本发明涉及一种背光装置，所述背光装置具有：多个设置在一个平面中的半导体光源，以产生光辐射；和设置在半导体光源的侧向的侧壁。侧壁相对于通过半导体光源预设的平面倾斜。此外，侧壁在可由半导体光源的光辐射辐照的一侧处后向反射。本发明还涉及一种具...

在至少一个实施方式中，光电子半导体组件(1)包括：光电子半导体芯片(2)，其用于产生初级辐射。用于将初级辐射部分地或全部地转换为更长波长的次级辐射的至少一种发光材料(3)设置在半导体芯片(2)的下游，所述次级辐射位于可见的光谱范围中。此...

本发明的实施方式描述一种包含无机物质的发光材料，所述无机物质在其组成中至少包含元素D、元素A1、元素AX、元素SX和元素NX(其中D是一种、两种或多种选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb的元素，A1...

提出一种用于制造多个光电半导体器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供具有多个半导体本体区域(200)的半导体层序列(2)；b)提供多个载体本体(3)，所述载体本体分别具有第一接触结构(31)和第二接触结构(32)；c)构成具有...

本发明提出一种具有半导体本体(2)和镜区域(3)的光电子半导体器件(1)，所述镜区域至少局部地邻接于半导体本体的主面(23)，其中镜区域(3)具有第一材料组分的多个彼此隔开的且邻接于主面的域(31)和第二材料组分的连续的镜层(32)，并...

提出一种光电子半导体器件(9)，所述光电子半导体器件包括：具有至少一个发光二极管芯片(11)和覆盖面(1a)的发光二极管构件(1)，所述覆盖面沿放射方向(Z)设置在发光二极管芯片(11)的下游；转换元件(2)，所述转换元件沿放射方向(Z...

提出一种用于制造多个转换元件(10)的方法，所述方法包括：提供载体衬底(1)；将转换材料(3)引入到基体材料(2)中；将具有转换材料(3)的基体材料(2)以不连贯的样式施加到载体衬底(1)的各个区域(8)上；将阻挡衬底(5)施加到基体材...

提出一种光电子半导体芯片(100)。半导体芯片(100)包括具有下侧(10)和与下侧(10)相对置的上侧(14)的半导体层序列(1)。从下侧(10)来看，半导体层序列(1)以如下顺序具有：第一传导类型的第一层(11)、用于产生电磁辐射的...

提出一种发光半导体器件，所述发光半导体器件具有：至少一个发光半导体芯片(1)，所述发光半导体芯片具有半导体层序列、光耦合输出面(10)、与光耦合输出面(10)相对置的后侧面(11)和侧面(12)，所述侧面将光耦合输出面(10)和后侧面(...

一种光电子器件(10)，所述光电子器件包括:‑发射辐射的半导体芯片(2)；‑转换元件(8)，所述转换元件适合于将由半导体芯片(2)发射的辐射(12)的至少一部分变换成转换的辐射(13)，其中转换的辐射(13)具有比发射的辐射(12)更大...

提出一种用于半导体器件(100)的电接触结构(10)，所述电接触结构具有：透明导电接触层(1)，在所述透明导电接触层上施加第一金属接触层(2)；第二金属接触层(3)，所述第二金属接触层完全地遮盖第一金属接触层(2)；和分离层(4)，所述...

提出一种半导体器件(1)，所述半导体器件具有设为用于产生具有第一峰值波长的初级辐射的半导体芯片(2)和辐射转换元件(3)，所述辐射转换元件设置在半导体芯片(2)上。辐射转换元件(3)具有量子结构(30)和对于初级辐射可穿透的衬底(35)...

提出一种半导体器件(2)，所述半导体器件具有光电子的半导体芯片(2)和设置在半导体芯片(2)的辐射穿透面(20)上的光学元件(3)。光学元件(3)以高折射率的聚合物材料为基础。此外，提出一种用于制造半导体器件的方法。

本发明提出一种光电子半导体组件，具有：-光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片包括透光的载体(10)、在透光的载体(10)上的半导体层序列(11)和在半导体层序列(11)的背离透光的载体(10)的下侧上的电连接部位(12)；-透光...

本发明提出一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括由半导体材料制成的半导体本体(1)、p型接触层(21a)和n型接触层(2)。半导体本体(1)具有设为用于产生辐射的有源层(1a)。半导体本体具有p型侧(1c)和n型侧(1b...

本发明涉及一种半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有带有半导体层序列的半导体本体(2)，其中所述半导体层序列具有n型导电的多层结构(21)、p型导电的半导体层(22)和设置用于产生辐射的有源区域(20)，所述有源区域设置在所述n型导电的多...

提出一种用于防静电放电的半导体芯片(10)，所述半导体芯片具有：半导体本体(1)，所述半导体本体具有第一主表面(12)和与第一主表面(12)相对置地设置的第二主表面(13)，其中半导体本体(1)具有p型掺杂的子区域(2)和n型掺杂的子区...

提出一种发光设备，所述发光设备具有：发光半导器件(1)，所述发光半导体器件在运行中发射第一波长范围中的第一光；和设置在第一光的光路中的波长转换元件(2)，所述波长转换元件将第一光至少部分地转换成与第一波长范围不同的第二波长范围中的第二光...

提出一种用于将供图像传感器应用装置的发光半导体器件(301)进行分级的方法，其中半导体器件(301)设立为用于图像传感器(302)的光源，所述方法具有如下步骤：‑提供发光半导体器件(301)，‑确定由发光半导体器件(301)在运行中以发...

提出一种用于制造多个半导体器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源区域(25)，所述有源区域设置用于产...