转换元件和具有这种转换元件的发射辐射的半导体器件制造技术

提出一种转换元件(1)，所述转换元件具有：有源区域(13)，所述有源区域由半导体材料形成并且包括多个势垒(131)和量子阱(132)；多个第一结构元件(14)，所述第一结构元件设置在转换元件(1)的上侧(1a)上；和多个第二结构元件(15)和/或第三结构元件(16)，所述第二结构元件和/或第三结构元件设置在有源区域(13)的背离多个第一结构元件(14)的侧上。此外，提出一种用于制造这种转换元件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】转换元件和具有这种转换元件的发射辐射的半导体器件
提出一种转换元件。
技术介绍
文献WO2008/092437A1描述用于产生混合光的装置以及方法。为了产生绿光，在该装置中使用基于氮氧化物或硅酸盐的发光转换元件。
技术实现思路
要实现的目的在于：提出一种转换元件，借助所述转换元件能够尤其有效地通过转换元件的光学泵浦产生有色光。转换元件尤其设置用于转换元件通过泵浦源的光学泵浦。这就是说，在转换元件中优选通过借助初级辐射的泵浦产生次级辐射，所述次级辐射具有比泵浦辐射更大的波长。例如，转换元件能够用UV辐射或蓝光泵浦并且发射比次级辐射波长更长的光，尤其绿光或红光。在此，转换元件不仅能够设置用于产生次级辐射和初级辐射的混合辐射，而且也主要发射次级辐射。在该情况下，转换元件设计用于初级辐射的所谓的完全转换。根据转换元件的至少一个实施方式，转换元件包括有源区域，所述有源区域用半导体材料形成。有源区域包括多个势垒和量子阱。例如，有源区域为了产生绿色的次级辐射在材料体系InGaN中形成，或者为了产生红色的次级辐射在材料体系InGaAlP中形成。有源区域包括具有多个势垒和量子阱的量子阱结构。由转换元件在运本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转换元件(1)，所述转换元件具有：‑有源区域(13)，所述有源区域由半导体材料形成并且包括多个势垒(131)和量子阱(132)；‑多个第一结构元件(14)，所述第一结构元件设置在所述转换元件(1)的上侧(1a)上；和‑多个第二结构元件(15)和/或第三结构元件(16)，所述第二结构元件和/或第三结构元件设置在所述有源区域(13)的背离所述多个第一结构元件(14)的侧上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.27 DE 102016101442.71.一种转换元件(1)，所述转换元件具有：-有源区域(13)，所述有源区域由半导体材料形成并且包括多个势垒(131)和量子阱(132)；-多个第一结构元件(14)，所述第一结构元件设置在所述转换元件(1)的上侧(1a)上；和-多个第二结构元件(15)和/或第三结构元件(16)，所述第二结构元件和/或第三结构元件设置在所述有源区域(13)的背离所述多个第一结构元件(14)的侧上。2.根据上一项权利要求所述的转换元件(1)，所述转换元件不具有电端子。3.根据上述权利要求中任一项所述的转换元件(1)，所述转换元件不具有载体(11)。4.根据权利要求1或2所述的转换元件(1)，所述转换元件具有：-载体(11)，所述载体由透射辐射的材料形成，其中-所述多个第二结构元件(15)设置在所述载体(11)的朝向所述有源区域(13)的外面上，和/或-所述多个第三结构元件(16)设置在所述载体(11)的背离所述有源区域(13)的外面上。5.根据上述权利要求中任一项所述的转换元件(1)，其中所述多个第一结构元件(14)提高电磁辐射从所述转换元件(1)射出的概率，并且所述多个第二结构元件(15)和第三结构元件(16)提高电磁辐射射入到所述有源区域(13)中的概率。6.根据权利要求1至4中任一项所述的转换元件(1)，其中所述多个第二结构元件(15)和/或第三结构元件(16)提高电磁辐射从所述转换元件(1)射出的概率，并且所述多个第一结构元件(14)提高电磁辐射射入到所述有源区域(13)中的概率。7.根据上述权利要求中任一项所述的转换元件(1)，所述转换元件包括所述多个第二结构元件(15)和所述多个第三结构元件。8.根据上述权利要求中任一项所述的转换元件(1)，其中所述有源区域(13)包括至少10个、尤其至少35个量子阱(132)。9.根据上述权利要求中任一项所述的转换元件(1)，其中所述多个第一结构元件(14)通过所述有源区域(13)中的V形缺陷形成。10.根据上述权利要求中任一项所述的转换元件(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈亚斯·莱夫勒，亚当·鲍尔，马蒂亚斯·彼得，迈克尔·宾德，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE