半导体发光元件制造技术

一种半导体发光元件，所述半导体发光元件具有：第一导电类型的第一半导体层；发光功能层，所述发光功能层形成在所述第一半导体层上并且包括发光层；以及第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述发光功能层上并且为与所述第一半导体层相反的导电类型。所述发光层具有：基底层，所述基底层具有多个基底区段，所述多个基底区段具有从所述第一半导体层接受应力应变的组分，并且被分割成随机网状；以及量子阱结构层，所述量子阱结构层包括形成在所述基底层上的至少一个量子阱层和至少一个势垒层。所述基底层具有AlxGa1‑xN(0≤x≤1)组分。所述至少一个势垒层具有AlyGa1‑yN(0≤y<1)组分。组分x和组分y满足关系x>y。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光元件
本专利技术涉及一种半导体发光元件(诸如，发光二极管(LED))。
技术介绍
半导体发光元件通常通过在生长基板上生长由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的半导体结构层并且形成分别对n型半导体层和p型半导体层施加电压的n电极和p电极来制造。专利文献1公开了一种白色发光二极管，其中，红色、绿色和蓝色发光二极管按照该顺序被层压以便沿同一方向发光。专利文献2公开了一种白色发光元件，该白色发光元件包括：第一发光部，该第一发光部通过金属层接合到导电子安装基板；以及第二发光部，该第二发光部形成在所述导电子安装基板的上表面的一个区域上。专利文献3公开了一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括由InGaN构成的多个阱层，其中，各个阱层的In组分不同。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-249460号公报专利文献2：日本特开2006-339646号公报专利文献3：日本特开2004-179493号公报
技术实现思路
技术问题当通过电极注入到元件中的电子和空穴在该元件的有源层中发生结合(复合(recombination))时，会引发由半导体发光元件进行的光发射。从有源层发射的光的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，所述半导体发光元件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型；发光功能层，所述发光功能层形成在所述第一半导体层上并且包括发光层；以及第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述发光功能层上并且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型，其中所述发光层包括：基底层，所述基底层具有从所述第一半导体层受到应力应变的组分，并且具有被分割成随机网状的多个基底区段；以及量子阱结构层，所述量子阱结构层形成在所述基底层上并且由至少一个量子阱层和至少一个势垒层构成，并且所述基底层具有AlxGa1‑xN(0≤x≤1)的组分，所述至少一个势垒层具有AlyGa1‑yN(0≤y<1)...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.07 JP 2014-2269401.一种半导体发光元件，所述半导体发光元件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型；发光功能层，所述发光功能层形成在所述第一半导体层上并且包括发光层；以及第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述发光功能层上并且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型，其中所述发光层包括：基底层，所述基底层具有从所述第一半导体层受到应力应变的组分，并且具有被分割成随机网状的多个基底区段；以及量子阱结构层，所述量子阱结构层形成在所述基底层上并且由至少一个量子阱层和至少一个势垒层构成，并且所述基底层具有AlxGa1-xN(0≤x≤1)的组分，所述至少一个势垒层具有AlyGa1-yN(0≤y<1)的组分，并且组分x和组分y满足...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井优作，杉山正和，M·玛尼施，
申请(专利权)人：斯坦雷电气株式会社，国立大学法人东京大学，
类型：发明
国别省市：日本,JP