半导体发光元件制造技术

一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括：第一半导体层，该第一半导体层具有第一导电类型；发光功能层，该发光功能层包括形成在所述第一半导体层上的发光层；以及第二半导体层，该第二半导体层形成在所述发光功能层上并且具有与所述第一半导体层相反的导电类型。所述发光层包括：基底层，该基底层具有从所述第一半导体层经受应力应变的这种组分，并且具有形成为像随机网格的多个基底区段；以及量子阱结构层，该量子阱结构层由至少一个量子阱层和至少一个势垒层组成，所述至少一个量子阱层以嵌入所述基底层的方式形成。所述基底层具有多个子基底层，所述多个子基底层由具有相互不同的Al组分的AlGaN构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光元件
本专利技术涉及一种半导体发光元件(诸如，发光二极管(LED))。
技术介绍
半导体发光元件通常通过在生长基板上生长由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的半导体结构层并且形成分别向n型半导体层和p型半导体层施加电压的n电极和p电极来制造。专利文献1公开了一种白色发光二极管，其中，红色、绿色和蓝色发光二极管依次层叠以便沿同一方向发射光。专利文献2公开了一种白色发光元件，该白色发光元件包括：第一发光部，该第一发光部通过金属层接合到导电子安装基板；以及第二发光部，该第二发光部形成在所述导电子安装基板的上表面的一个区域上。专利文献3公开了一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括由InGaN构成的多个阱层，其中，各个阱层的In组分不同。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-249460号公报专利文献2：日本特开2006-339646号公报专利文献3：日本特开2004-179493号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题当通过电极注入到元件中的电子和空穴在该元件的有源层中发生结合(复合)时，会引发由半导体发光元件进行的光发射。从有源层发射的光的波长(即，发光颜色)根本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，所述半导体发光元件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型；发光功能层，所述发光功能层形成在所述第一半导体层上，并且包括发光层；以及第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述发光功能层上，并且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型，其中所述发光层具有：基底层，所述基底层具有从所述第一半导体层受到应力应变的组分，并且具有被形成为随机网状的多个基底区段；以及量子阱结构层，所述量子阱结构层嵌入所述基底层而形成，并且由至少一个量子阱层和至少一个势垒层构成，并且所述基底层具有由具有不同Al组分的AlGaN构成的多个子基底层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.07 JP 2014-2269191.一种半导体发光元件，所述半导体发光元件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型；发光功能层，所述发光功能层形成在所述第一半导体层上，并且包括发光层；以及第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述发光功能层上，并且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型，其中所述发光层具有：基底层，所述基底层具有从所述第一半导体层受到应力应变的组分，并且具有被形成为随机网状的多个基底区段；以及量子阱结构层，所述量子阱结构层嵌入所述基底层而形成，并且由至少一个量子阱层和至少一个势垒层构成，并且所述基底层具有由具有不同Al组分的AlGaN构成的多个子基底层。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第一半导体层具有GaN的组分；所述至少一个量子阱层各具有InGaN的组分；并且所述基底层具有包括第一子基底层和第二子基底层在内的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：十川博行，杉山正和，M·玛尼施，
申请(专利权)人：斯坦雷电气株式会社，国立大学法人东京大学，
类型：发明
国别省市：日本,JP