方向渐尖,
其中所述第二光放射区域(42)的更靠近所述第一发射单元(21)的内侧(43)设置用于全反射所述第二发射单元(22)的辐射,而所述第二光放射区域(42)的与所述内侧(43)相对置的外侧(44)设置用于折射所述第二发射单元(22)的辐射。


7.根据上一项权利要求所述的半导体光源(1),
其中所述三角形具有倒圆的尖部(45),其中所述光放射区域(41,42)沿远离所述发射单元(21,22)的方向彼此齐平。


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【专利技术属性】
技术研发人员:乌尔里希·施特雷佩尔德西雷·奎伦
申请(专利权)人:欧司朗光电半导体有限公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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