用于制造光电子部件的方法及光电子部件技术

根据至少一个实施方式，用于制造光电子部件(100)的方法包括步骤A)，在步骤A)中，提供中间膜(1)。在步骤B)中，将多个光电子半导体芯片(2)附着在中间膜(1)的预定位置上。在步骤C)中，提供具有多个分开的开口(30)的腔膜(3)。在步骤D)中，将腔膜(3)附着至中间膜(1)，使得每个光电子半导体芯片(2)与相应的开口(30)相关联。腔膜(3)比光电子半导体芯片(2)厚，使得腔膜(3)在离开中间膜(1)的方向上超出光电子半导体芯片(2)。在步骤E)中，在开口(30)中的每一个中填充浇注材料(4)，使得光电子半导体芯片(2)被浇注有浇注材料(4)。在步骤F)中，去除中间膜(1)。

Method for manufacturing optoelectronic components and optoelectronic components

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造光电子部件的方法及光电子部件提供了用于制造光电子部件的方法。此外，提供了光电子部件。要实现的一个目的是提供用于制造光电子部件的有效方法。要实现的另一目的是提供可以利用该方法进行制造的光电子部件。这些目的尤其是通过独立权利要求的方法和主题来解决的。有利的实施方式和进一步的开发是从属权利要求的主题。根据至少一个实施方式，用于制造光电子部件的方法包括步骤A)，在步骤A)中，提供中间膜。中间膜可以是带，优选地是粘合带。特别地，中间膜是柔性的、或可弯曲的、或可折叠的、或可卷曲的。出于此目的，中间膜可以具有至多1mm、或至多500μm、或至多200μm、或至多100μm的厚度。此外，中间膜优选地是自支承的。出于此目的，中间膜可以具有至少20μm、或至少50μm、或至少100μm、或至少200μm的厚度。中间膜具有主延伸方向。中间膜的沿主延伸方向延伸的顶面可以是带粘性的。中间膜的基本上平行于顶面延伸的底面也可以是带粘性的。厚度是在顶面与底面之间测量的。中间膜优选地是连续的并且没有孔和中断。中间膜可以由单件形成或者可以以多层方式形成。根据至少一个实施方式，所述方法包括步骤B)，在步骤B)中，将多个光电子半导体芯片附着在中间膜的预定位置上。特别地，将光电子半导体芯片放置在中间膜的顶面上。通过将光电子半导体芯片附着至中间膜，半导体芯片优选地暂时固定至中间膜，例如它们暂时粘附至中间膜。特别地，光电子半导体芯片处于与中间膜直接接触的状态。中间膜的预定位置可以是彼此具有相等距离的位置。例如，光电子半导体芯片以单行或者以一排或者以多个排例如以矩阵的形式附着至中间膜。每个光电子半导体芯片包括有源层，该有源层在预期操作期间产生电磁辐射。例如，有源层产生处于蓝色光谱、或绿色光谱、或红色光谱或者UV区域中的光。光电子半导体芯片可以是AlInGaN半导体芯片。每个光电子半导体芯片包括顶面和底面，其中，顶面和底面是光电子半导体芯片的基本上彼此平行地延伸的主延伸面。顶面可以是光电子半导体芯片的辐射出射面，经由该辐射出射面发射至少50％或至少80％的所产生的辐射。底面可以是光电子半导体芯片的接触件面，光电子半导体芯片可以经由该接触件面电连接。光电子半导体芯片可以是可表面安装的芯片，例如倒装芯片。在顶面与底面之间测量的光电子半导体芯片的厚度例如是至多250μm、或至多200μm、或至多150μm。另外地或可替选地，该厚度可以是至少80μm或至少100μm。特别地，每个光电子半导体芯片包括恰好一个连续的有源层。平行于半导体芯片的顶面或底面测量的每个光电子半导体芯片的横向范围(lateralextent)与有源层的横向范围基本上对应。例如，每个光电子半导体芯片的横向范围超出有源层的横向范围至多10％、或至多5％、或至多1％。当将光电子半导体芯片附着至中间膜时，优选地将半导体芯片的底面附着至中间膜的顶面。因此，在附着了半导体芯片之后，半导体芯片的底面面向中间膜，而顶面背向中间膜。根据至少一个实施方式，所述方法包括步骤C)，在步骤C)中，提供具有多个分开的开口的腔膜。腔膜优选地是柔性的、或可弯曲的、或可折叠的、或可卷曲的。此外，腔膜优选地是自支承的。