发光组件以及发光组件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种发光组件以及发光组件的制造方法，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含有第二半导体层、活性层及第一半导体层，其中发光组件具有除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层上的第一奥姆电极、及设置于除去部的窗层兼支持基板上的第二奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的外周部除外的表面以及窗层兼支持基板的表面为经粗糙化，且发光部侧面的Rz为未满2μm。因此使漏电不良或ESD不良的发生受到抑制。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光组件以及发光组件的制造方法
本专利技术涉及一种发光组件以及发光组件的制造方法，特别涉及通过磊晶成长而形成一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及一窗层兼支持基板，以及在经除去基板后对经形成有电极的发光组件基板施以粗糙面处理时的结构以及制造方法。
技术介绍
近年，发光二极管(LED)向着高效率化前进，并渐渐适用于照明设备。已知的照明设备几乎都是由InGaN系的蓝色LED与荧光剂所组合而成的设备。然而，在使用荧光剂时由于无法避免原理上的斯托克斯损失(Stokesloss)的发生，因此会有无法将荧光剂所受光的全部的光变换为其他波长的问题。特别是在相对的较蓝色为长波长的黄色与红色之类的范围中此问题尤为显著。为了解决此问题，近年采用的技术为黄色或红色LED与蓝色LED的组合。此时，并非如COB(chiponboard)型般为单面取出光，而是逐渐普及地为在板子之上并排LED并以电丝型进行发光的灯泡类型的照明设备。应用于此类型的设备的LED组件，由于须要扩及电丝全面来取出光，因此并不适用于自组件的单侧取出光的类型，理想的组件是具有自芯片全球面取出光的配光。一般为蓝色LED的InGaN系LE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光组件，具有一窗层兼支持基板及设置于该窗层兼支持基板上的发光部，该发光部依序包含有为第二导电型的第二半导体层、活性层及为第一导电型的第一半导体层，其中该发光组件具有经除去该发光部的除去部、该除去部以外的非除去部、设置于该非除去部的该第一半导体层上的第一奥姆电极、及设置于该除去部的该窗层兼支持基板上的第二奥姆电极，以及该第一半导体层的表面以及该发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，该第一半导体层的外周部除外的表面以及该窗层兼支持基板的表面为经粗糙化，且该发光部侧面的Rz为未满2μm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.07 JP 2014-2271581.一种发光组件，具有一窗层兼支持基板及设置于该窗层兼支持基板上的发光部，该发光部依序包含有为第二导电型的第二半导体层、活性层及为第一导电型的第一半导体层，其中该发光组件具有经除去该发光部的除去部、该除去部以外的非除去部、设置于该非除去部的该第一半导体层上的第一奥姆电极、及设置于该除去部的该窗层兼支持基板上的第二奥姆电极，以及该第一半导体层的表面以及该发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，该第一半导体层的外周部除外的表面以及该窗层兼支持基板的表面为经粗糙化，且该发光部侧面的Rz为未满2μm。2.如权利要求1所述的发光组件，其中该窗层兼支持基板由GaP、GaAsP、AlGaAs、蓝宝石(Al2O3)、石英(SiO2)、SiC之中的任一个所组成，该第一半导体层、该活性层、该第二半导体层由AlGaInP或AlGaAs所组成。3.一种发光组件的制造方法，包含：发光部形成步骤，于基板上，以与该基板为晶格匹配系的材料通过磊晶成长而依序成长第一半导体层、活性层、第二半导体层而形成发光部；窗层兼支持基板形成步骤，于该发光部之上以对该基板为非晶格匹配系的材料通过磊晶成长而形成一窗层兼支持基板；除去步骤，除去该基板；第一奥姆电极形成步骤，于该第一半导体层的表面形成第一奥姆电极；第一粗糙面处理步骤，于该第一半导体层的表面进行粗糙面处理；组件分离步骤，形成除去该发光部的一部分的除去部以及其以外的非除去部；第二奥姆电极形成步骤，于经除去该发光部的窗层兼支持基板上形成第二奥姆电极；覆盖步骤，以绝缘保...

【专利技术属性】
技术研发人员：石崎顺也，古屋翔吾，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP