本发明提出一种激光二极管装置，具有：壳体(1)，其具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的装配件(11)，装配件沿着延伸方向(110)远离壳体部件(10)延伸；以及在装配件(11)上的激光二极管芯片(2)，激光二极管芯片在衬底(2...

一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法包括：用于提供衬底的步骤、用于沉积牺牲层的步骤、用于沉积功能性的半导体层序列的步骤、用于横向结构化功能性的半导体层序列的步骤和用于在湿热氧化工艺中氧化牺牲层的步骤。

本发明涉及一种用于制备发光材料的方法，其包括如下方法步骤：A)制备初始物质的混合物，其中初始物质具有第一组分和第二组分，其中第一组分选自：铝、硅、元素周期表的第二主族的至少一种元素和镧系元素中的至少一种元素和它们的组合，其中第二组分包括...

提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件具有至少一个半导体芯片(1)以放射电磁辐射(6)，其中半导体芯片(1)具有至少一个侧面(4)，并且其中电磁辐射(6)的一部分在半导体芯片(1)运行时通过侧面(4)射出。半导体器件还具有至少一...

提出一种用于制造波长转换元件(10)的方法，其中提供波长转换层(100)，用等离子体(50)处理所述波长转换层的表面并且冲裁波长转换层。此外，提出一种波长转换层和一种具有波长转换层的光电子器件。

本发明涉及一种用于制造装置的方法、一种装置的阵列和一种具有柱状的结构(5)的装置(1)，该柱状的结构以一个端部设置在衬底(2)上，其中结构(5)借助具有用于产生电磁辐射的有源区(7)的半导体层结构(6)覆盖，其中有源区(7)具有用于辐射...

提出了一种光电半导体芯片，其包括非矩形的、平行四边形的盖表面(1)，以及-有源区域(21)，所述有源区域与所述盖表面(1)间隔开距离并且至少部分地平行于所述盖表面(1)延伸，其中-所述盖表面(1)包括辐射出射表面(11)，操作期间在所述...

一种光学装置，包括：多个在载体(1)上的发光芯片(2)。在此，第一发光芯片分别包括第一组(21)的像素，并且第二发光芯片分别包括第二组(22)的像素。各一个第一发光芯片和第二发光芯片在第一单元格(E1)中平面地设置在载体(1)上。此外，...

本发明涉及一种光电子器件(101)，包括：载体(103)，在所述载体上施加有半导体层序列(105)，所述半导体层序列包括n型掺杂的和p型掺杂的半导体层(107)，使得形成pn结(111)，所述pn结包括用于产生电磁辐射的有源区(113)...

本发明涉及一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法包括下述步骤：提供衬底；生长第一层；执行刻蚀过程以便铺设V形缺陷；生长第二层和生长量子膜结构。

在至少一个实施方式中，提出一种用于制造光电子半导体芯片(10)的方法，所述方法包括下述步骤：A)提供载体复合件(11)，所述载体复合件是蓝宝石晶片；B)将半导体层序列(2)施加到载体复合件(11)上；以及C)将载体复合件(11)和半导体...

本发明提出一种光电子的半导体器件(1)，所述半导体器件具有：半导体芯片(2)，所述半导体芯片具有半导体层序列(200)，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域(20)；辐射出射面(10)，所述辐射出射面平行于有源区域伸展；安装侧...

提出一种用于连接接合配对件(1，2)、例如光电子半导体芯片(例如发光二极管芯片)和电路板或金属导体框的方法，所述方法具有下述步骤：提供第一接合配对件(1)和第二接合配对件(2)；将第一层序列(10)施加到第一接合配对件(1)上，所述第一...

一种显示设备(1)，所述显示设备具有至少一个半导体本体和操控电路(54)，所述半导体本体具有带有设为用于产生辐射的有源区域(20)并且形成多个像素(2a，2b)的半导体层序列(2)，其中操控电路(54)具有多个开关(55)，所述开关分别...

提出一种用于光电子器件(100)的反射性的接触层系统，包括：p型掺杂的第一氮化物化合物半导体层(1)，透明的传导的氧化层(3)，反射层(4)，和设置在p型掺杂的第一氮化物化合物半导体层(1)和透明的传导的氧化层(3)之间的p型掺杂的第二...

本发明涉及一种光电子半导体构件(100)，具有：具有辐射退耦面(6)的至少一个发射辐射的半导体芯片(3)，在半导体芯片(3)中产生的电磁辐射的至少一部分通过辐射退耦面离开所述半导体芯片(3)；至少一个转换元件(4)，其设置在半导体芯片(...

本发明描述了一种用于测量设置在连接载体(100)上的至少一个光电子组件(10)的方法。所述方法包括：激励电磁振荡电路(38，39)，所述电磁振荡电路通过光电子组件(10)和连接载体(100)形成，使得激励光电子组件(10)以发射电磁辐射...

提出一种光电子发光模块(100)，具有：至少两个光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片具有辐射出射面(11)和背离辐射出射面的不导电地构成的后侧(12)；冷却体(20)，所述冷却体具有冷却体上侧(21)和背离冷却体上侧(21)的...

本发明涉及用于尤其在远场中混合具有不同波长的电磁辐射的光电子器件(1)。在支承体(2)上设有至少一个第一半导体芯片(3)以发射在第一光谱范围中的电磁辐射。此外，在支承体(2)上设有至少一个第二半导体芯片(4、4a、4b)以发射在第二光谱...

提出一种光电子半导体芯片，具有：半导体本体(40)，所述半导体本体包括设为用于产生电磁辐射的有源区域(42)；第一镜层(21)，所述第一镜层设为用于反射电磁辐射；第一封装层(31)，所述第一封装层由电绝缘材料形成；和载体(10)，所述载...