特别地，腔膜是独立的部件，其在被附着至中间膜之前是自支承的。出于此目的，腔膜由固体材料制成，并且可以具有至多1mm、或至多500μm、或最多200μm、或最多100μm、或至多50μm的厚度。可替选地或另外地，腔膜可以具有至少20μm、或至少30μm、至少50μm的厚度。例如，腔膜是带，特别地是粘合带。此外，腔膜在附着至中间膜之前已经包括开口。腔膜包括基本上彼此平行地延伸的顶面和底面。顶面和底面是腔膜的主延伸面。顶面和/或底面可以是带粘性的。腔膜的厚度是从顶面到底面测量的。腔膜例如由单件形成或者以多层方式形成。腔膜中的每个开口完全穿透腔膜。这意味着开口从顶面延伸到底面。在平行于腔膜的主延伸方向的横向方向上，每个开口优选地完全被腔膜的材料包围。换言之，开口是腔膜中的孔或穿透口或切口。在顶视图中，在腔膜的顶面的顶部上，每个开口优选地完全被腔膜的材料的连续围栏包围。腔膜优选地是连续的。例如，腔膜包括至少10个开口或至少100个开口。根据至少一个实施方式，所述方法包括步骤D)，在步骤D)中，将腔膜附着至中间膜，使得每个半导体芯片与相应的开口相关联，优选地与恰好一个透视开口相关联。特别地，将腔膜的底面施加于中间膜的顶面。优选地例如利用与将半导体芯片粘合至中间膜的粘合剂相同的粘合剂将腔膜粘附至中间膜。在将腔膜附着至中间膜之后，每个半导体芯片位于腔膜的一个开口内部。例如，每个光电子半导体芯片的体积的至少90％或至少95％位于相应开口内部。特别地，每个半导体芯片一对一地与一个开口相关联。这意味着，恰好一个半导体芯片位于每个开口中。根据至少一个实施方式，腔膜比光电子半导体芯片厚，使得腔膜在离开中间膜的方向上超出光电子半导体芯片。例如，腔膜比光电子半导体芯片厚至少20％、或至少50％、或至少100％、或至少150％、或至少200％。在将腔膜附着至中间膜之后，腔膜超出半导体芯片例如至少20μm、或至少50μm、或至少100μm、或至少200μm。开口的横向范围优选地大于半导体芯片的横向范围，使得半导体芯片完全安装到开口中。特别地，在顶视图中，在腔膜的顶面的顶部上，每个开口的面积比该顶视图中的相应光电子半导体芯片的面积的大至少1％、或至少5％、或至少10％。另外地或可替选地，该顶视图中的开口的面积比相应的光电子半导体芯片的面积大至多15％、或至多10％、或最多7％。根据至少一个实施方式，所述方法包括步骤E)，在步骤E)中，在开口中的每一个中填充浇注材料，使得半导体芯片被浇注有浇注材料。浇注材料优选地将半导体芯片与腔膜机械连接。浇注材料对于由半导体芯片发射的辐射可以是透明或半透明的。浇注材料可以包括用于转换由半导体芯片发射的辐射的转换颗粒。浇注材料优选地覆盖半导体芯片的顶面以及半导体芯片的侧表面。例如，浇注材料以浇注材料与腔膜的顶面齐平地终止的方式被填充到开口中。可替选地，浇注材料可以超出腔膜的顶面。浇注材料可以是硅酮例如透明硅酮、或环氧树脂、或树脂。浇注材料优选地以液相或粘稠相被填充并且随后被固化。在固化浇注材料之后，浇注材料优选地针对光电子半导体芯片的预期操作温度保持固化。固化的浇注材料优选地提供光电子半导体芯片与腔膜的机械稳定连接。根据至少一个实施方式，所述方法包括步骤F)，在步骤F)中，去除中间膜。在不破坏光电子半导体芯片或光电子半导体芯片与腔膜之间的连接的情况下去除中间膜。在去除了中间膜之后，光电子半导体芯片保留在腔膜的开口内部并且经由浇注材料机械稳定地连接至腔膜。优选地，中间膜在不被破坏的情况下被去除。根据至少一个实施方式，以要求保护的次序一个接一个地施加步骤B)、步骤D)、步骤E)和步骤F)。根据至少一个实施方式，用于制造光电子部件的方法包括步骤A)，在步骤A)中，提供中间膜。在步骤B)中，将多个光电子半导体芯片附着到中间膜的预定位置上。在步骤C)中，提供具有多个分开的开口的腔膜。在步骤D)中，将腔膜附着至中间膜，使得每个光电子半导体芯片与相应的开口相关联。