用于制造光电子照明装置的方法制造方法及图纸

一种用于制造光电子照明装置的方法包括：提供第一半导体晶片(10)，所述第一半导体晶片具有多个第一光电子半导体器件(11)；将所述第一半导体晶片(10)设置在载体(20)上方；借助于激光辐射(30)将第一光电子半导体器件(11)中的多个与所述第一半导体晶片(10)分离并且使其落到所述载体(20)上；以及将与所述第一半导体晶片(10)分离的第一光电子半导体器件(11)固定在所述载体(20)上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造光电子照明装置的方法
本申请要求于2018年12月19日向德国专利商标局提交的德国专利申请No.102018132824.9的优先权。借此将德国专利申请No.102018132824.9的公开内容并入本申请的公开内容中。本专利技术涉及一种用于制造光电子照明装置的方法。
技术介绍
在未来的LED(英文：lightemittingdiode)，尤其是μLED的情况下，对器件的放置要求越来越高。对此的原因是所需的放置精度、排除缺陷构件和所需的修复机制，所需的放置精度由于日益小型化而变得困难。
技术实现思路
本专利技术所基于的目的尤其是，提出一种用于制造光电子照明装置的有利的方法，借助该方法能够将光电子半导体器件以可靠的且低成本的方式放置在载体上。本专利技术的目的通过一种具有权利要求1所述的特征的用于制造光电子照明装置的方法来实现。此外，本专利技术的目的通过一种具有独立权利要求13所述的特征的用于制造光电子照明装置的方法来实现。本专利技术的有利的实施形式和改进方案在从属权利要求中给出。r>根据一个设计方案本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造光电子照明装置的方法，其中/n提供第一半导体晶片(10)，所述第一半导体晶片具有多个第一光电子半导体器件(11)，/n将所述第一半导体晶片(10)设置在载体(20)上方，/n借助于激光辐射(30)将所述第一光电子半导体器件(11)中的多个第一光电子半导体器件与所述第一半导体晶片(10)分离并且使其落到所述载体(20)上，和/n将与所述第一半导体晶片(10)分离的第一光电子半导体器件(11)固定在所述载体(20)上，/n其中在借助于所述激光辐射(30)将所述第一光电子半导体器件(11)与所述第一半导体晶片(10)分离之前，将所述第一半导体晶片(10)的在相邻的第一光电子半导体器件...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181219 DE 102018132824.91.一种用于制造光电子照明装置的方法，其中
提供第一半导体晶片(10)，所述第一半导体晶片具有多个第一光电子半导体器件(11)，
将所述第一半导体晶片(10)设置在载体(20)上方，
借助于激光辐射(30)将所述第一光电子半导体器件(11)中的多个第一光电子半导体器件与所述第一半导体晶片(10)分离并且使其落到所述载体(20)上，和
将与所述第一半导体晶片(10)分离的第一光电子半导体器件(11)固定在所述载体(20)上，
其中在借助于所述激光辐射(30)将所述第一光电子半导体器件(11)与所述第一半导体晶片(10)分离之前，将所述第一半导体晶片(10)的在相邻的第一光电子半导体器件(11)之间的区域打薄。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一光电子半导体器件是μLED(11)。


3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中将焊料凸块(25)放置在所述载体(20)上，在将所述第一光电子半导体器件(11)与所述第一半导体晶片(10)分离之前加热所述焊料凸块，并且所述焊料凸块将落到所述载体(20)上的第一光电子半导体器件(11)固定在所述载体(20)上。


4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一光电子半导体器件(11)分别具有接触面(12)，并且所述第一半导体晶片(10)设置在所述载体(20)上方，使得所述接触面(12)朝向所述载体(20)，并且其中所述焊料凸块(25)将落到所述载体(20)上的第一光电子半导体器件(11)的接触面(12)与所述载体(20)连接。


5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述载体(20)具有布线层，落到所述载体(20)上的第一光电子半导体器件(11)电耦合到所述布线层上。


6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在将所述第一半导体晶片(10)设置在所述载体(20)上方之后，在位于所述第一半导体晶片(10)和所述载体(20)之间的空间中产生负压。


7.根据权利要求6所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：西梅昂·卡茨，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE