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一种光电子器件，所述光电子器件包括具有光有源层的层结构。在此，光有源层在第一横向区域中具有比在第二横向区域中更高的V型缺陷密度。...
该专利属于欧司朗光电半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过欧司朗光电半导体有限公司授权不得商用。

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