腔膜比光电子半导体芯片厚，使得腔膜在离开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造光电子部件(100)的方法，包括以下步骤：A)提供中间膜(1)；B)将多个光电子半导体芯片(2)附着在所述中间膜(1)的预定位置上；C)提供具有多个分开的开口(30)的腔膜(3)；D)将所述腔膜(3)附着至所述中间膜(1)，使得每个光电子半导体芯片(2)与相应的开口(30)相关联，其中，‑所述腔膜(3)比所述光电子半导体芯片(2)厚，使得所述腔膜(3)在离开所述中间膜(1)的方向上超出所述光电子半导体芯片(2)；E)在所述开口(30)中的每一个中填充浇注材料(4)，使得所述光电子半导体芯片(2)被浇注有所述浇注材料(4)；F)去除所述中间膜(1)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造光电子部件(100)的方法，包括以下步骤：A)提供中间膜(1)；B)将多个光电子半导体芯片(2)附着在所述中间膜(1)的预定位置上；C)提供具有多个分开的开口(30)的腔膜(3)；D)将所述腔膜(3)附着至所述中间膜(1)，使得每个光电子半导体芯片(2)与相应的开口(30)相关联，其中，-所述腔膜(3)比所述光电子半导体芯片(2)厚，使得所述腔膜(3)在离开所述中间膜(1)的方向上超出所述光电子半导体芯片(2)；E)在所述开口(30)中的每一个中填充浇注材料(4)，使得所述光电子半导体芯片(2)被浇注有所述浇注材料(4)；F)去除所述中间膜(1)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，-所述中间膜(1)和所述腔膜(3)各自以卷的形式被提供，-在步骤D)中，以卷对卷工艺将所述腔膜(3)附着至所述中间膜(1)，其中，所述中间膜(1)和所述腔膜(3)同时展开并且此后彼此连接。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述腔膜(3)在展开之后并且在附着至所述中间膜(1)之前被图案化有所述开口(30)。4.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，在步骤E)之前且在步骤D)之后，将被设计用于光转换的磷光体层(5)附着至所述光电子半导体芯片(2)。5.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，在步骤F)之后，在相邻开口(30)之间中的区域中切割所述腔膜(3)，使得获得多个光电子部件(100)，每个光电子部件(100)包括一个光电子半导体芯片(2)，所述光电子半导体芯片(2)在横向上完全被壳体(3)包围，所述壳体(3)由所述腔膜(3)形成。6.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，所述中间膜(1)被提供为热释放带。7.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，在步骤E)之后固化所述浇注材料(4)，使得所述浇注材料(4)将所述光电子半导体芯片(2)机械地固定在所述开口(30)内部并且将所述光电子半导体芯片(2)机械地连接至所述腔膜(3)。8.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，所述浇注材料(4)是透明材料。9.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，所述腔膜(3)包括聚酰亚胺、或液晶聚合物、或聚邻苯二甲酰胺或聚乙烯对苯二甲酸酯。10.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，所述中间膜(1)是带，所述半导体芯片(2)仅以一排附着在所述带上。11.一种光电子部件(100)，包括：-光电子半导体芯片(2)，其具有顶面(20)、位于所述顶面(20)对面的底面(21)以及连接所述顶面(20)和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李周寅，欧崇杰，李崇金，陈爱成，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE