发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种发光元件，其利用比光的散射效应更以衍射效应为主的凹凸构造，由此提高光取出效率。发光元件具备：积层部(8)，至少积层包含发光层(84)的半导体层；及衍射面(2)，具有凹凸构造，该凹凸构造形成于积层部(8)所包含的层的任意边界，以按照布拉格的衍射条件反射从发光层(84)发出的射入光的方式形成，其特征为，凹凸构造形成为，凸部侧壁相对于衍射面(2)的倾斜大于75度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件
本专利技术涉及一种提高光取出效率的发光元件。
技术介绍
发光二极管(LED)基本上具有在基板上积层有n型半导体层、发光层以、p型半导体层的构造。而且，在p型半导体层及n型半导体层上形成电极，通过从半导体层植入的电洞与电子的再结合来在发光层产生光。采用从p型半导体层上的透光性电极或基板取出该光的构造。并且，透光性电极是由形成于p型半导体层的大致整个面的金属薄膜或透明导电膜所构成的透光性电极。在这种构造的发光二极管中，由于在以原子等级(atomiclevel)控制积层构造的关系上，将基板的平坦性加工成镜面等级(specularlevel)，因此基板上的半导体层、发光层及电极呈相互平行的积层构造。此时，由于半导体层的折射率大于基板、透光性电极的折射率，因此形成用基板与透光性电极夹住半导体层的波导路(waveguide)。从而，当光以规定的临界角以上的角度射入至电极表面或基板表面时，被电极与p型半导体层的界面或基板表面所反射，而在半导体层的积层构造内横向传播而被捕捉在波导路内，且也存在横向传播中的吸收所导致的损失，成为外部量子效率降低的原因。对此，专利文献1中公开了如下技术，在蓝宝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，具备：积层部，至少积层包含发光层的半导体层；及衍射面，具有凹凸构造，该凹凸构造形成于所述积层部所包含的层的任意边界，以按照布拉格的衍射条件反射从所述发光层发出的射入光的方式形成，其特征为，所述凹凸构造形成为，凸部侧壁相对于所述衍射面的倾斜大于75度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.17 JP 2015-143398;2015.10.01 JP 2015-195941.一种发光元件，具备：积层部，至少积层包含发光层的半导体层；及衍射面，具有凹凸构造，该凹凸构造形成于所述积层部所包含的层的任意边界，以按照布拉格的衍射条件反射从所述发光层发出的射入光的方式形成，其特征为，所述凹凸构造形成为，凸部侧壁相对于所述衍射面的倾斜大于75度。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征为，所述衍射面由所述凹凸构造以格子状排列而形成。3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征为，所述衍射面由所述凹凸构造以多角形的格子状排列而形成。4.根据权利要求2所述的发光元件，其特征为，所述衍射面由所述凹凸构造以长方形或正方形的格子状排列而形成。5.根据权利要求2至4中任意1项所述的发光元件，其特征为，所述衍射面具有所述凹凸构造的格子方向不同的多个区域。6.根据权利要求2至4中任意1项所述的发光元件，其特征为，所述衍射面具有所述凹凸构造的格子方向分别不同相等角度的多个区域。7.根据权利要求1至6中任意1项所述的发光元件，其特征为，所述衍射面的凹部的宽度S相对于所述凹凸构造的最短周期方向的周期P的比例S/P为60％以上。8.根据权利要求1所述的发光元件，其特征为，所述衍射面的所述凹凸构造以交错相间状所排列。9.根据权利要求8所述的发光元件，其特征为，所述衍射面的所述凹凸构造以多角形的交错相间状所排列。10.根据权利要求8所述的发光元件，其特征为，所述衍射面的所述凹凸构造以长方形或正方形的交错相间状所排列。11.根据权利要求8至10中任意1项所述的发光元件，其特征为，所述衍射面具有所述凹凸构造的交错...

【专利技术属性】
技术研发人员：须崎泰正，绳田晃史，田中觉，
申请(专利权)人：SCIVAX株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP