发光组件以及发光组件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种发光组件，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层，其中第一半导体层上设置有第一奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面以及窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化，以及第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，其中施以表面粗糙化处理侧的层经与活性层侧的层相比系由Al成分较少的材料所构成。由此能维持披覆层的载子局限效果，并获得所期望的粗糙面形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光组件以及发光组件的制造方法
本专利技术涉及一种发光组件以及发光组件的制造方法，特别是关于通过磊晶成长而形成第一半导体层、活性层、第二半导体层以及窗层兼支持基板并在除去基板后用以对经形成有电极的发光组件基板施以表面粗糙化处理的结构以及制造方法。
技术介绍
近年，发光二极管(LED)朝高效率化进展，并朝对于照明设备的应用而进展。习知的照明设备几乎都是由InGaN系的蓝色LED与荧光剂所组合而成的设备。然而，在使用荧光剂时由于无法避免原理上的斯托克斯损失(Stokesloss)的发生，因此会有荧光剂无法将所接受到的全部的光变换为其他波长的问题。此问题特别是在相对较蓝色为长波长的黄色与红色之类的范围中尤为显著。为了解决此问题，近年采用的技术为黄色或红色LED与蓝色LED的组合。此时，并不是如COB(chiponboard)型般为于单侧表面取出光，逐渐普及的是在板子之上并排LED并以电丝型进行发光的灯泡类型的照明设备。应用于此类型的设备的LED组件，由于必须要扩及电丝全表面来取出光，因此并不适合于自组件的单一侧取出光的类型，理想的是具有自芯片的全方位取出光而配光的组件。一般为蓝色LED的I本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光组件，具有窗层兼支持基板及设置于该窗层兼支持基板上的发光部，该发光部依序包含有第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层，其中该第一半导体层上设置有第一奥姆电极，该第一半导体层的表面以及该发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，该第一半导体层的表面以及该窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化，以及该第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，其中经施以表面粗糙化处理侧的层与活性层侧的层相比由Al成分较少的材料所构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.09 JP 2015-0031281.一种发光组件，具有窗层兼支持基板及设置于该窗层兼支持基板上的发光部，该发光部依序包含有第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层，其中该第一半导体层上设置有第一奥姆电极，该第一半导体层的表面以及该发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，该第一半导体层的表面以及该窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化，以及该第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，其中经施以表面粗糙化处理侧的层与活性层侧的层相比由Al成分较少的材料所构成。2.如权利要求1所述的发光组件，其中该发光组件具有：经除去该发光部的一部分的除去部；该除去部以外的非除去部；设置于该非除去部的该第一半导体层上的该第一奥姆电极；以及设置于该除去部的该窗层兼支持基板上或该第二半导体层上的第二奥姆电极。3.如权利要求1或2所述的发光组件，其中该第一半导体层的经施以表面粗糙化处理侧的层由(AlxGal-x)yIn1-yP所构成，其中0≦x＜0.6、0.4≦y≦0.6，或是由AlzGal-zAs所构成，其中0≦z≦0.3；且该第一半导体层的活性层侧的层由(AlxGal-x)yIn1-yP所构成，其中0.6≦x≦1、0.4≦y≦0.6，或是由AlzGal-zAs所构成，其中0.3＜z≦1。4.一种发光组件的制造方法，包含：发光部形成步骤，于基板上，以与该基板为晶格匹配系的材料通过磊晶成长而依序成长第一半导体层、活性层、第二半导体层而形成发光部；窗层兼支持基板形成步骤，于该发光部之上以对该基板为非晶格匹配系的材料通过磊晶成长而形成窗...

【专利技术属性】
技术研发人员：石崎顺也，古屋翔吾，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP