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本发明提供一种半导体发光组件，具有由阱层与障壁层所构成的量子阱活性层，其中该半导体发光组件的发光波长为585nm以上及605nm以下；该阱层由化学式(AlxGal‑x)yIn1‑yP(0＜x≦0.06、0＜y＜1)的化合物半导体所构成；以及...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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