半导体发光组件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体发光组件，具有由阱层与障壁层所构成的量子阱活性层，其中该半导体发光组件的发光波长为585nm以上及605nm以下；该阱层由化学式(AlxGal‑x)yIn1‑yP(0＜x≦0.06、0＜y＜1)的化合物半导体所构成；以及该障壁层由化学式(AlmGal‑m)nIn1‑nP(0≦m≦1、0＜n＜1)的化合物半导体所构成。通过使用此量子阱构造的活性层，能于短波长区域(黄色发光)得到高发光效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光组件
本专利技术涉及一种使用化合物半导体材料的半导体发光组件。
技术介绍
AlGaInP系材料在III-V族化合物半导体混晶(氮化物除外)中具有最大的直接跃迁型带隙，而被使用作为500～600nm带的发光组件材料。特别是与已知使用GaP或GaAsP等的间接跃迁型材料之物相比，具有由与GaAs基板晶格匹配的AlGaInP所组成的发光部的发光组件，可进行高亮度的发光。然而，即使是此种具有由AlGaInP所组成的发光部的发光组件，亦并无法保证其在短波长区域(黄色发光)的发光效率必然足够。作为在短波长区域中发光效率低下的原因，被认为是以下原因等所导致，(1)由于活性层与披覆层之间的能量带隙差小的关系，而使载子的局限(Confinement)不足，(2)为了使活性层的A1组成提高，而使活性层中的非发光中心增加，(3)能量带隙构造从直接跃迁型向间接跃迁型接近。为了解决这些问题点，专利文献1中揭示有通过将活性层定为80～200层的量子阱构造，并使障壁层中的Al组成大于0.5(即，使用化学式为(AlxGal-x)1-yInyP，其中0.5＜x≦1)的化合物半导体来抑制载子的溢流(overf本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光组件，具有由阱层与障壁层所构成的量子阱活性层，其中该半导体发光组件的发光波长为585nm以上及605nm以下；该阱层由化学式(AlxGal‑x)yIn1‑yP的化合物半导体所构成，其中0＜x≦0.06、0＜y＜1；以及该障壁层由化学式(AlmGal‑m)nIn1‑nP的化合物半导体所构成，其中0≦m≦1、0＜n＜1。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.06 JP 2014-2056671.一种半导体发光组件，具有由阱层与障壁层所构成的量子阱活性层，其中该半导体发光组件的发光波长为585nm以上及605nm以下；该阱层由化学式(AlxGal-x)yI...

【专利技术属性】
技术研发人员：酒井健滋，池田淳，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP