【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子半导体芯片
本专利技术涉及一种光电子半导体芯片，尤其是适合于发射红外辐射的光电子半导体芯片。本申请要求德国专利申请102017103856.6的优先权，其公开内容通过参引结合于此。
技术介绍
在发射具有高功率密度的红外辐射的光电子半导体芯片中存在如下危险：身体部分、如尤其眼睛承受高的辐射功率并且在此情况下受伤。该危险因此尤其在发射红外辐射的光电子半导体芯片的应用中存在，因为红外辐射对于人眼是不可见的。
技术实现思路
本专利技术所基于的目的是，提出一种发射红外辐射的光电子半导体芯片，在所述光电子半导体芯片运行时，身体部分、如尤其眼睛被红外辐射损伤的危险减小。该目的利用根据独立权利要求1所述的光电子半导体芯片来实现。本专利技术的有利的设计方案和改进方案是从属权利要求的主题。光电子半导体芯片根据至少一个设计方案包括p型半导体区域，n型半导体区域和设置在p型半导体区域与n型半导体区域之间的有源层，所述有源层构成为多量子阱结构。根据至少一个设计方案，多量子阱结构具有交替的量子阱层和阻挡层。阻挡层分别具有比量子阱层更大的带隙。多量子阱结构的量子阱层适合于发射在第一波长范围中...
【技术保护点】
1.一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片具有：‑p型半导体区域(4)，‑n型半导体区域(9)，‑在所述p型半导体区域(4)与所述n型半导体区域(9)之间设置的有源层(6)，所述有源层构成为多量子阱结构(6A，6B)并且具有交替的量子阱层(6A)和阻挡层(6B)，其中所述量子阱层(6A)适合于发射在第一波长范围中的第一辐射(21)，以及‑至少一个另外的量子阱层(7A)，所述至少一个另外的量子阱层设置在所述多量子阱结构(6A、6B)之外，并且适合于发射在第二波长范围中的第二辐射(22)，其中‑所述第一波长范围处于对于人眼不可见的红外光谱范围中，和‑所述第二波长范围...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.24 DE 102017103856.61.一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片具有：-p型半导体区域(4)，-n型半导体区域(9)，-在所述p型半导体区域(4)与所述n型半导体区域(9)之间设置的有源层(6)，所述有源层构成为多量子阱结构(6A，6B)并且具有交替的量子阱层(6A)和阻挡层(6B)，其中所述量子阱层(6A)适合于发射在第一波长范围中的第一辐射(21)，以及-至少一个另外的量子阱层(7A)，所述至少一个另外的量子阱层设置在所述多量子阱结构(6A、6B)之外，并且适合于发射在第二波长范围中的第二辐射(22)，其中-所述第一波长范围处于对于人眼不可见的红外光谱范围中，和-所述第二波长范围包括如下波长，该波长至少部分对于人眼而言是可见的。2.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，其中所述第二辐射(22)在750nm和850nm之间的波长处具有强度最大值。3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中所述第一辐射(21)在850nm和1000nm之间的波长处具有强度最大值。4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中所述至少一个另外的量子阱层(7A)具有电子带隙EQW2，所述电子带隙大于所述多量子阱结构的量子阱层(6A)的电子带隙EQW1，并且其中适用EQW2-EQW1≥0.1eV。5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中所述多量子阱结构的量子阱层(6A)和所述至少一个另外的量子阱层(7A)分别具有InxAlyGa1-x-yAs或InxAlyGa1-x-yP，其中0≤x≤l，0≤y≤1和x+y≤1。6.根据权利要求5所述的光电子半导体芯片，其中所述至少一个另外的量子阱层(7A)的铝含量y大于所述多量子阱结构(6A，6B)的...
【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈亚斯·鲁道夫，马库斯·布勒尔，沃尔夫冈·施密德，约翰内斯·鲍尔，马丁·鲁道夫·贝林格，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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