【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电发光装置和制造方法本申请要求德国专利申请DE102018132542.8的优先权,其公开内容通过参考并入本文。本专利技术涉及一种光电发光装置以及用于制造光电发光装置的方法。棱边长度小于100μm并且典型地小于25μm的半导体光源例如从US6,410,940B1中已知并且在实施方式中作为p-n发光二极管被称作为微型LED(μLED)。通常基于氮化铟镓(InGaN)的具有至少一个量子阱的微型LED相对于常规大小的发光二极管或基于碳的发光二极管(OLED)具有更高的能量效率并且同时使用寿命更长。相应地,其对于移动设备的高分辨率显示器和对于大尺寸光电子发光设备的应用相应地是有利的。能够将微型LED与波长转换器连接成封装件,以对光发射进行光谱匹配。从US8,928,021B1中已知一种装置,其具有至少一个微型LED、遮盖所述微型LED的光导结构和具有作为波长转换器的具有量子阱的磷光体材料的包覆件。WO2011/082497A1公开一种具有至少一个底侧发射的LED作为光源的光电子封装件,所述光源设置在透明载体衬底的一侧上。在与光源相对置的衬底侧上存在用于光谱匹配对于观察者可见的光的磷光体层。此外,描述如下实施替选方案,对于所述实施替选方案由LED发出的电磁辐射在入射到磷光体层中之前首先射到后侧的反射器上。此外,已知LED处的初级光学装置、直接连接于所述初级光学装置的光导元件以及与LED形成半导体发光装置的反射的射束引导装置。例如参考US2016/0149101A1、DE102017104871A1、DE1020 ...
【技术保护点】
1.一种光电发光装置,其包括像素(2),所述像素具有/n透明或半透明的载体衬底(3),在所述载体衬底上设置有半导体发光装置(4),所述半导体发光装置具有在所述像素(2)的部分面之上延伸的至少一个微型LED(5.1、5.2、5.3),/n其中,所述半导体发光装置(4)的主放射方向(6)指向在观察方向(7)上设置在所述透明或半透明的载体衬底(3)后方的背向散射的面元件(14);和/n所述半导体发光装置(4)包括射束成形元件(8)。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181217 DE 102018132542.81.一种光电发光装置,其包括像素(2),所述像素具有
透明或半透明的载体衬底(3),在所述载体衬底上设置有半导体发光装置(4),所述半导体发光装置具有在所述像素(2)的部分面之上延伸的至少一个微型LED(5.1、5.2、5.3),
其中,所述半导体发光装置(4)的主放射方向(6)指向在观察方向(7)上设置在所述透明或半透明的载体衬底(3)后方的背向散射的面元件(14);和
所述半导体发光装置(4)包括射束成形元件(8)。
2.根据权利要求1所述的光电发光装置,其中,所述微型LED(5.1、5.2、5.3)以竖直发射的方式构成和/或所述射束成形元件(8)包括使所述半导体发光装置(4)的发散度放大的微光学器件(9.1、9.2)。
3.根据权利要求2所述的光电发光装置,其中,所述微光学器件(9.1、9.2)包括棱镜型材(10)和/或自由形状锥体(11)和/或小透镜阵列。
4.根据权利要求1所述的光电发光装置,其中,所述微型LED(5.1、5.2、5.3)侧向发射地构成和/或所述射束成形元件(8)包括组合的折射反射型的微光学器件(27.1、27.2)。
5.根据前述权利要求之一所述的光电发光装置,其中,所述射束成形元件(8)在表面上具有散射颗粒(16.n)。
6.根据前述权利要求之一所述的光电发光装置,其中,所述半导体发光装置(4)包括漫射器(13)和/或波长转换器。
7.根据前述权利要求中至少一项所述的光电发光装置,其中,所述半导体发光装置(4)包括具有不同发射光谱和/或光谱不同的相关联的波长转换器的多个微型LED(5.1、5.2、5.3)。
8.根据权利要求7的光电发光装置,其中,为所述半导体发光装置(4)中的所述微型LED(5.1、5.2、5.3)分配公共的射束成形元件(8)。
9.根据权利要求7所述的光电发光装置,其中,为所述半导体发光装置(4)中的至少一个并且优选每个微型LED(5.1、5.2、5.3)分配单独的射束成形元件。
10.根据前述权利要求中至少一项所述的光电发光装置,其中,所述背向散射的面元件(14)具有平坦表面,和/或其中,尤其是为了使光谱的发射均匀化...
【专利技术属性】
技术研发人员:托马斯·施瓦兹,安德里亚斯·多布纳,弗兰克·辛格,斯蒂芬·格勒奇,
申请(专利权)人:欧司朗光电半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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