光电子器件和用于其制造的方法技术
Optoelectronic devices and methods for their manufacture
An optoelectronic device, the optoelectronic device including a layer structure with an optical active layer. Here, the optical active layer has a higher V type defect density in the first transverse region than in the second lateral region.
【技术实现步骤摘要】
光电子器件和用于其制造的方法本申请是已经于2013年9月24日提交的国际申请号：PCT/EP2013/069816,国家申请号：201380050790.8，专利技术名称为：“光电子器件和用于其制造的方法”的PCT国际申请的分案申请。
本专利技术涉及一种根据权利要求1所述的光电子器件和一种根据权利要求12所述的用于制造光电子器件的方法。相关申请的交叉参引本申请要求德国专利申请102012217640.3的优先权，其公开内容通过参考并入本文。
技术介绍
在基于由III族氮化物材料体系构成的半导体、例如基于InGaN-GaN且具有由多个量子膜(Multi-Quantum-Well；MQW，多量子阱)构成的有源区的发光二极管中，在现有技术中显示出如下问题，并非全部的量子膜都能够最佳地且均匀地共同运行。这引起这种发光二极管的效率损失。在多个量子膜之上的载流子分布通过沿着半导体层结构的生长方向将载流子注入到量子膜中得到。值得期望的是尽可能均匀的载流子注入和分布。然而，所述尽可能均匀的载流子注入和分布尤其由于设置在量子膜之间的必须通过注入的载流子克服的势垒受到妨碍。特别地，在...
【技术保护点】
一种光电子器件，所述光电子器件具有层结构，所述层结构具有光有源层，其中‑所述光有源层在第一横向区域中具有比在第二横向区域中更高的V型缺陷的密度，‑在俯视图中，所述V型缺陷中的至少一些V型缺陷具有由六边形、十二边形或蜂窝状结构给出的轮廓，‑所述V型缺陷中的具有由六边形、十二边形或蜂窝状结构给出的轮廓的至少一些V型缺陷设置在栅格的栅格节点处。
【技术特征摘要】
2012.09.27 DE 102012217640.31.一种光电子器件，所述光电子器件具有层结构，所述层结构具有光有源层，其中-所述光有源层在第一横向区域中具有比在第二横向区域中更高的V型缺陷的密度，-在俯视图中，所述V型缺陷中的至少一些V型缺陷具有由六边形、十二边形或蜂窝状结构给出的轮廓，-所述V型缺陷中的具有由六边形、十二边形或蜂窝状结构给出的轮廓的至少一些V型缺陷设置在栅格的栅格节点处。2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述栅格是矩形栅格、六边形栅格或三角形栅格。3.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述栅格在所述第一横向区域中存在。4.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述第二横向区域的每个点沿横向方向远离所述第一横向区域中的V型缺陷不超过规定值，其中所述规定值在0.2μm和10μm之间。5.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述V型缺陷在所述层结构的横向方向上分布成，使得所述光有源层的每个横向部段在横向方向上最多与V型缺陷具有下述最大间距，所述最大间距对应于载流子扩散长度、尤其对应于空穴扩散长度。6.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述层结构的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯蒂安·莱雷尔，托比亚斯·迈耶，马蒂亚斯·彼得，于尔根·奥弗，约阿希姆·赫特功，安德烈亚斯·莱夫勒，亚历山大·沃尔特，达里奥·斯基亚翁，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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