光电子器件和用于制造光电子器件的方法技术

提出一种光电子器件(1)，具有：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子器件和用于制造光电子器件的方法


[0001]提出一种光电子器件。此外，提出一种用于制造光电子器件的方法。

技术实现思路

[0002]要实现的目的是，提出一种光电子器件，其是特别紧凑的。另一要实现的目的是，提出一种用于制造这种光电子器件的方法。
[0003]根据至少一个实施方式，光电子器件包括光电子半导体芯片，其构成用于在运行中发射或探测电磁辐射。在半导体芯片的运行中发射的辐射例如可以是近紫外辐射、可见光和/或近红外辐射。替选地可能的是，在半导体芯片的运行中探测的电磁辐射是近紫外辐射、可见光和/或近红外辐射。
[0004]如果光电子半导体芯片是发射辐射的半导体芯片，那么半导体芯片例如是发光二极管芯片或激光二极管芯片。如果光电子半导体芯片是探测辐射的半导体芯片，那么光电子半导体芯片例如是光探测器。
[0005]光电子半导体芯片尤其包括底面，所述底面沿横向方向延伸，并且所述底面与光电子半导体芯片的覆盖面相对置。底面和覆盖面通过至少一个侧面彼此连接。例如，半导体芯片的底面和半导体芯片的覆盖面分别具有芯片接触面，所述芯片接触本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电子器件(1)，具有
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光电子半导体芯片(2)，所述光电子半导体芯片构成用于，发射或探测电磁辐射，
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连接承载件(3)，在所述连接承载件上设置有所述半导体芯片(2)，
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承载件(6)，在所述承载件上设置有所述连接承载件(3)，
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导电连接部(4)，所述导电连接部与所述半导体芯片(2)和/或所述连接承载件(3)导电连接，和
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电绝缘材料(5)，所述电绝缘材料将所述半导体芯片(2)和/或所述连接承载件(3)至少局部地包围，其中
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所述导电连接部(4)局部地设置在所述电绝缘材料(5)上，并且
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所述承载件(6)包括导线框架。2.根据上一项权利要求所述的光电子器件(1)，其中所述导电连接部(4)将所述半导体芯片(2)、所述连接承载件(3)和所述承载件(6)导电连接。3.根据上一项权利要求所述的光电子器件(1)，其中
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所述连接承载件(3)设置在所述承载件(6)的腔室(6a)中，并且
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所述连接承载件(3)由所述承载件(6)沿横向方向包围。4.根据上一项权利要求所述的光电子器件(1)，其中
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所述承载件(6)的腔室(6a)由第一包封体(11)填充，所述第一包封体电绝缘地构成，并且
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所述第一包封体(11)完全地覆盖所述连接承载件的侧面(3a)。5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(1)，其中
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所述导电连接部(4)设置在所述承载件(6)的覆盖面、所述连接承载件的覆盖面(3b)和所述第一包封体(11)的覆盖面上，并且
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所述第一包封体(11)至少局部地由所述电绝缘材料(5)形成。6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(1)，其中
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所述半导体芯片(2)在第二包封体(12)中嵌入。7.根据上一项权利要求所述的光电子器件(1)，其中
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过孔(9)局部地设置在所述承载件(6)上，并且
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所述过孔(9)嵌入所述第二包封体(12)中。8.根据上一项权利要求所述的光电子器件(1)，具有另外的导电连接部(4)，其中
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所述另外的导电连接部(4)设置在所述第二包封体(12)的覆盖面、所述半导体芯片的覆盖面(2b)...

【专利技术属性】
技术研发人员：马蒂亚斯，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：